女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瑞森半導(dǎo)體超小內(nèi)阻20mΩ和TO-220F封裝70mΩ的超結(jié)MOS新品上市

jf_19612427 ? 來(lái)源:jf_19612427 ? 作者:jf_19612427 ? 2023-08-08 10:27 ? 次閱讀

瑞森半導(dǎo)體進(jìn)一步壯大和完善超結(jié)(SJ)MOSFET系列,推出600V超結(jié)功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號(hào)。2枚新品各自具備核心優(yōu)勢(shì),為國(guó)內(nèi)少有產(chǎn)品型號(hào) ,技術(shù)領(lǐng)航市場(chǎng)。

市場(chǎng)上70mΩ的超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品,芯片面積超出TO-220F載芯面積,常規(guī)均采用TO-247封裝,瑞森半導(dǎo)體新產(chǎn)品RSF60R070F采用專(zhuān)有的晶胞結(jié)構(gòu)和特殊工藝流程,進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),在Rdson不變的情況下,有效減小芯片面積,滿(mǎn)足TO-220F/TO-263等封裝外形,從而大幅減少器件在PCB線(xiàn)路板上占用的空間(TO-220F與TO-247封裝外形相比,整體尺寸節(jié)約50%),助力小型化產(chǎn)品的應(yīng)用。

RSF60R070F實(shí)測(cè)耐壓為600V,導(dǎo)通電阻僅為58mΩ,使得MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率,同時(shí)成本也隨之下降,為客戶(hù)提供低成本設(shè)計(jì)方案。該款產(chǎn)品主要適用于電源電機(jī)控制逆變器和其它高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用等。

wKgZomTRqJCAFU3tAAHjcMU3_b0320.png

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

常規(guī)產(chǎn)品封裝為T(mén)O-247,而RSF60R070F為T(mén)O-220F封裝,做到大電流小封裝;

有效減小芯片面積,大幅減少器件在PCB線(xiàn)路板上占用的空間;

內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC線(xiàn)路,并適合多管應(yīng)用;

具有更快的開(kāi)關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗;

極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統(tǒng)效率;

優(yōu)異的EMI性能

瑞森半導(dǎo)體具備超小內(nèi)阻的新品RSF60R026W,目前市場(chǎng)上硅基超結(jié)MOS最小內(nèi)阻為30mΩ左右。瑞森半導(dǎo)體基于豐富的超結(jié)MOS開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),開(kāi)發(fā)出實(shí)測(cè)耐壓為600V,導(dǎo)通電阻典型值20mΩ的超結(jié)(SJ)MOSFET,導(dǎo)通電阻減少了33% ,提高了開(kāi)關(guān)性能,進(jìn)一步降低功率損耗,可以極大提升整機(jī)電源的轉(zhuǎn)換效率。RSF60R026W適用于連續(xù)導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正(PFC)、雙管正激、LLC和太陽(yáng)能升壓等拓?fù)渚€(xiàn)路,典型應(yīng)用于太陽(yáng)能、服務(wù)器、電信設(shè)備和UPS(不間斷電源)等。

wKgZomTRqJmASg4EAAHoeCFZT5E546.png

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

實(shí)現(xiàn)超小內(nèi)阻,能做到RDS(ON)典型值20mΩ

導(dǎo)通電阻減少了33% ,降低功率損耗,進(jìn)一步提高效率;

內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC線(xiàn)路,并適合多管應(yīng)用;

100%雪崩測(cè)試;

低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻;

優(yōu)異的EMI性能

瑞森半導(dǎo)體在超結(jié)(SJ)MOSFET系列上持續(xù)投入研發(fā),現(xiàn)有產(chǎn)品包括內(nèi)置ESD系列(RSE****)、內(nèi)置FRD系列(RSF****),耐壓涵蓋 600V 、650V、700V、800V 等,導(dǎo)通電阻從20mΩ到1000mΩ,全系列均具有出色的導(dǎo)通電阻特性,可提高效率和易用性,同時(shí)顯著降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。性能對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌,助力國(guó)產(chǎn)化,已在市場(chǎng)具備知名度和美譽(yù)度。瑞森半導(dǎo)體將持續(xù)升級(jí)超結(jié)(SJ)MOSFET系列,滿(mǎn)足不同客戶(hù)的應(yīng)用需求。

wKgZomTRqJ6AEkPAAAE6mcFtsZk089.png

瑞森半導(dǎo)體將繼續(xù)開(kāi)發(fā)導(dǎo)通電阻更低、功能更完善的產(chǎn)品,降低功率損耗,滿(mǎn)足各種應(yīng)用場(chǎng)景,助力客戶(hù)提升整機(jī)電源轉(zhuǎn)換效率。瑞森半導(dǎo)體600V超結(jié)(SJ)MOSFET---RSF60R070F型號(hào)和RSF60R026W型號(hào)已上市,誠(chéng)邀全球客戶(hù)咨詢(xún)。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28583

    瀏覽量

    232428
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    8476

    瀏覽量

    144770
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1344

    瀏覽量

    96178
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

    能G3 結(jié)MOSFET Analyzation 結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:59 ?77次閱讀
    <b class='flag-5'>瑞</b>能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET技術(shù)解析(2)

    半導(dǎo)體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?106次閱讀
    <b class='flag-5'>瑞</b>能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET技術(shù)解析(1)

    33W全負(fù)載高效率結(jié)硅電源管理方案

    由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 05-13 11:11 ?189次閱讀

    伯恩半導(dǎo)體新品推薦 | 結(jié)MOS管在TV電視上的應(yīng)用

    電路中,結(jié)MOS管通常用來(lái)實(shí)現(xiàn)功率變換。隨著TV電視的小型化、輕薄化、智能化的發(fā)展趨勢(shì),伯恩半導(dǎo)體針對(duì)新一代TV在功率器件的需求進(jìn)行了不斷地升級(jí)和改
    的頭像 發(fā)表于 05-07 14:36 ?135次閱讀
    伯恩<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>新品</b>推薦 | <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOS</b>管在TV電視上的應(yīng)用

    新潔能Gen.4結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?312次閱讀
    新潔能Gen.4<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體
    發(fā)表于 01-22 10:43

    WRABS20M軟恢復(fù)橋手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《WRABS20M軟恢復(fù)橋手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-09 13:39 ?0次下載

    BT136-800(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    BT136-800 (TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-17 09:44 ?0次下載

    BT139-800(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    BT139-800 ?(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-17 09:42 ?0次下載

    BTA04A BTB04A(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    BTA04ABTB04A ?(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-17 09:38 ?0次下載

    BTA06A,BTB06A(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    BTA06ABTB06A ?(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-16 18:09 ?0次下載

    BTA08A,BTB08A(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    ?BTA08ABTB08A (TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-16 18:07 ?0次下載

    BTA12A,BTB12A(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    BTA12ABTB12A ?(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-16 18:04 ?1次下載

    BTA16A,BTB16A(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)

    BTA16ABTB16A ?(TO-220F)雙向可控硅手冊(cè)
    發(fā)表于 12-16 18:03 ?0次下載

    突破碳化硅(SiC)和結(jié)電力技術(shù)的極限

    PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國(guó)半導(dǎo)體器件公司,團(tuán)隊(duì)在電力半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過(guò)二十年的經(jīng)驗(yàn),他們專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)先進(jìn)的碳化硅(SiC)二極管和MOSFET,以及
    的頭像 發(fā)表于 06-11 10:49 ?692次閱讀
    突破碳化硅(SiC)和<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>電力技術(shù)的極限