中航紅外新一代化合物半導體研制基地項目封頂
據中建八局上海公司官微消息，12月24日，中航紅外新一代化合物半導體研制基地項目全面封頂。
據此前“上海臨港”公眾號發布的項目相關消息，該項目總投資11.6億元，位于浦東新區泥城鎮，總建筑面積5.79萬平方米，建成達產后可實現年銷售收入10億元，是上海市重大工程。
項目以打造國內領先、國際一流的紅外探測器研制生產基地為目標，主要提供從銻化物晶片到探測器成像組件的全套解決方案，將全面提升我國紅外探測器自主創新能力，縮小紅外探測器與國外技術差距，系統解決國內制導武器與軍用光電設備對制冷型探測器的需求。建成后將形成年產1萬套焦平面探測器的能力，推進我國紅外探測器的技術進步，帶動相關產業發展，創造更大的經濟和社會效益。
資料顯示，中航凱邁（上海）紅外科技有限公司（以下簡稱中航紅外）是集技術和產品基礎研究、設計開發和系統應用于一體的高性能紅外探測器組件和彈用光學零件科研生產一體化產品和技術服務提供商。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
335文章
28569瀏覽量
232383 -
探測器
+關注
關注
14文章
2697瀏覽量
74122 -
紅外
+關注
關注
8文章
759瀏覽量
95456
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
化合物半導體器件的定義和制造工藝
化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎，展現出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2/V·s，本征電阻率達10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
華工激光和華工正源亮相2025九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會
近日，第三屆九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會（以下簡稱“九峰山論壇”）正式開幕。華工科技核心子公司華工激光攜全新升級的化合物半導體“激光+量測”先進裝備整體解決方案亮相展會，子公司華
方正微電子亮相2025九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會
此前，2025年4月23日至25日，第三屆九峰山論壇暨化合物半導體博覽會(以下簡稱“CSE”)在武漢光谷科技會展中心舉行，作為國內碳化硅三代半IDM的代表，方正微電子以“智啟未來”為主題，攜全系車規
石墨烯成為新一代半導體的理想材料
）等二維材料因結構薄、電學性能優異成為新一代半導體的理想材料，但目前還缺乏高質量合成和工業應用的量產技術。 化學氣相沉積法（CVD）存在諸如電性能下降以及需要將生長的TMD轉移到不同襯底等問題，增加了工藝的復雜性。此外，在
全球化合物半導體市場預計到2030年將達250億美元！
根據YoleGroup最近公布的市場預測，全球化合物半導體市場到2030年的市場規模有望達到約250億美元。這一預測顯示了化合物半導體行業在
LED芯片巨頭兆馳，全面進軍化合物半導體！
的發展戰略方向。具體來說，兆馳集團將以半導體芯片業務為根基，進一步完善產業集群布局，重點打造化合物半導體產業鏈，推動技術創新與產業升級，為企業的長遠發展注入強勁動力。兆馳集團的新發展戰
封頂！奧松半導體重慶8英寸MEMS項目今年投產
1月8日，記者從西部（重慶）科學城獲悉，奧松半導體8英寸MEMS特色芯片IDM產業基地一期項目FAB主廠房近日封頂，標志著該
突破極限：化合物半導體與EDA的協同進化之路
局限性。為了滿足這些高性能需求，化合物半導體材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等應運而生，它們以其卓越的電學特性，為新一代電子設備提供了無限可能。
華大半導體旗下中電化合物榮獲2024年“中國SiC外延影響力企業”稱號
電化合物有限公司連續3年獲得了相關獎項，繼2022年榮獲“中國SiC襯底十強”，2023年榮獲“中國第三代半導體外延十強企業”稱號后，本次榮獲“中國SiC外延影響力企業”稱號。 ? ?
超200億半導體項目新進展披露
來源：集邦化合物半導體 10月30日，長飛先進武漢基地相關負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設備即將進駐廠房，明年年初開始調試，預計2025年5月可以量產通線，隨后將開啟良率
市場規模達739.億美元!三星電子與SK海力士進軍化合物功率半導體領域
決策，是基于對化合物功率半導體市場潛力的深刻認識。兩家公司計劃開發碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體，這兩種材料因其優越的性能在功率半導體領域中占據重要地位
馬來西亞富樂華功率半導體項目封頂
近日，馬來西亞富樂華功率半導體陶瓷基板項目順利完成封頂。該項目于去年11月2日在馬來西亞新山隆重舉行開工奠基儀式，標志著FerroTec集團（中國）在
工商網監
評論