Transphorm發布業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。 該器件已準備就緒，可將Transphorm的創新常關型氮化鎵平臺應用于新一代汽車和三相電力系統。 這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統、以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能，以及更為合理的成本。 Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實現了98.7%的效率，超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET。 產品優勢 創新的1200伏技術也展現了Transphorm在氮化鎵功率轉換方面的領先地位。垂直整合模式、自有外延片生產能力、以及專利工藝技術，再加上數十年的工程專業知識，使該公司能夠將性能最優異的氮化鎵器件組合推向市場，并且還在以下四個方面具有重大差異化優勢：可制造性、易驅動性、易設計和可靠性。 在5月9日至11日的PCIM2023展會上, Transphorm 也發表了關于1200伏器件的信息。 初步器件規格及樣品 Transphorm的1200伏技術以經過驗證的工藝和成熟的技術為基礎，滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工藝目前在LED市場上已批量生產。此外，1200伏技術充分利用了Transphorm當前器件組合中使用的性能優越、常關型的氮化鎵平臺。 TP120H070WS主要規格包括：
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內部阻值70毫歐
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常關型
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高效雙向導通
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最大值±20V柵極電壓
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4伏的柵極驅動低擾度
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零QRR反向恢復電荷
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3引腳TO-247封裝
我們是領先的功率半導體公司，展示并兌現了GaN的承諾。Transphorm的專業知識為市場帶來性能卓越的氮化鎵器件，這些器件時時刻刻在功率密度、性能和系統成本方面樹立新的標準。我們的1200伏技術證明了Transphorm工程團隊的創新愿景和決心。我們正在證明，氮化鎵可以輕松地在此前指定用碳化硅的應用市場中發揮作用。對于我們的業務和氮化鎵技術而言，開啟了廣泛的市場應用潛力。
——Transphorm首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra
?關于TransphormTransphorm是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1，000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC－Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99％、將功率密度提高40％以及將系統成本降低20％。更多詳情請訪問：http://www.transphormusa.com/。
關于加賀富儀艾電子（上海）有限公司加賀富儀艾電子（上海）有限公司原為富士通電子，其業務自2020年12月并入加賀集團，旨在為客戶提供更好的優質產品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司，負責統籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業務。
加賀富儀艾電子（上海）有限公司的主要銷售產品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務，專用標準產品（ASSPs），鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。更多詳情請訪問https://www.kagafei.com.cn。
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