充電模塊作為充電樁的核心部件,其核心功能的實(shí)現(xiàn)主要依托于功率半導(dǎo)體器件發(fā)揮整流、穩(wěn)壓開(kāi)關(guān)、變頻等作用,隨著用戶更加追求充電系統(tǒng)的小型化、高效化,功率器件作為充電樁的核心器件也面臨著不斷優(yōu)化和升級(jí)。

碳化硅的RDS(ON)較低,因而開(kāi)關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的B2D60120H1碳化硅肖特基二極管具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路,目前在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì):
? 具有極低的反向漏電流,反向重復(fù)峰值電壓VRRM為1200 V;
? 連續(xù)正常電流(TC=150°C)為60A;
? 基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗;
? 工作溫度和存儲(chǔ)溫度-55°~175°;
?提供TO-247-2封裝;
基本半導(dǎo)體B2D60120H1碳化硅肖特基二極管帶來(lái)的諸多優(yōu)勢(shì),讓充電樁結(jié)構(gòu)更緊湊、效率和性能更高。它不僅能夠讓充電樁的電路更加輕量化,更有可能降低組件的成本。
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PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

長(zhǎng)期工作的充電樁電源模塊中碳化硅MOSFET失效率越來(lái)越高的罪魁禍?zhǔn)祝簴叛蹩煽啃月窳舜罄?/a>

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