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ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻

江師大電信小希 ? 來源: 江師大電信小希 ? 作者: 江師大電信小希 ? 2023-09-14 19:12 ? 次閱讀

近年來,在通信基站和工業設備領域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統,電源電壓呈提高趨勢。此外,用來冷卻這些設備的風扇電機也使用的是48V系統電源,考慮到電壓波動,起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面,提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高,效率會變差,因此,如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻,是一個很大的挑戰。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動,為了節省空間,對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下,ROHM采用新工藝開發出Nch和Pch的MOSFET芯片,并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式,開發出實現業界超低導通電阻的新系列產品。

新產品通過采用ROHM新工藝和背面散熱封裝,實現了業界超低的導通電阻(Ron)*3(Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與普通的雙MOSFET相比,導通電阻降低達56%,非常有助于進一步降低應用設備的功耗。另外,通過將兩枚芯片一體化封裝,可以減少安裝面積,有助于應用設備進一步節省空間。例如HSOP8封裝的產品,如果替換掉兩枚單MOSFET(僅內置1枚芯片的TO-252封裝),可以減少77%的安裝面積。

新產品已于2023年7月開始暫以月產100萬個(樣品價格550日元/個,不含稅)的規模投入量產。

目前,ROHM正在面向工業設備領域擴大雙MOSFET的耐壓陣容,同時也在開發低噪聲產品。未來,將通過持續助力各種應用產品進一步降低功耗并節省空間,為解決環境保護等社會問題不斷貢獻力量。

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產品陣容

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Nch+Nch 雙MOSFET

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Nch+Pch 雙MOSFET

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*預計產品陣容中將會逐步增加40V、60V、80V、150V產品。

應用示例

? 通信基站用風扇電機

?FA設備等工業設備用風扇電機

?數據中心等服務器用風扇電機

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通過與預驅動器IC相結合,

為電機驅動提供更出色的解決方案

ROHM通過將新產品與已具有豐碩實際應用業績的(找元器件現貨上唯樣商城)單相和三相無刷電機用預驅動器IC相結合,使電機電路板的進一步小型化、低功耗和靜音驅動成為可能。通過為外圍電路設計提供雙MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支持,為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅動解決方案。

與100V耐壓雙MOSFET相結合的示例

HT8KE5(Nch+Nch 雙MOSFET)和

BM64070MUV(三相無刷電機用預驅動器IC)

HP8KE6(Nch+Nch 雙MOSFET)和

BM64300MUV(三相無刷電機用預驅動器IC)等

電機用新產品的規格書數據下載頁面

從ROHM官網可以下載包括新產品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規格書。

術語解說

*1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,是FET中最常用的結構,被用作開關器件。

*2)Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET。可用比低于輸入電壓低的電壓驅動,因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET,漏極與源極之間的導通電阻更小,因此可減少常規損耗。

*3)導通電阻(Ron)

使MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運行時的損耗(電力損耗)越少。

審核編輯 黃宇

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