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光學(xué)輪廓儀可以測(cè)什么數(shù)據(jù)?

中圖儀器 ? 2022-09-05 14:58 ? 次閱讀

以白光干涉技術(shù)為原理的光學(xué)輪廓儀能夠以優(yōu)于納米級(jí)的分辨率,非接觸測(cè)量樣品表面形貌的光學(xué)測(cè)量?jī)x器,用于表面形貌紋理,微觀結(jié)構(gòu)分析,用于測(cè)試各類表面并自動(dòng)聚焦測(cè)量工件獲取2D,3D表面粗糙度、輪廓等一百余項(xiàng)參數(shù),廣泛應(yīng)用于光學(xué),半導(dǎo)體,材料,精密機(jī)械等領(lǐng)域。

SuperViewW1光學(xué)輪廓儀除用于測(cè)量表面形貌或測(cè)量表面輪廓外,具有的測(cè)量晶圓翹曲度功能,非常適合晶圓,太陽(yáng)能電池和玻璃面板的翹曲度測(cè)量、應(yīng)變測(cè)量以及表面形貌測(cè)量。它所具有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力在于接觸式和光學(xué)三維輪廓儀的結(jié)合。通過(guò)利用接觸式及非接觸式雙模式基于技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)獲得獲得全面的表面特性。既可以用于科學(xué)研究,也可以用于工業(yè)產(chǎn)品的檢測(cè)。

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如我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)特別是芯片的研發(fā)和制造方面,與國(guó)外的高端制造還有很大的差距。目前我們能夠成熟掌握的技術(shù)雖然可以做到大批量產(chǎn)28nm工藝的芯片;小批量生產(chǎn)14nm工藝芯片,但良率不高。

其中在芯片封裝測(cè)試流程中,晶圓減薄和晶圓切割工藝需要測(cè)量晶圓膜厚、粗糙度、平整度(翹曲),晶圓切割槽深、槽寬、崩邊形貌等參數(shù)。

SuperViewW1光學(xué)3D表面輪廓儀的X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm,滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動(dòng)化檢測(cè)、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺(tái)階高等微納米級(jí)別精度的測(cè)量。而型號(hào)為SuperViewW1-Pro 的光學(xué)3D表面輪廓儀相比 W1增大了測(cè)量范圍,可完全覆蓋8英寸及以下晶圓,定制版真空吸附盤,穩(wěn)定固定Wafer;氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計(jì),隔離地面震動(dòng)與噪聲干擾。

poYBAGMVcBuAArJIAAELHKIa46g219.pngpYYBAGMVcBuATJPOAADebEmcFpg034.pngpYYBAGKHKPGAJuLlAANDDCh11kQ386.png對(duì)wafer減薄后無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量poYBAGKHKPiAJnLaAAIk5geqJhA032.png封裝制程中對(duì)Wafer的切割poYBAGKHKP-AdU__AAMTRRHaNMM661.png對(duì)Die的輪廓分析及蝕刻深度測(cè)量
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