在升壓電源模塊中，會用到肖特基二極管，但常規硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實現更高的380V電壓，硅二極管就不是很合適了。本文主要提到國產廠家基本半導體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q。

升壓原理的基本電路如下圖所示，肖特基二極管應用位置已標注：

B2D10065Q應用于28V升壓到380V的升壓電路中的主要特點如下：

（1）耐壓高

B2D10065Q的反向耐壓650V，在380V的直流升壓系統中有足夠余量應對。

（2）損耗小

B2D10065Q的正向壓降為1.29V，在380V時，損耗只有0.34%，進一步提高升壓電源模塊的效率。

（3）體積小

電源模塊一般封裝很小，需要的元器件也要盡量小體積，B2D10065QDFN8*8貼片封裝，在保證良好散熱的情況下，減小體積以及布線面積，保證了電源模塊的小型化。

（4）可靠性高

電源模塊作為一個系統的“動力之源”，是電子產品最核心的部件，所以對可靠性要求更高。B2D10065Q可以在-55℃~175℃，滿足電源模塊高溫工作環境要求。

（5）兼容性強

B2D10065Q可替代完美英飛凌的IDL10G65C5、意法半導體的STPSC10065DLF以及安森美的FFSM1065A。

綜上，基本半導體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q，具備耐壓高、損耗小、體積小、可靠性高的特點，能夠滿足28V升壓到380V的電源模塊設計需要。

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