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復(fù)位要求和復(fù)位電路

共有十四種類型的復(fù)位。這些復(fù)位在Arm Cortex-M4器件和Arm Cortex-M33器件之間略有不同。

表11. Arm Cortex-M4器件復(fù)位

表12. Arm Cortex-M33器件復(fù)位

6.1 引腳復(fù)位

當(dāng)RES#引腳電平被拉低時，所有處理都將中止，MCU進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。要在運(yùn)行中復(fù)位MCU，應(yīng)在指定的復(fù)位脈沖寬度內(nèi)將RES#保持為低電平。有關(guān)時序要求的更詳細(xì)信息，請參見《硬件用戶手冊》中“電氣特性”一章的“復(fù)位時序”部分。另請參見本系列文章的第2節(jié)“仿真器支持”，了解與調(diào)試支持相關(guān)的復(fù)位電路的詳細(xì)信息。

無需在RES#線路上使用外部電容，因?yàn)镻OR電路在內(nèi)部將其保持為低電平以實(shí)現(xiàn)良好的復(fù)位，并且需要最小的復(fù)位脈沖來啟動此過程。

6.2 上電復(fù)位

有兩種情況會產(chǎn)生上電復(fù)位 (POR)：

1

如果RES#引腳在接通電源后處于高電平狀態(tài)。

2

如果RES#引腳在V_CC低于V_POR時處于高電平狀態(tài)。

在V_CC超過上電復(fù)位電壓 (V_POR) 并經(jīng)過上電復(fù)位時間 (t_POR) 之后，芯片將從上電復(fù)位狀態(tài)釋放。上電復(fù)位時間是允許外部電源和MCU達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)的時間。有關(guān)電壓大小和時序的詳細(xì)信息，請參見《硬件用戶手冊》中“電氣特性”一章的“POR和LVD特性”部分。

由于POR電路依賴于RES#與V_CC同時為高電平，因此請勿在復(fù)位引腳上放置電容。這將減慢RES#相對于V_CC的上升時間，從而妨礙POR電路正確識別上電條件。

當(dāng)電源 (V_CC) 降至不超過V_POR時，如果RES#引腳為高電平，則會產(chǎn)生上電復(fù)位。在V_CC上升到V_POR以上并且經(jīng)過t_POR之后，芯片將從上電狀態(tài)釋放。

上電復(fù)位后，RSTSR0中的PORF位置1。引腳復(fù)位后，PORF清零。

6.3 獨(dú)立看門狗定時器復(fù)位

這是由獨(dú)立看門狗定時器 (IWDT) 產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。

當(dāng)IWDT下溢時，可以選擇產(chǎn)生獨(dú)立看門狗定時器復(fù)位（可以改為產(chǎn)生NMI），并且RSTSR1中的IWDTRF位置1。短暫延遲（通常為320μs）后，將退出IWDT復(fù)位。

6.4 看門狗定時器復(fù)位

這是看門狗定時器 (WDT) 產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。

當(dāng)WDT下溢時，可以選擇產(chǎn)生看門狗定時器復(fù)位（可以改為產(chǎn)生NMI），并且RSTSR1中的WDTRF位置1。短暫延遲（通常為320μs）后，將退出WDT復(fù)位。