電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日有消息稱，三星計(jì)劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價(jià)格提高10%以上，預(yù)計(jì)最快會(huì)從10月開(kāi)始漲價(jià)。與此同時(shí)，為了加速去庫(kù)存以配合漲價(jià)，三星自今年以來(lái)就一直對(duì)NAND閃存以及DRAM減產(chǎn)。

在今年第一季度財(cái)報(bào)中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)暴虧4.58萬(wàn)億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產(chǎn)”的承諾，表示將調(diào)整存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量。經(jīng)過(guò)半年多的減產(chǎn)等調(diào)控措施，從近期包括三星在內(nèi)的多家存儲(chǔ)大廠的動(dòng)作來(lái)看，存儲(chǔ)市場(chǎng)似乎即將邁入新的上行周期。

持續(xù)減產(chǎn)降低投資，NAND開(kāi)始大幅漲價(jià)

存儲(chǔ)器市場(chǎng)是半導(dǎo)體周期的重要風(fēng)向標(biāo)之一，周期性較為突出，每次存儲(chǔ)器價(jià)格的下行都伴隨著主流大廠“主動(dòng)”或“被動(dòng)”的減產(chǎn)對(duì)市場(chǎng)價(jià)格進(jìn)行調(diào)控。

三星在今年1月和今年4月分別進(jìn)行了兩次產(chǎn)能調(diào)整，降低晶圓投入以降低NAND和DRAM產(chǎn)能，初期減產(chǎn)主要著重于DRAM。而進(jìn)入下半年，隨著產(chǎn)能的下降，部分存儲(chǔ)器已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)止跌的跡象。

在4月減產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行三個(gè)月后，有機(jī)構(gòu)估算，今年7月三星將DRAM晶圓的月產(chǎn)量削減至62萬(wàn)片，同比減少超過(guò)12%，創(chuàng)下了公司近兩年來(lái)的新低，減產(chǎn)效果顯著。不過(guò)當(dāng)時(shí)由于終端市場(chǎng)的需求并未恢復(fù)，盡管三星、SK海力士、美光三大存儲(chǔ)廠商希望在三季度拉動(dòng)DRAM的合約價(jià)提高7%-8%，但市場(chǎng)上實(shí)質(zhì)的反彈還未到來(lái)。

美光在6月的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，將擴(kuò)大DRAM和NAND Flash的減產(chǎn)規(guī)模，從此前的減產(chǎn)25%擴(kuò)大至減產(chǎn)30%，并持續(xù)到2024年。

SK海力士在二季度財(cái)報(bào)中提到，NAND Flash的去庫(kù)存速度相比DRAM更慢，因此公司將進(jìn)一步擴(kuò)大NAND Flash的減產(chǎn)幅度。與此同時(shí)，SK海力士的投資規(guī)模也將同比減少50%以上，產(chǎn)能擴(kuò)充的重點(diǎn)也將轉(zhuǎn)移到DDR5、HBM3等未來(lái)需求上。

三星近期也繼續(xù)縮減對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)能的投資。三星最大的生產(chǎn)基地平澤P3晶圓廠中，此前擴(kuò)建計(jì)劃規(guī)模如今被縮減為原來(lái)的三分之一。三星原計(jì)劃將P3晶圓廠的產(chǎn)能提升至8萬(wàn)片DRAM和3萬(wàn)片NAND Flash，如今分別被縮減至5萬(wàn)片和1萬(wàn)片。

無(wú)論如何，從通過(guò)產(chǎn)能調(diào)控來(lái)提高市場(chǎng)價(jià)格的角度看，目前存儲(chǔ)廠商的減產(chǎn)措施已經(jīng)有所成效。

首先是供給端，今年年初三星NAND Flash的庫(kù)存水位超過(guò)20周，最高曾高達(dá)28周，三星的目標(biāo)是在今年年底實(shí)現(xiàn)NAND Flash的庫(kù)存正?；_(dá)到約6到8周的水平。存儲(chǔ)廠商在減產(chǎn)的同時(shí)，也積極與主要客戶重新談判價(jià)格，存儲(chǔ)器合約價(jià)自下半年以來(lái)就開(kāi)始有所上漲，特別是DRAM產(chǎn)品中，由于供應(yīng)商在價(jià)格談判中態(tài)度強(qiáng)硬，需求方接受漲價(jià)，三季度DDR5 DRAM合約價(jià)漲幅達(dá)到5%到10%。

而需求端方面，由于AI熱潮持續(xù)，AI服務(wù)器對(duì)DDR5、HBM等高端DRAM產(chǎn)品需求高漲，帶動(dòng)DRAM價(jià)格率先實(shí)現(xiàn)反彈。同時(shí)因?yàn)轭A(yù)期價(jià)格的上漲，需求方也開(kāi)始增加采購(gòu)力度，因此將會(huì)帶動(dòng)DRAM出貨以及價(jià)格的持續(xù)上漲。

一般來(lái)說(shuō)，DRAM由于市面上原廠數(shù)量較少，減產(chǎn)帶來(lái)的去庫(kù)存漲價(jià)效應(yīng)會(huì)更加顯著。所以同樣的減產(chǎn)策略下，NAND Flash的漲價(jià)相對(duì)來(lái)得更晚。不過(guò)在合約價(jià)上，近期有消息稱三星與多家手機(jī)廠商客戶，包括小米、OPPO、谷歌簽署了存儲(chǔ)芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND Flash價(jià)格在現(xiàn)有合同的價(jià)格基礎(chǔ)上上漲10%-20%，這大概是為了四季度的整體漲價(jià)定下基調(diào)。

伴隨著芯片減產(chǎn)初有成效，三星預(yù)計(jì)到今年第四季度存儲(chǔ)器市場(chǎng)將迎來(lái)供不應(yīng)求的狀況。

產(chǎn)品更新迭代進(jìn)一步提高存儲(chǔ)市場(chǎng)預(yù)期

在存儲(chǔ)市場(chǎng)下行周期，存儲(chǔ)大廠都在削減資本支出，將資源集中在創(chuàng)新產(chǎn)品上。更高性能的存儲(chǔ)器產(chǎn)品帶來(lái)更高的附加值，也能拉高整體存儲(chǔ)市場(chǎng)的產(chǎn)品均價(jià)。SK海力士預(yù)計(jì)5年后AI服務(wù)器內(nèi)存，包括HBM、DDR4和DDR5在整個(gè)服務(wù)器內(nèi)存的市場(chǎng)份額將會(huì)從目前的17%提高至38%，因此更高端的存儲(chǔ)產(chǎn)品會(huì)是包括SK海力士在內(nèi)，存儲(chǔ)廠商未來(lái)會(huì)重點(diǎn)關(guān)注的方向。

今年8月，SK海力士在2023閃存峰會(huì)上展示了全球首個(gè)300層以上的NAND Flash樣品。這款1Tb TLC 4D NAND Flash樣品高達(dá)321層相比上一代238層的512Gb NAND Flash效率提高了59%，通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)單元的堆疊突破，在單位晶圓上實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)容量產(chǎn)出。

SK海力士的321層NAND Flash將會(huì)在2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，而針對(duì)更大容量的NAND Flash，SK海力士表示對(duì)應(yīng)的PCIe 6.0接口和UFS 5.0規(guī)格的產(chǎn)品也已經(jīng)在開(kāi)發(fā)中。

隨后又傳出消息稱，三星計(jì)劃在2024年搶先SK海力士量產(chǎn)第九代300層以上的V-NAND Flash，不過(guò)三星沒(méi)有公布相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)。按照三星規(guī)劃的路線圖，到2030年NAND堆疊將超過(guò)1000層，能夠更好地支持未來(lái)的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。

在AI熱潮下，AI加速卡以及GPU等應(yīng)用對(duì)DRAM內(nèi)存帶寬需求暴增，從GDDR到HBM，是順應(yīng)更高的數(shù)據(jù)吞吐量而產(chǎn)生的技術(shù)更替。

美光在7月率先宣布向客戶提供HBM3 Gen2（同HBM3e）的樣品，具有1.2 TB/s的聚合帶寬，8高堆疊容量為24GB。未來(lái)還有12高堆疊版本，容量可達(dá)36GB，與上一代HBM2e相比，每瓦性能是上一代的2.5倍。美光還在近期確認(rèn)，HBM2 Gen2 DRAM產(chǎn)品將會(huì)在明年年初大批量出貨交付，主要客戶包括NVIDIA。

隨后的8月，SK海力士也宣布成功開(kāi)發(fā)出HBM3E DRAM，最高每秒可以處理1.15TB數(shù)據(jù)。SK海力士計(jì)劃明年上半年將HBM3E投入量產(chǎn)，但交付可能要稍晚于美光。

同時(shí)在移動(dòng)DRAM方面，SK海力士也在今年年初宣布成功開(kāi)發(fā)出LPDDR5T。相比LPDDR5X 8.5Gbps的速率，LPDDR5T再次提升了13%，達(dá)到9.6Gbps。而今年8月SK海力士宣布旗下LPDDR5T DRAM已經(jīng)在聯(lián)發(fā)科新一代天璣9300平臺(tái)上完成驗(yàn)證，天璣9300+LPDDR5T 將有望成為下一代旗艦手機(jī)的“標(biāo)配”。

寫在最后

存儲(chǔ)市場(chǎng)的觸底比業(yè)界此前預(yù)測(cè)的來(lái)得更晚，但各大存儲(chǔ)原廠的大規(guī)模減產(chǎn)以及強(qiáng)硬的價(jià)格談判態(tài)度等措施的作用下，儲(chǔ)存市場(chǎng)的反彈在第四季度基本已經(jīng)成為定局。不過(guò)要讓存儲(chǔ)市場(chǎng)真正邁進(jìn)上行周期，僅依靠AI服務(wù)器以及汽車帶來(lái)的新需求是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，最終還需要等待消費(fèi)終端市場(chǎng)的全面復(fù)蘇。