博捷芯:半導體劃片設備之脆性材料切割方式

單次劃片，即一次完全劃片硅片，切割深度達到UV膜厚的1/2，如下圖所示。 該方法工藝簡單，適用于切割超薄材料。 但刀具在切削過程中磨損嚴重，切削路徑邊緣易產生崩刃和毛刺。 由于磨削力的影響，材料的表面和亞表面容易產生裂紋等缺陷。

針對硬脆材料劃切工藝存在的缺陷，本文提出分層劃切工藝方法，如下圖所示。 根據被切削材料的厚度，在切削深度方向采用分層（階梯式）進給方式進行切削。 首先進行開槽切削，采用比較小的進給深度，保證對刀具的受力小，減少刀具。 磨損，減少切割線正面的崩邊，然后沿第一條切割線繼續切割。

需要保證兩種切割方式切割過程中切割膜的厚度。 切膜過深時，會切穿膜，導致工件板失去真空能力，無法固定硅片； 切膜過淺會造成硅片背面塌陷。 因此，嚴肅地說，切割過程必須保證最后切割的深度。