有人提出,美國最快可能會在本周內宣布無限期免除美國對韓國半導體制造企業的對華半導體相關出口控制措施。因此,三星電子和sk海力士將可以向中國運輸半導體制造設備。
據悉,美國將在目前的1年豁免期限結束的10月11日之前,向三星電子和sk海力士通報上述決定。
無限期豁免是通過更新validated end user (veu)名單獲得的。如果被包含在該名單中,就沒有必要另外得到單獨許可,因此實際上美國的出口控制適用將永久中斷。
該報稱,美國有可能在下周才通報給兩家韓國企業。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
182123 -
半導體制造
+關注
關注
8文章
441瀏覽量
24549 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
989瀏覽量
39305
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
發表于 04-18 10:52
今日看點丨英偉達H20出口至中國需“無限期”申請許可證;特斯拉即將實現純AI自動駕駛
1. 英偉達:美國政府要求,H20 出口至中國時需要“無限期”申請許可證 ? 4月16日,據外媒報道,英偉達公司周二表示,美國政府正限制其H20芯片對中國的
發表于 04-16 11:18
?460次閱讀
三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產”
據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業內消息透露,自去年年底以來,三星電子和
三星與SK海力士攜手推進LPDDR6-PIM產品標準化
據外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存內計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體
隨著三星電子定于10月8日發布第三季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK
三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025年,這一領域的新增產量
SK海力士美國封裝廠獲巨額補貼與貸款支持
近日,SK海力士與美國商務部共同宣布了一項重大合作進展,雙方已正式簽署了一份具有前瞻性的初步備忘錄。根據協議內容,SK海力士計劃在
SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資
據最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰略,考慮推動其NAND與SSD業務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK
三星、SK海力士探索激光解鍵合技術
在半導體技術的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術的重大革新。據韓媒最新報道,這兩家行業巨頭已正式邁入下一代HBM的技術探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技
市場規模達739.億美元!三星電子與SK海力士進軍化合物功率半導體領域
近日,韓國兩大科技巨頭三星電子和SK海力士正計劃擴展其業務領域,進軍功率半導體市場。這一戰略舉措不僅標志著兩家公司對未來技術趨勢的預判,也是其增強代工業務競爭力的關鍵步驟。三星電子和

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰
雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業的領軍企
三星與SK海力士啟動芯片浸沒式液冷測試
近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子與SK海力士已攜手啟動芯片產品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應服務器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求,進一步推動數據中心冷卻技術的革新。
三星、SK海力士通用DRAM產線開工率維持80%~90%
在半導體存儲行業,三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術和產能占據市場的重要地位。然而,近期韓媒援引業內人士的消息稱,這兩大巨頭的通用DRAM(動態隨機存取存儲器)產線開工率目前維持在80%~90%的水平,顯示出市場
評論