女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國(guó)芯思辰 |碳化硅肖特基二極管助力充電樁電源模塊功率密度的提升

國(guó)芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-04-25 16:13 ? 次閱讀

充電模塊作為充電樁的核心部件,其核心功能的實(shí)現(xiàn)主要依托于功率半導(dǎo)體器件發(fā)揮整流、穩(wěn)壓開(kāi)關(guān)、變頻等作用,隨著用戶更加追求充電系統(tǒng)的小型化、高效化,功率器件作為充電樁的核心器件也面臨著不斷優(yōu)化和升級(jí)。

充電樁結(jié)構(gòu).jpg

碳化硅的RDS(ON)較低,因而開(kāi)關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。

基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的B2D60120H1碳化硅肖特基二極管具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路,目前在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì):

? 具有極低的反向漏電流,反向重復(fù)峰值電壓VRRM為1200 V;

? 出色的浪涌電流能力和低電容電荷;

? 連續(xù)正常電流(TC=150°C)為60A;

? 基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗;

? 工作溫度和存儲(chǔ)溫度-55°~175°;

?提供TO-247-2封裝;

基本半導(dǎo)體B2D60120H1碳化硅肖特基二極管帶來(lái)的諸多優(yōu)勢(shì),讓充電樁結(jié)構(gòu)更緊湊、效率和性能更高。它不僅能夠讓充電樁的電路更加輕量化,更有可能降低組件的成本。

注:如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    148

    文章

    10038

    瀏覽量

    170229
  • 充電樁
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    2642

    瀏覽量

    86409
  • 國(guó)芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    1184

    瀏覽量

    1692
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

    PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:46 ?336次閱讀
    PI超快速Q(mào)speed H系列<b class='flag-5'>二極管</b>可替代<b class='flag-5'>碳化硅</b>元件

    長(zhǎng)期工作的充電電源模塊碳化硅MOSFET失效率越來(lái)越高的罪魁禍?zhǔn)祝簴叛蹩煽啃月窳舜罄?/a>

    近期很多充電運(yùn)營(yíng)商反應(yīng)采用國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的工作僅僅一兩年的充電電源模塊故障頻率越用越高,結(jié)合常見(jiàn)
    的頭像 發(fā)表于 03-24 10:44 ?260次閱讀
    長(zhǎng)期工作的<b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>樁</b><b class='flag-5'>電源模塊</b>中<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET失效率越來(lái)越高的罪魁禍?zhǔn)祝簴叛蹩煽啃月窳舜罄? />    </a>
</div>                              <div   id=

    SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

    P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 18:21 ?508次閱讀
    SiC SBD-P3D06010G2 650V <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)

    SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?326次閱讀

    PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-14 15:21 ?0次下載
    PSC2065L<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>在TO247 R2P應(yīng)用

    PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-12 16:09 ?0次下載
    PSC1065B1<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>規(guī)格書(shū)

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長(zhǎng),BA
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?469次閱讀
    為什么BASiC基本公司SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復(fù)<b class='flag-5'>二極管</b>

    肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域 肖特基二極管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

    時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小,因此廣泛應(yīng)用在變頻器、開(kāi)關(guān)電源模塊電源、驅(qū)動(dòng)電路等場(chǎng)合。以下是對(duì)肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域及其在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的介紹:
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:17 ?1492次閱讀

    碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價(jià)值戰(zhàn)略咨詢報(bào)告

    根據(jù)Global Info Research項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研,預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達(dá)到2249百萬(wàn)美元,2024-2030年期間年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR為23.5%。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 16:44 ?499次閱讀

    光伏板碳化硅二極管怎么選

    選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:33 ?838次閱讀
    光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

    SiC二極管在大功率電源上的應(yīng)用

    SiC(碳化硅二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:02 ?825次閱讀

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢(shì)壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?2317次閱讀

    STPSC12C065-Y汽車(chē)650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車(chē)650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-05 11:36 ?0次下載

    華燊泰:碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第三代半導(dǎo)體 #肖特基二極管

    肖特基二極管碳化硅
    秦仲弘
    發(fā)布于 :2024年07月19日 16:54:37

    SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

    近日,半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨
    的頭像 發(fā)表于 06-14 11:36 ?795次閱讀
    SemiQ推出高性能1700V SiC<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>和雙<b class='flag-5'>二極管</b><b class='flag-5'>模塊</b>