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如果這些芯片可以說話:來自路徑裕量監(jiān)視器的可操作見解

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:synopsys ? 作者:synopsys ? 2023-05-24 16:32 ? 次閱讀
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當(dāng)前電子產(chǎn)品最重要的趨勢之一是收集和分析大數(shù)據(jù),以獲得成本、功耗、性能和可靠性方面的優(yōu)勢。這在芯片開發(fā)流程中變得越來越普遍。例如,從模擬回歸中收集的數(shù)據(jù)可以幫助調(diào)試和達(dá)到覆蓋率目標(biāo)。機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 使用許多通過實現(xiàn)(邏輯綜合和布局)工具的結(jié)果來優(yōu)化設(shè)計的功耗、性能和面積 (PPA) 特性。現(xiàn)在,在項目的硅前階段,數(shù)據(jù)在多個點被挖掘和利用,但直到最近,一旦芯片被制造出來,這個過程就停止了。隨著設(shè)計人員向硅添加結(jié)構(gòu),在芯片啟動、生產(chǎn)測試和現(xiàn)場最終產(chǎn)品中的部署期間提供反饋,這種情況正在迅速改變。

如果芯片會說話,他們能告訴制造它們的公司什么?首先,數(shù)據(jù)可能表明芯片可以在降低的電壓下運(yùn)行,同時仍能實現(xiàn)相同的性能。這具有明顯而有價值的好處。較低的電壓對硅的壓力較小,并可能延長產(chǎn)品壽命和可靠性。更少的電力意味著更低的使用最終產(chǎn)品的成本,減少發(fā)電和冷卻,并減少對環(huán)境的影響。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計中使用的動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié) (DVFS) 技術(shù)提供了更多節(jié)能機(jī)會。數(shù)據(jù)分析可以為如何改變電壓和時鐘速率以優(yōu)化生產(chǎn)使用中的性能和功耗提供有價值的指導(dǎo)。

來自現(xiàn)場的反饋可能會導(dǎo)致更好的測試模式,以提高制造質(zhì)量或更有效地分箱零件。來自現(xiàn)場和芯片測試的見解可能會帶來更好的故障預(yù)測和長期可靠性。這些數(shù)據(jù)可能會在開發(fā)流程中提供更遠(yuǎn)的好處,改進(jìn)未來幾代芯片的設(shè)計變體。來自許多芯片的參數(shù)化現(xiàn)場數(shù)據(jù)可實現(xiàn)更精確的電路模型,這些模型與實際硅更好地相關(guān)。芯片可以設(shè)計為具有更好的DVFS功能和PPA優(yōu)化。確實有很多機(jī)會使用芯片“傳達(dá)”的信息來學(xué)習(xí)和改進(jìn)。

如今,通過在制造芯片中加入路徑裕量監(jiān)控器(PMM)IP單元,可以獲得所有這些優(yōu)勢。PMM 單元在芯片以任務(wù)模式運(yùn)行時,以非侵入式方式提供硅狀態(tài)的細(xì)粒度可觀察性。它們測量實際功能路徑的延遲,而不會影響任務(wù)邏輯的操作。這使得它們與環(huán)形振蕩器和過程、電壓和溫度(PVT)監(jiān)測器完全互補(bǔ),后者測量環(huán)境參數(shù)與結(jié)構(gòu)參數(shù)。每個PMM單元選擇來自功能路徑的信號作為其輸入。從附近的信號集合中進(jìn)行選擇,可以在多個功能路徑之間共享一個PMM。這些路徑應(yīng)具有較高的切換速率,并且類似于關(guān)鍵路徑或包含易受時間推移而降級的設(shè)備。所選信號被鎖存到陰影觸發(fā)器中,并通過一系列延遲元件饋送。

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在延遲鏈的每個階段,將路徑裕量與陰影觸發(fā)器進(jìn)行比較。經(jīng)過一系列比較后,可以通過檢測捕獲觸發(fā)器的故障點來確定裕量。從芯片上的許多路徑收集測量值,可以全面了解時序裕量。由于局部熱點,芯片的不同區(qū)域可能表現(xiàn)不同,并且由于電壓和溫度變化,單個路徑的測量值可能會隨著時間的推移而變化。許多芯片的測量顯示了工藝變化的影響。所有這些不同的數(shù)據(jù)都必須在現(xiàn)場收集,在某種中央樞紐中收集,并進(jìn)行智能分析,以獲得前面提到的那種見解和優(yōu)化。將路徑裕量數(shù)據(jù)與其他類別的傳感器(如環(huán)境或功能傳感器)相結(jié)合,可以打開一個用例領(lǐng)域。

Synopsys SiliconMAX 硅生命周期管理 (SLM) 平臺具備提供 PMM 解決方案的所有功能。其中包括 SiliconMAX 路徑裕量監(jiān)控 IP,用于測量測試或現(xiàn)場真實路徑的時序裕量,以及 Synopsys SiliconDash,用于在云中執(zhí)行分析并根據(jù)收集的數(shù)據(jù)提供見解。該解決方案提供了多種功能,可自動使用 PMM IP,并將其用于芯片開發(fā)、測試和現(xiàn)場。在PMM插入過程中,PMM單元被系統(tǒng)地放置在芯片上,以精細(xì)的物理分辨率精確捕獲硅的狀態(tài)。該流程還插入了一個 PMM 控制器來管理多組 PMM 單元的配置和數(shù)據(jù)收集,并為配置和結(jié)果添加內(nèi)部存儲器存儲。控制器具有掃描鏈橋、用于芯片測試期間訪問的 IEEE 1500 接口和用于現(xiàn)場訪問的 APB 接口。

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對芯片內(nèi)的運(yùn)營利潤有更大的可見性和洞察力,這有巨大的好處。在先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點上,設(shè)備之間和模具之間的工藝差異增加。此外,隨著導(dǎo)線電阻晶體管特性隨著時間的推移而變化,老化正成為一個主要的可靠性問題。深入了解硅是監(jiān)控和跟蹤技術(shù)和老化對時序裕量影響的唯一方法。路徑裕量監(jiān)控方法是一種成熟的方法,可根據(jù)實際可用裕量最大限度地提高性能和功耗。

審核編輯:郭婷

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