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I/O端口的ESD保護

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-03-28 10:51 ? 次閱讀

本應用筆記描述了ESD如何威脅電子系統(tǒng)、造成的損壞類型、ESD的產(chǎn)生方式、使用的測試方法和波形、用于測試的人體和機器模型、IEC合規(guī)性水平、接觸和空氣放電。本文介紹了保護方法,詳細介紹了Maxim的ESD保護方法。給出了選擇具有高ESD電阻的IC的指南。RS-232 I/O 端口是專門考慮的。

當有人更換電纜甚至觸摸I / O端口時,靜電放電(ESD)可能會威脅到電子系統(tǒng)。伴隨這些常規(guī)事件的放電可能會破壞端口的一個或多個接口 IC,從而禁用端口(圖 1)。此類故障也可能代價高昂——它們提高了保修維修的成本,同時降低了產(chǎn)品的感知質(zhì)量。

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圖1.ESD保護不足的IC容易發(fā)生災難性故障,包括鈍化破裂、電熱遷移、鋁濺射、觸點尖峰和介電故障。

ESD還有另一種造成麻煩的方式。制造商可能很快就會被禁止向歐洲共同體銷售產(chǎn)品,除非他們的設(shè)備達到最低水平的ESD性能。這兩個因素,加上計算機和計算機相關(guān)設(shè)備之間的電氣通信量不斷增加,強調(diào)了工程師了解ESD的必要性。

要正確理解ESD,不僅需要了解所涉及的電壓電平,還需要了解電壓和電流波形、IC保護結(jié)構(gòu)、測試方法和應用電路。以下各節(jié)將討論這些事項。

靜電放電生成

當兩種不同的材料聚集在一起,轉(zhuǎn)移電荷并分開,在它們之間產(chǎn)生電壓時,就會出現(xiàn)靜電荷。例如,在帶有皮革鞋底的地毯上行走會產(chǎn)生高達25kV的電壓。感應靜電電壓的水平取決于地毯和鞋皮之間的相對電荷親和力、濕度和其他因素。

摩擦電系列(表1)描述了各種材料之間的這種電荷親和力。當列表中的任何兩個項目接觸時,就會發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。系列中較高的材料獲得正電荷,而系列中較低的材料獲得負電荷。1對于列表中相距較遠的項目,凈電荷和產(chǎn)生的靜電電壓更大。

表 1.摩擦電系列

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靜電測試方法

測試集成電路的ESD敏感性通常有兩種方法。最古老的MIL-STD-883方法3015.7是為了幫助理解封裝和處理IC所需的預防措施而開發(fā)的。該方法針對其他引腳組測試每個封裝引腳,并根據(jù)發(fā)生故障的最低電壓對器件進行分類。

本測試中施加的信號是從稱為人體模型(圖2)的電路得出的電流波形,該電路模擬人體的典型電容和源阻抗。(電路布局至關(guān)重要,因為IC上傳輸?shù)膶嶋H波形還取決于與測試連接和印刷電路板相關(guān)的寄生電感和電容。由此產(chǎn)生的電流波形表示人接觸物體(例如IC)時發(fā)生的ESD。

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圖2.如圖所示,替換不同的組件值會產(chǎn)生稱為人體模型、機器模型和 IEC 1000-4-2 模型(人體手持金屬物體)的放電電路。

另一種方法與上述方法的區(qū)別僅在于R和C的值,由日本電子工業(yè)協(xié)會(EIAJ)開發(fā)。它被稱為IC-121,基于稱為機器模型(圖2)的電路,它施加類似于IC與其處理機械接觸時產(chǎn)生的電流波形。通過模擬積聚在運動部件上的電荷引起的ESD事件,波形模擬機器裝配過程中看到的靜電放電。

這兩種方法是互補的,因此您不應該選擇其中一種。由于ESD會在制造過程中、印刷電路板組裝過程中以及最終產(chǎn)品投入使用后影響IC,因此基于人體模型和機器模型的測試可以充分保證IC對制造和插入的嚴格要求。

一些IC的引腳通過連接器暴露在外界,即使安裝在外殼內(nèi)的印刷電路板上,也可能遇到ESD。對于連接到電路板電路的其他引腳,ESD暴露的可能性較小。對于這類IC,方法3015.7(測試引腳組合)等測試方法不能充分表示輸入/輸出(I/O)引腳的ESD敏感性。

兩者都根據(jù)任何引腳方法的最低電壓故障提供額定值,這種方法可能無法滿足I/O引腳(某些制造商提供)所需的更高水平的內(nèi)部ESD保護。例如,器件可能具有可承受 ±15kV 的 I/O 引腳,以及±2kV 時失效的非 I/O 引腳。使用上述方法,器件的ESD額定值將小于±2kV。不過,幸運的是,現(xiàn)在有更好的測試方法可用于評估I/O引腳。

針對 I/O 端口的新 ESD 測試

I/O 端口允許與其他設(shè)備通信。IC 的 I/O 端口由邏輯引腳組組成,用于訪問包含 IC 的系統(tǒng)外部的設(shè)備。當操作員從系統(tǒng)中連接和斷開電纜時,這些引腳會受到靜電放電和其他濫用。對于RS-232或RS-485接口IC的I/O引腳,ESD敏感性的理想測試方法應:

僅以模擬實際設(shè)備中ESD事件暴露的方式測試I/O引腳。

應用模擬人體產(chǎn)生的靜電放電的測試波形。不同的電路型號指定不同的幅度、上升/下降時間和傳輸功率值。

在接通和不通電的情況下測試IC。

定義IC故障以包括閂鎖(瞬間失控)以及災難性或參數(shù)故障。閂鎖被認為是一種故障機制,因為如果不被發(fā)現(xiàn),可能會導致可靠性問題和系統(tǒng)故障。

設(shè)備制造商越來越多地使用兩種方法(均符合所列要求)來測試I/O端口的ESD敏感性。第一個是對方法 3015.7 MIL-STD-883 的修改。它使用與原始方法相同的電路模型和波形,但僅將ESD脈沖應用于器件的I/O引腳。其目的是模擬安裝在電路板上并在目標系統(tǒng)中運行的IC看到的故障電流。波形(圖3)由圖2的測試電路使用與方法3015.7中最初指定的相同元件值生成。

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圖3.該ESD波形的參數(shù)(上升時間、峰值電流、振鈴和衰減時間)在MIL-STD-883方法3015.7中指定。

與原始方法3015.7一樣,修改后的方法僅定義了ESD波形和故障標準:暴露于波形后,故障IC必須出現(xiàn)閂鎖或不符合一個或多個數(shù)據(jù)手冊規(guī)格。修改后的方法在測試期間沒有規(guī)定IC的特定工作模式,但Maxim建議執(zhí)行所有可能的模式:電源開/關(guān)、發(fā)送器輸出高/低、待機/正常工作等。

同樣,修改后的方法3015.7不會強制產(chǎn)品承受特定水平的ESD;它只定義了保護等級。然而,Maxim的新型收發(fā)器通常提供±15kV的保護等級(表2和表3)。此級別允許一些用戶消除昂貴的 TransZorbs?;和其他外部保護電路

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IEC 1000-4-2 型號

測試包含I/O引腳的IC的第二種更嚴格的方法是IEC 1000-4-2。該設(shè)備級測試由國際電工委員會開發(fā)。最初打算作為在歐洲銷售的設(shè)備驗收條件,它在美國和日本也迅速被接受為標準ESD標準。雖然最初不是作為IC規(guī)范,但現(xiàn)在它作為IC的ESD測試具有額外的作用。與對 3015.7 的修改一樣,它只測試 I/O 引腳。

IEC 1000-4-2的模型也是圖2所示的電路,但元件值不同。電阻R2(330Ω)代表人拿著螺絲刀或其他金屬物體,C1(150pF)代表人體電容的另一種估計值。該電路產(chǎn)生的電流波形(圖4)的上升時間比方法3015.7產(chǎn)生的電流波形更陡峭。

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圖4.此ESD波形的參數(shù)(上升時間、峰值電流、30ns幅度和60ns幅度)由IEC 1000-4-2規(guī)定。

IEC 1000-4-2 規(guī)定了通過接觸放電和空氣放電進行 ESD 測試。實際接觸引起的ESD事件更可重復,但不太真實,空氣放電更真實,但波形形狀差異很大——取決于溫度、濕度、氣壓、IC和電極之間的距離以及接近IC引腳的速率的變化。(這種形狀的變化會對測得的ESD容差水平產(chǎn)生重大影響。

IEC 1000-4-2根據(jù)I/O引腳承受的最低最大電壓定義了四個一致性級別(表4)。該表定義了接觸放電和空氣放電的這些水平。

表 4.IEC 1000-4-2 合規(guī)等級

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接觸還是空氣放電?

根據(jù)IEC 1000-4-2測試IC的ESD耐用性需要使用ESD“槍”,該噴槍允許使用接觸放電或空氣放電進行測試。接觸放電要求噴槍和I/O引腳之間有物理接觸,然后才能通過噴槍內(nèi)部的開關(guān)施加測試電壓。空氣放電要求噴槍在接近 I/O 引腳之前(從垂直方向盡快)用測試電壓充電。第二種技術(shù)在距離測試單元的某個臨界距離處產(chǎn)生火花。

空氣放電產(chǎn)生的ESD類似于實際的ESD事件。但是,與實際的ESD一樣,空氣放電的種類并不容易復制。它取決于許多不容易控制的變量。因此,為了證明重復性在測試中的普遍重要性,IEC 1000-4-2建議接觸放電,而修改后的3015.7方法僅要求接觸放電。在任何一種情況下,測試程序都要求在每個測試級別至少放電 10 次。

剛才討論的兩個ESD標準(改進的3015.7方法和IEC 1000-4-2的空氣或接觸放電版本)之間的主要區(qū)別在于它們在被測器件中產(chǎn)生的峰值電流。不同的元件值會導致這些峰值電流相差大于5的系數(shù)(表1000)。由于峰值電流會產(chǎn)生IC必須耗散的不需要的功率,因此IEC 4-2-<>通常是要求更高的ESD測試方法。

表 5.ESD 電流與模型和施加電壓的關(guān)系

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高電流會以多種方式損壞 IC:

局部供暖過度

熔化硅

尖峰結(jié),由將鋁溶解在硅中的短路引起(圖 5)

損壞的金屬線

由于電壓過高而導致柵極氧化故障

電熱遷移導致的晶體管損壞(圖 6)

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圖5.IC中的高ESD電流可以通過將鋁觸點部分溶解在硅中來“尖峰”結(jié),從而導致下面的層永久短路。

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圖6.IC中的電熱遷移(ETM)可能會在發(fā)生ESD事件時為損壞奠定基礎(chǔ)。由此產(chǎn)生的高電流和高電壓會導致晶體管端子之間的短路或低阻抗路徑。

保護方法

為了防止ESD,設(shè)計人員可以在外部添加保護,也可以選擇內(nèi)置高保護級別的IC。保護電路包括金屬氧化物壓敏電阻和硅雪崩抑制器,如TransZorb。這些設(shè)備有效但價格昂貴(硅雪崩保護器每條生產(chǎn)線的成本高達0.30美元)。外部ESD保護還會消耗寶貴的電路板面積,并增加I/O線路的電容。

為了克服這些限制,制造商一再提高其IC的ESD保護水平。例如,Maxim現(xiàn)在為RS-15 IC提供±232kV保護,無論是根據(jù)IEC 1000-4-2還是人體模型進行測試。

Maxim的ESD保護方法

ESD電流波形的特點是上升時間極快,因此其通過IC的進度受到電路分布寄生阻抗的強烈影響。因此,注意外部布局將確保IC的內(nèi)部保護網(wǎng)絡(luò)具有最佳性能。Maxim建議對其接口IC采用以下做法:

遵循標準的模擬布局技術(shù),將所有旁路和電荷泵電容盡可能靠近IC放置。

在印刷電路板上包括一個接地層。

將走線電感和電容降至最低。

將 IC 放置在盡可能靠近 I/O 端口的位置。

為了表征RS-232收發(fā)器或其他接口IC在存在ESD時的可靠性,Maxim建議使用改進的3015.7方法和IEC 1000-4-2型號,每種情況下都遵循類似的程序:以200V的增量逐步穿過指定的ESD范圍,在每個電平上,每個極性電壓對器件進行10次打擊, 大約每秒一次。

由于這些測試的目的是評估安裝在終端設(shè)備中的IC的ESD性能,因此測試設(shè)置應使ESD電流沿著與該設(shè)備中相同的路徑流動。應針對IC的接地引腳進行Zaps。(如IEC 1000-4-2中所述,電路接地通常連接到設(shè)備機箱。Maxim推薦使用Schaffner Instruments(瑞士)的NSG 435型ESD噴槍用于IEC 1000-4-2方法,并推薦IMCS(Oryx Technology Corporation,加利福尼亞州弗里蒙特的一個部門)的4000型ESD測試儀用于改進的3015.7方法。

您應該通過在每個 zap 之后監(jiān)視三個參數(shù)來檢查故障。首先,電源電流應保持恒定(增加可能表示閂鎖或內(nèi)部損壞)。其次,變送器輸出電壓應繼續(xù)滿足RS-5傳輸?shù)淖畹汀?32V電平。第三,接收器輸入電阻應保持在3kΩ至7kΩ之間(理想情況下,應保持在該范圍內(nèi)的恒定水平)。請務必在所有模式下對設(shè)備進行 zap 和測試:正常運行、關(guān)機、關(guān)機、發(fā)射器高/低等。

高抗ESDIC的選擇指南

在選擇必須承受高水平ESD的IC(特別是RS-232收發(fā)器)之前,需要解決以下一些問題:

IC保證承受什么級別的ESD電壓,該水平是通過什么測試方法建立的?不同的測試方法產(chǎn)生不同的額定電壓。目前,推薦的方法包括IEC 1000-4-2和修改后的3015.7方法。

ESD會導致IC閂鎖嗎? 閂鎖是一個關(guān)鍵問題。如果ESD導致電路閂鎖,IC可能會停止工作。由此產(chǎn)生的電源電流(高達1A)可能會損壞IC。

IC的ESD保護是否會影響正常工作?如果設(shè)計不當,正常運行可能會導致內(nèi)部保護結(jié)構(gòu)閂鎖。

使用IC時必須遵守特殊預防措施嗎?雙極IC可能需要昂貴的低ESR電容或具有低交流阻抗的接地層。最好在一開始就了解這些要求。

IC的最大額定壓擺率是多少?由于其ESD保護結(jié)構(gòu)而易受閂鎖影響的IC,可能會指定異常低的最大壓擺率,以避免觸發(fā)閂鎖條件。

IC如何響應覆蓋保證電壓保護的整個范圍的ESD測試?ESD保護結(jié)構(gòu)的觸發(fā)機制可以在不同的電壓范圍內(nèi)啟動,使打開的“窗口”沒有保護。(例如,這樣的設(shè)備可以承受±10kV,但在±5kV時失效。Maxim建議ESD測試以200V為增量覆蓋整個范圍。

審核編輯:郭婷

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