5月9日，三星Foundry在以色列舉行的半導體展覽chipex2023上公布了對3nm gaa mbcfet技術的最新開發和sram設計的影響。

三星解釋說，mbcfet提供了比finfet更好的設計靈活性：在傳統的finfet結構中，無法調整包裹柵極的別針高度。由于mbcfet將鰭橫向堆積，因此可以調整納米板的高度，并且可以選擇比finfet更多的聲道寬度。

mbcfet的這些功能提高了sram單元設計的靈活性，提供了pmos和nmos之間的最佳平衡。