現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。

GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的效能和高功率密度來實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。其效能高于當今的硅基方案，輕松超過服務器和云端資料中心最嚴格的80+規(guī)范或 USB PD 外部適配器的歐盟行為準則 Tier 2標準。

由于GaN氮化鎵元件在高頻時，在導通與切換上仍有較佳的效能、可靠度高，也能促使周邊元件尺寸進一步縮小，并提升功率密度；因此在現(xiàn)今電源供應器的體積被要求要越來越輕巧，且效率卻不能因而降低的應用中，如電競電腦、電信通訊設備、資料中心服務器等需要更好電源轉(zhuǎn)換效率的電源供應器應用，已有GaN氮化鎵功率元件開始被導入。

? 場景應用圖

? 展示版照片

? 方案方塊圖

? 標準線路圖

? ANB死區(qū)時間波形

? 死區(qū)時間 (DT vs. RDT)

? VCC欠壓鎖定保護波形

? 電流驅(qū)動能力

? 核心技術優(yōu)勢

1. 兩個輸出驅(qū)動器擁有獨立 UVLO 保護

2. 輸出電壓為 6.5V 至 30V，具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 閾值

3. 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收

4. 150 V/ns dV/dt 抗擾度

5. 36 ns 典型傳遞延遲

6. 8 ns 最大延遲匹配

7. 可編程輸入邏輯

8. 通過 ANB 的單或雙輸入模式

9. 可編程死區(qū)時間

10. Enable功能

11. 隔離與安全

a. 從輸入到每個輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200 V峰值差分電壓

b. 1200 V工作電壓（根據(jù)VDE0884?11要求）

? 方案規(guī)格

1. 雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動器

2. 輸出電源電壓為 6.5V 至 30V，具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 閾值

3. 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收