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面向 TSMC InFO 技術的高級自動布線功能

jf_pJlTbmA9 ? 來源:Cadence楷登PCB及封裝資源中 ? 作者:Cadence楷登PCB及封裝 ? 2023-11-27 17:32 ? 次閱讀

作者:Paul McLellan,Cadence楷登PCB及封裝資源中心

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在2022年底舉辦的 TSMC OIP 研討會上,Cadence 資深半導體封裝管理總監 John Park 先生展示了面向TSMC InFO 技術的高級自動布線功能。InFO 的全稱為“集成式扇出型封裝(integrated fanout)”,是一種適用于高級封裝的低性能、低復雜度的技術。下圖是 TSMC 演示文稿中一張介紹 InFO 的幻燈片,不難發現,InFO 有許多不同的類型。

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InFO 的首個應用實例出現在 2016 年,是用于移動應用的 InFO-PoP,在應用處理器晶粒上添加了一個 DRAM 封裝。然后是面向 HPC 的 InFO_oS,允許將多個晶粒置于越來越大的封裝中。最新的技術是 InFO_3D,允許邏輯和邏輯之間垂直堆疊,并在下方布線,以便分配電源分配網絡和信號

在本文中,我們不打算重申使用高級封裝的優勢,而是進行擴展,假設以采用最先進的節點為前提來進行設計。

如前文所述,高級封裝和異構集成如今已成為所有半導體設計的熱門話題。

1、布線已成為高級封裝技術的主要瓶頸

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從上表中可以看出,如今的布線難度越來越大。左側是倒裝芯片球柵陣列 (FCBGA) 的要求,其中最多有幾千個連接。RDL 信號布線將信號從相對較小的單個晶粒分散到焊球上。

右側是本文將要討論的技術——3D 異構集成晶圓級封裝(3D heterogeneous integration wafer-level packaging,),簡稱 3DHI-WLP。這種封裝通常包含多個chiplets小芯片,并可能存在數萬個信號連接,因此 RDL 信號布線不僅是分配信號,同時也要處理從小芯片到小芯片(chiplet-to-chiplet)的布線。電源布線同樣錯綜復雜,多種方法均可實現。

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在細節層次上,業界面臨的挑戰有:

小芯片到小芯片和扇出 RDL 布線要求

高效的引腳逃逸模式

布線通道密度

復雜過孔堆疊

提高良率的互連倒圓角

將信號和電源網絡放在一起進行布線,以達到最佳密度

重用重復的模式

電源/接地過孔放置

為了應對這些挑戰,Cadence 和 TSMC 通力合作,為 InFO 技術開發新一代——

自動信號布線解決方案

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支持高容量設計的多線程自動布線引擎

支持TSMC電氣、物理和良率規則的布線

支持屏蔽、差分信號和倒圓角/淚滴插入(見上圖)

帶有重用結構的預先逃逸布線

基于分片的布線,支持復制

自動電源布線解決方案

混合和匹配 IC 樣式及 BGA 樣式的電源布線(條紋/軌道和平面)

鎖定結構,防止在相鄰區域工作時發生變更

可保存的配置,可用于后續設計

根據電源引腳的分組,自動定義形狀邊界樣式(拼圖)

綜上所述完整流程如下

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拓撲結構布線

逃逸布線

電源布線

詳細布線

模式復制

倒圓角插入

最終 DRC

2、設計結果:大幅提升

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如上表所示,布線速度大大提升(100 倍)。使用多核心多線程詳細布線也能使速度提高 10 倍以上。

總結

1.當下普及高級封裝技術的主要瓶頸在于布線

2.信號布線(RDL/D2D)和電源布線也是如此

3.需要新一代的解決方案來減少瓶頸并支持大型設計

4.Cadence 和TSMC已經合作開發了用于 InFO 封裝技術的新一代信號和電源自動布線工具

原生大規模并行化

結合多種布線技術

便捷的多層布線引擎——Cadence Allegro 工具

支持復制

支持TSMC布線約束和 DRC 規則

審核編輯 黃宇

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