介紹一種RC延時(shí)放電電路及問題分析。

需求： 28V供電后，延時(shí)400ms~600ms，對(duì)負(fù)載（等效5Ω）輸出不小于22uF/10V等效能量。

利用RC電路產(chǎn)生延時(shí)，利用穩(wěn)壓二極管抬高導(dǎo)通電壓，利用MOS管作為開關(guān)管控制電容對(duì)負(fù)載放電，能夠迅速設(shè)計(jì)出如下圖電路。

但是，通過仿真發(fā)現(xiàn)，由于RC電路緩慢充電，在MOS的截止區(qū)和飽和區(qū)之間，產(chǎn)生了較長(zhǎng)時(shí)間的可變電阻區(qū)，如下圖。

由于可變電阻區(qū)的存在，使電容不能完全對(duì)負(fù)載放電，最終放電曲線如下圖。

為了加快電容放電，要盡量減少M(fèi)OS管可變電阻區(qū)存在時(shí)間，使MOS管快速導(dǎo)通。為此，對(duì)電路進(jìn)行改進(jìn)，在RC電路于MOS管間加入可控硅，利用可控硅的流控和快速開啟特性，使MOS快速導(dǎo)通，改進(jìn)電路如下圖。

對(duì)改進(jìn)電路進(jìn)行仿真，應(yīng)該可滿足要求了。