女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

通過高壓IGBT、線性MOSFET等功率器件,Littelfuse賦能醫療設備創新

Felix分析 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:吳子鵬 ? 2023-09-11 09:16 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)隨著遠程醫療、智慧醫療、數字醫療等創新概念的興起,全球醫療電子產業發展換擋提速,未來幾年將保持蓬勃發展的態勢。在PCIM Asia 2023上,Littelfuse半導體應用技術經理劉鵬援引市場分析機構Statista的數據稱,預計到2030年全球市場中美國、中國、法國和德國醫療設備市場規模均將超過500億美元,其中美國醫療設備市場規模屆時將超過2000億美元。

wKgaomT-apeAPA83AACIb_xCr0U383.png
數據來源:Statista


他指出,針對醫療設備市場,Littelfuse提供三大產品線,分別是來自IXYS的功率半導體產品,包括可控硅Mosfet、IGBT二極管、三極管和驅動器等;來自Littelfuse的電路保護器件,包括保險絲、TVS二極管、保護IC等;還有來自C&K的按鍵產品,包括觸控按鍵、按鍵開關和滑動按鍵等。



Littelfuse將醫療設備市場分為三個方向,分別是生命力支持設備、外科手術設備、診斷和治療設備。

除顫儀AED屬于生命力支持設備。劉鵬介紹稱,圍繞除顫儀,Littelfuse在電源系統、電池管理單元、開關按鈕、用戶界面和高壓脈沖放電H橋(H-Bridge)等方面都有產品供應。在H橋應用上,Littelfuse提供獨有的3000V IGBT,不僅提高了AED的可靠性,并且縮小了設備體積和設計周期。。

wKgZomT-asmAZB17AAEWysp_izc193.png
除顫儀電路框圖


應用于除顫儀的IGBT并非普通的IGBT產品,而是高壓IGBT,器件的工作電壓達到3000V。Littelfuse的Very High Voltage系列BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優勢,工作電壓為2500V-3600V。除顫儀的電池電壓一般為12V或24V,然后升壓到2000VDC,H橋是目前除顫儀中主流的電路架構。根據劉鵬的介紹,現階段在醫療設備用的3000V IGBT市場只有Littelfuse獨家供應,是一個出貨量很大的產品類別。除了IGBT,高壓可控硅也是Littelfuse在除顫儀市場非常具有統治力的一個器件,在2500V高壓可控硅市場幾乎沒有競爭對手。

他指出,過去幾年,除顫儀設備在國內市場快速起量,原因在于政府政策對于公眾健康更加重視,像體育場、學校、交通樞紐和醫院等公共場所都開始要求配備除顫儀。未來,家用除顫儀是一個巨大的待開發市場,出貨量可能遠超過現有的市場規模,小型化和低成本是其中的挑戰。除顫儀也是本次Littelfuse在PCIM Asia 2023上重點展示的醫療設備方案。

X光影像系統DR屬于診斷和治療設備,Littelfuse在高壓發生器、輔助電源和用戶界面方面能夠提供相關器件。

wKgaomT-atWANIn1AAG9ZspfbB4096.png
X光影像系統電路框圖


劉鵬談到,X光影像系統里面的高壓發生器會產生一個150kV的高壓,功率可能達到40-80kW的級別,Littelfuse高性能大電流的保險絲在其中起到了保護作用。另外,設備前端會用到Littelfuse的三相整流橋,850V-1000V的MOSFET應用在高壓發生器(HV Generator),高壓的MOSFET是Littelfuse的強項,這些器件擁有超低的RDS(ON)和Qg,以及卓越的dv/dt性能,可以顯著提高醫療產品的可靠性。

超聲手術刀是一種外科手術設備,主要用于生物組織的切割與血管閉合等操作。具有出血少、對周圍組織傷害少、術后恢復快等特點。在相關設備的AD/DC系統、電源系統和換能器等方面,Littelfuse提供了對應的解決方案。

劉鵬表示,超聲手術刀電路的功率不大,一般不超過200W,但電路較為復雜。功放電路(Power Amplifier), 發出純正的正弦波,推動換能器工作。由于換能器核心部件是壓電陶瓷,在正弦波的激勵下,換能器不停地震蕩,將電能轉化成機械能,會以55.5kHz的高頻來進行切割。

wKgZomT-auGAH7bsAAF9_W2R_ew090.png
超聲手術刀電路框圖


在超聲手術刀應用中,如果用方波驅動換能器,那么就會造成換能器異常損壞,因此純正的正弦波才能保證換能器的工作壽命。
Littelfuse提供極具創新價值的線性MOSFET管。這種器件和傳統的開關MOSFET有很大的不同,后者的驅動波形一般是PWM方波,而Littelfuse的線性MOSFET管可以承受嚴苛的正弦波驅動。

常規MOSFET管內部是均勻排布的小MOSFET管,比例是相同的,那么在開關波形里面就會具有很好的一致性。不過,常規MOSFET的開啟電壓Vgsth是負溫度系數的,熱點主要集中在器件的中間區域。由于Vgsth是負溫度系數的,那么器件中間熱區的MOSFET管Vgsth 將進一步下降,并形成正反饋,導致電流異常集中而損壞Mosfet。 Littelfuse的技術創新在于,將MOSFET中間區域MOSFET晶胞的Vgsth人為調高,這是一個非常領先的工藝調整。當MOSFET 工作在線性區,大電流進入Littelfuse的線性MOSFET管時,器件表面的溫度就會趨向均勻,不會因為熱集中效應而失效。


除了這些典型的案例,劉鵬還向電子發燒友網記者介紹了Littelfuse 產品在創新醫療中的應用。比如:脈沖電場消融、血管內脈沖除鈣化和呼吸機等方面的應用,涉及了4500V超高壓IGBT等功率器件以及C&K的高性能開關,體現了Littelfuse在醫療電子領域的布局廣度和布局深度。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 醫療設備
    +關注

    關注

    12

    文章

    992

    瀏覽量

    67673
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?

    、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩定性能。 一、主要分類 ? 按器件結構劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復二極管,用于單向導電
    的頭像 發表于 05-19 09:43 ?33次閱讀

    同軸分流器SC-CS10在功率器件(IGBT、MOSFET等)動態雙脈沖測試中的應用

    1. 產品概述 產品簡介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號功率分配的無源器件,常用于功率器件(IGBT、
    的頭像 發表于 04-30 12:00 ?95次閱讀
    同軸分流器SC-CS10在<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>(<b class='flag-5'>IGBT</b>、<b class='flag-5'>MOSFET</b>等)動態雙脈沖測試中的應用

    功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

    IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(
    的頭像 發表于 04-16 08:06 ?210次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導體<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊:PPS注塑加工案例

    MOSFETIGBT的區別

    (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET
    發表于 03-25 13:43

    使用HY-HVL系列線性高壓直流電源進行IGBT測試

    功率半導體器件(如IGBT、MOSFET、SiC、GaN等)是電力電子系統的核心組件,廣泛應用于新能源、電動汽車、工業控制、消費電子等領域。絕緣柵雙極型晶體管(
    的頭像 發表于 03-14 17:21 ?417次閱讀
    使用HY-HVL系列<b class='flag-5'>線性</b><b class='flag-5'>高壓</b>直流電源進行<b class='flag-5'>IGBT</b>測試

    金屬基板 | 全球領先技術DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案

    DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產品良率及使用壽命。金屬基板
    的頭像 發表于 03-09 09:31 ?507次閱讀
    金屬基板 | 全球領先技術DOH工藝與<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>IGBT</b>熱管理解決方案

    高效電源管理新選擇:LGS5160C同步降壓轉換器,多領域智能設備

    與95mΩ低側MOSFET,降低導通損耗,提升全負載范圍效。 緊湊設計,簡化系統 ESOP-8增強散熱封裝,體積小巧,搭配內部環路補償設計,減少外部元件數量,節省PCB空間,尤其適合便攜式設備
    發表于 02-20 10:05

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si
    的頭像 發表于 01-21 11:03 ?1480次閱讀
    Si <b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>混合<b class='flag-5'>器件</b>特性解析

    廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

    碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優勢,在電動汽車、太陽逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優勢,但碳化硅
    的頭像 發表于 01-15 17:40 ?453次閱讀
    廣東佳訊邀您一起探究:SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> 替代 <b class='flag-5'>IGBT</b> ,這是必然走向嗎?

    DOH新材料工藝封裝技術解決功率器件散熱問題

    DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產品良率及使用壽命。為綜合評估SiC
    的頭像 發表于 12-24 06:41 ?640次閱讀
    DOH新材料工藝封裝技術解決<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>散熱問題

    芯長征科技榮獲功率器件IGBT行業卓越獎

    在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業配套品牌頒獎典禮”上,芯長征科技榮獲“功率器件-IGBT行業 卓越獎”。經過近兩個月的激烈競爭和嚴格評審,我們憑借在功率
    的頭像 發表于 12-10 17:28 ?886次閱讀

    系統的“指揮官”——功率驅動芯片

    、功率MOSFET、功率IGBT等功率器件組成,具有高效率、高可靠性、高集成度等特點。 ? 顧名
    的頭像 發表于 11-29 01:12 ?3887次閱讀

    高壓柵極驅動器的功率損耗分析

    高頻率開關的MOSFETIGBT柵極驅動器,可能會產生大量的耗散功率。因此,需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫,確保器件在可接受的溫度
    的頭像 發表于 11-11 17:21 ?790次閱讀
    <b class='flag-5'>高壓</b>柵極驅動器的<b class='flag-5'>功率</b>損耗分析

    Littelfuse發布高頻MOSFET柵極驅動器新品

    Littelfuse公司近日宣布推出兩款創新產品——IX4341與IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器,專為高頻應用精心打造。這兩款新品進一步豐富了Littelfuse的I
    的頭像 發表于 09-20 16:33 ?740次閱讀

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率
    的頭像 發表于 07-19 11:21 ?1210次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗