上拉電阻和下拉電阻作用

在開(kāi)關(guān)電源中，MOS管的柵極通常會(huì)加一個(gè)上拉電阻或下拉電阻，一般是在Nmos管上面加一個(gè)下拉電阻，在pmos管上面會(huì)加一個(gè)上拉電阻。這個(gè)電阻的阻值一般會(huì)選取10K左右。這個(gè)電阻主要有三個(gè)作用。 第一個(gè)作用就是上電的時(shí)候，給MOS管的柵極一個(gè)確定的電平。MOS管上電前很短一段時(shí)間柵極是一個(gè)高阻的狀態(tài)，這時(shí)就很容易受到干擾。如果這時(shí)NMOS管受到一個(gè)高電頻的干擾，pmos管受到一個(gè)低電頻的干擾。那么上電的時(shí)候會(huì)有那么一個(gè)瞬間MOS管是一個(gè)導(dǎo)通的狀態(tài)，這個(gè)狀態(tài)是不受控制的，很容易把開(kāi)關(guān)管燒壞。為了防止這個(gè)現(xiàn)象的產(chǎn)生，就會(huì)在nmos的柵極加一個(gè)下拉電阻，在pmos的柵極加一個(gè)上拉電阻，這樣上電的時(shí)候，這個(gè)MOS管的柵極就不是一個(gè)高阻的狀態(tài)，而是一個(gè)確定的電平了。這樣這個(gè)MOS管在上電的時(shí)候一直是一個(gè)關(guān)閉的狀態(tài)，直到單片機(jī)控制它的開(kāi)關(guān)。

第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當(dāng)我們斷電時(shí)，由于這個(gè)寄生電容沒(méi)有放電路徑，這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)，那么我們下次上電時(shí)，這個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)就是不受控制的，也會(huì)造成MOS管擊穿燒壞，所以要加一個(gè)上拉或者下拉電阻，就是給我們這個(gè)GS間的寄生電容提供一個(gè)放電的路徑。這樣MOS管斷電就會(huì)是一個(gè)穩(wěn)定的關(guān)閉狀態(tài)。

第三個(gè)就是為了防止靜電擊穿。在MOS管的柵極和源極之間。很容易因靜電而積累到電荷。當(dāng)這個(gè)MOS管的柵極處于一個(gè)高阻狀態(tài)的時(shí)候，會(huì)很容易積累一些靜電電荷在上面，當(dāng)靜電電荷積累到一定程度的時(shí)候，就會(huì)在GS間形成一個(gè)很高的電壓，使MOS管柵極因擊穿而損壞。總之一句話，不管是上拉電阻或下拉電阻，就是為了使MOS管的柵極是一個(gè)固定的電平。