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SiC,需求飆升

芯片半導體 ? 來源:芯片半導體 ? 2023-06-20 15:18 ? 次閱讀

碳化硅 (SiC) 半導體已經(jīng)制造了幾十年,但直到最近,隨著汽車市場加速向電氣化的最大轉(zhuǎn)型,這項技術(shù)才變得需求旺盛。

由于政府對氣候變化的要求以及可能更重要的消費者需求呈指數(shù)級增長,汽車原始設備制造商計劃在未來 10 到 15 年內(nèi)將電池電動車型作為主要銷售車型。

這種向電氣化的轉(zhuǎn)變?nèi)找鏇Q定了汽車功率半導體的整體市場需求。最初,汽車電源市場由硅 IGBTMOSFET 主導,SiC 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙半導體的機會僅限于特斯拉等早期采用者。

但隨著目前向電池電動汽車的轉(zhuǎn)變以及汽車原始設備制造商向電氣化車隊的持續(xù)過渡,碳化硅的需求正在飆升。

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根據(jù)市場研究公司 TechInsights 的數(shù)據(jù),到 2030 年,電動汽車生產(chǎn)的整個 SiC 市場收入將達到 96 億美元,到 2027 年的復合年增長率將高達 37%。TechInsights 汽車業(yè)務執(zhí)行董事 Asif Anwar 同時表示:“不過,我們預計其他電力電子半導體需求不會消失,硅基 IGBT、MOSFET 和二極管當時仍占整個市場需求的 50%?!?/p>

到 2030 年,汽車電源市場——功率 MOSFET、IGBT 和 SiC 半導體——的收入將達到 266 億美元。這幾乎是今年收入 126 億美元的兩倍。未來五年,車用功率芯片市場預計將實現(xiàn) 16.0% 的復合年增長率 (CAGR)。

也就是說,碳化硅的使用將取決于正在制造的電動汽車的類型。

對于輕度混合動力車,該細分市場將繼續(xù)依賴于使用硅 MOSFET,但是,如果可以降低價格以匹配當前的 MOSFET,則可能會使用 GaN 技術(shù)。TechInsights 表示,在全混合動力車和插電式混合動力車中,由于主流硅 IGBT 和 MOSFET 技術(shù)的成本效益,SiC 和 GaN 等寬帶隙技術(shù)并不理想。

全電池 EV 將成為主逆變器中 SiC 芯片的主要驅(qū)動力,這將通過在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器等電力電子系統(tǒng)中的增加使用來加入。TechInsights 表示,雖然 SiC 芯片比其他技術(shù)貴得多,但從長遠來看,這些技術(shù)在減小尺寸和重量以及系統(tǒng)性能和電池壽命方面的優(yōu)勢將有助于提高電動汽車的普及率。

公司已經(jīng)在計劃并寄希望于這種增長成為巨大的收入來源。本月早些時候,占整個汽車碳化硅市場約50%份額的意法半導體表示,將與三安光電在中國重慶建立一家200毫米碳化硅制造合資企業(yè)。

OnSemi 一直在大舉投資和交易,與汽車電子設備制造商 Vitesco Technologies簽署了為期 10 年的 SiC 協(xié)議。此外,在與 EV 充電器制造商Kempower達成不同的供應協(xié)議后,該公司承諾以20 億美元的新投資擴大其一家晶圓廠的 SiC 生產(chǎn)。

X-Fab 表示,將斥資 2 億美元擴建其德克薩斯州拉伯克的芯片工廠,用于生產(chǎn)更多 SiC 器件,博世收購美國半導體代工廠TSI Semiconductors,以在 2030 年底之前擴展其自有 SiC 芯片產(chǎn)品組合。博世給出了預期的汽車電氣化轉(zhuǎn)型作為收購的原因。

今年 2 月,Wolfspeed Inc. 表示將在歐洲建設其第一家半導體工廠,這是一家用于 SiC 器件的 200 毫米晶圓工廠。該晶圓廠將建在德國薩爾州,是 Wolfspeed 更廣泛的 65 億美元產(chǎn)能擴張計劃的一部分,該公司還將擴大其在美國的其他 SiC 業(yè)務。

德州儀器 (TI) 和 Skyworks 等其他公司也在加快開發(fā)主要用于汽車市場的 SiC 半導體的計劃,但也將在其他熱門市場發(fā)揮作用。

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原文標題:SiC,需求飆升

文章出處:【微信號:TenOne_TSMC,微信公眾號:芯片半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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