2023年11月，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備研發(fā)制造企業(yè)上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司圓滿完成近5億元新一輪融資。

據(jù)陛通半導(dǎo)體消息，此次融資得到了君桐資本、金浦創(chuàng)新、上海科創(chuàng)集團(tuán)、浙江發(fā)展資產(chǎn)、賽富管理、三元資本等的支援，還得到了力合資本、長(zhǎng)江國(guó)弘等多家老股東的追加投資。此次融資后，陛通半導(dǎo)體將繼續(xù)加大對(duì)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)的投資，匯聚更多優(yōu)秀人才，推出更多國(guó)產(chǎn)尖端薄膜沉積裝備品種，加快產(chǎn)業(yè)化配置。

該公司成立于2008年，是一家專門生產(chǎn)尖端國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的企業(yè)。到目前為止，包括73項(xiàng)發(fā)明專利權(quán)和國(guó)際專利在內(nèi)，共有165項(xiàng)其他原創(chuàng)專利。

據(jù)悉，陛通半導(dǎo)體自研的12英寸PECVD、SACVD、磁控濺射PVD、射頻濺射PVD、反應(yīng)離子濺射PVD、Thermal ALD產(chǎn)品已經(jīng)陸續(xù)進(jìn)入國(guó)內(nèi)各種類型、各種規(guī)模晶圓廠并成為主力設(shè)備。同時(shí)，6-8英寸磁控濺射PVD的高產(chǎn)能厚鋁工藝、背金工藝、熱鋁填孔槽工藝被大量應(yīng)用于國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體SiC、GaN、IGBT、MOSFET等功率芯片制造。