ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開關,采用無引腳、表貼封裝。
該開關非常適合高功率和蜂窩基礎設施應用,如長期演進(LTE)基站。
ADRF5130具有43 dBm(典型值)高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm(典型值)輸入線性度三階交調截點和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(P0.1dB)。
片內電路在5 V單正電源電壓下工作,典型偏置電流為1 mA,使其成為基于引腳二極管開關的理想替代器件。
該器件采用符合RoHS標準的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
應用
蜂窩/4G基礎設施
無線基礎設施
軍事和高可靠性應用
測試設備
引腳二極管替代器件
審核編輯:劉清
-
二極管
+關注
關注
148文章
10037瀏覽量
170210 -
電源電壓
+關注
關注
3文章
1120瀏覽量
24582 -
SPDT開關
+關注
關注
0文章
28瀏覽量
9771 -
偏置電流
+關注
關注
1文章
129瀏覽量
13357
原文標題:ADRF5130BCPZ 44 W峰值、硅SPDT、反射式開關
文章出處:【微信號:兆億微波,微信公眾號:兆億微波】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
ADRF5130 0.7 GHz至3.5 GHz高功率、44 W峰值、硅SPDT、反射式開關

ADRF5130/ADRF5020硅開關產品系列新產品
ADRF5130和ADRF5020寬帶硅開關的性能分析
ADRF5300:評估ADRF5300,硅片,SPDT開關,反射式,24 GHz至32 GHz用戶指南1886

ADRF5130:大功率,44 W峰值,硅SPDT,反射式開關,0.7 GHz至3.5 GHz數據表

ADRF5301:硅SPDT開關,反射式,35 GHz至44 GHz初步數據表

ADRF5130 0.7GHz至3.5GHz高功率、44W峰值、硅SPDT、反射式開關技術手冊

評論