靜電釋放導(dǎo)致的失效主要表現(xiàn)為
即時(shí)失效與延時(shí)失效兩種模式。
即時(shí)失效
即時(shí)失效又稱突發(fā)失效,指的是元器件受到靜電放電損傷后,突然完全或部分喪失其規(guī)定的功能。一般較容易通過(guò)功能檢測(cè)發(fā)現(xiàn)。
延時(shí)失效
延時(shí)失效又稱潛在失效,指靜電放電能量較低,或放電回路有限流電阻,僅造成輕微損傷,器件電參數(shù)可能仍然合格或略有變化。
一般不容易通過(guò)功能檢測(cè)發(fā)現(xiàn),而且失效后很難通過(guò)技術(shù)手段確認(rèn)。
典型案例
#案例1
失效圖示
試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)
結(jié)論
不良發(fā)生位置集中于CF表偏貼合端子部的左邊,距離離子棒約50cm。因距離過(guò)大,離子棒對(duì)此位置的除靜電能力有弱化。
#案例2
失效圖示
試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)
結(jié)論
經(jīng)過(guò)靜電耐圧試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),樣品1在兩種破壞類型中,情況分別為:
1.機(jī)器模型:使用2-3kV ESD痕跡發(fā)生;
2.人體模型:使用3-4kV ESD痕跡發(fā)生;
樣品2在兩種破壞類型中,情況分別為:
1.機(jī)器模型:使用12-14kV ESD痕跡發(fā)生;
2.人體模型:使用24-28kV ESD痕跡發(fā)生。
案例分享
EOS
過(guò)電壓,過(guò)電流,
過(guò)功率,過(guò)電燒毀
失效表現(xiàn)
EOS的碳化面積較大,一般過(guò)功率燒毀會(huì)出現(xiàn)原始損傷點(diǎn)且由這點(diǎn)有向四周輻射的裂紋,且多發(fā)于器件引腳位置。
典型案例
失效圖示
說(shuō)明: 空洞異常處有因局部受熱造成的表面樹(shù)脂碳化現(xiàn)象,周邊樹(shù)脂出現(xiàn)裂紋。
試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)
驗(yàn)證方法:使用正常樣品在兩個(gè)引腳上分別接入12V電源正負(fù)極進(jìn)行復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。
結(jié)論
接上12.0V電源瞬間,兩電極之間有被燒壞的聲音,電流瞬間升高,電壓下降。兩引腳之間阻抗測(cè)試顯示為OL,說(shuō)明二者之間經(jīng)過(guò)反接12V電壓被大電流瞬間擊穿斷開(kāi)。
#案例2
TVS管失效分析
失效圖示
說(shuō)明:樣品開(kāi)封發(fā)現(xiàn)樣品晶圓位置均發(fā)現(xiàn)有燒傷痕跡,擊穿位置樹(shù)脂高溫碳化,為過(guò)流過(guò)壓導(dǎo)致。
試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)
TVS管擊穿FA分析圖
左右滑動(dòng)查看圖集
擊穿驗(yàn)證之后進(jìn)行開(kāi)封檢測(cè),發(fā)現(xiàn)復(fù)現(xiàn)樣品晶圓位置均發(fā)現(xiàn)有燒傷痕跡,與異常品失效發(fā)生類似。
結(jié)論
晶圓表面發(fā)現(xiàn)有過(guò)流過(guò)壓擊穿的痕跡,即樹(shù)脂高溫碳化;
DC直流電源加壓到18V,TVS管被擊穿短路,復(fù)現(xiàn)品晶圓位置失效與異常品類似。
9V樣品取下濾波電容,使其輸出不穩(wěn)定,TVS被擊穿,短路失效。
據(jù)此判斷,TVS管為過(guò)壓導(dǎo)致失效,樣品輸出不穩(wěn)定時(shí)有擊穿TVS管的可能。
審核編輯:劉清
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