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【行業資訊】長電科技Chiplet系列工藝實現量產

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2023-04-28 17:45 ? 次閱讀

來源:《半導體芯科技》雜志

長電科技宣布,公司XDFOI?Chiplet高密度多維異構集成系列工藝已按計劃進入穩定量產階段,同步實現國際客戶4nm節點多芯片系統集成封裝產品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統級封裝。

隨著近年來高性能計算、人工智能5G、汽車、云端等應用的蓬勃發展,要求芯片成品制造工藝持續革新以彌補摩爾定律的放緩,先進封裝技術變得越來越重要。應市場發展之需,長電科技于2021年7月正式推出面向Chiplet(小芯片)的高密度多維異構集成技術平臺XDFOI?,利用協同設計理念實現了芯片成品集成與測試一體化,涵蓋2D、2.5D、3D Chiplet集成技術。

經過持續研發與客戶產品驗證,長電科技XDFOI?不斷取得突破,可有效解決后摩爾時代客戶芯片成品制造的痛點,通過小芯片異構集成技術,在有機重布線堆疊中介層(RDL Stack Interposer,RSI)上,放置一顆或多顆邏輯芯片(CPU/GPU等),以及I/O Chiplet和/或高帶寬內存芯片(HBM)等,形成一顆高集成度的異構封裝體。一方面可將高密度fcBGA基板進行“瘦身”,將部分布線層轉移至有機重布線堆疊中介層基板上,利用有機重布線堆疊中介層最小線寬線距2μm及多層再布線的優勢,縮小芯片互連間距,實現更加高效、更為靈活的系統集成;

另一方面,也可將部分SoC上互連轉移到有機重布線堆疊中介層,從而得以實現以Chiplet為基礎的架構創新,而最終達到性能和成本的雙重優勢。

目前,長電科技XDFOI ?技術可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內,微凸點(μBump)中心距為40μm,實現在更薄和更小單位面積內進行高密度的各種工藝集成,達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時,還可以在封裝體背面進行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時,根據設計需要增強封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。

長電科技充分發揮XDFOI ? Chiplet高密度多維異構集成系列工藝的技術優勢,已在高性能計算、人工智能、5G、汽車電子等領域應用,向客戶提供了外型更輕薄、數據傳輸速率更快、功率損耗更小的芯片成品制造解決方案,滿足日益增長的終端市場需求。

蘇州會議

雅時國際(ACT International)將于2023年5月,在蘇州組織舉辦主題為“2023-半導體先進技術創新發展和機遇大會”。會議包括兩個專題:半導體制造與封裝、化合物半導體先進技術及應用。分別以“CHIP China晶芯研討會”和“化合物半導體先進技術及應用大會”兩場論壇的形式同時進行。詳情點擊鏈接查看:https://w.lwc.cn/s/7jmaMn

審核編輯黃宇

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