MicroVac卡盤(pán)專(zhuān)為正在測(cè)試高功率RF放大器（通常為HEMT器件，工作頻率高達(dá)60 GHz）的客戶(hù)而設(shè)計(jì)。這些高電子遷移率晶體管在III / V化合物半導(dǎo)體襯底（GaAs或GaN晶片）上制造，并且用于需要高功率信號(hào)傳輸?shù)纳虡I(yè)和軍事的各種無(wú)線通信產(chǎn)品中。

薄化的晶圓測(cè)試

這些高功率RF器件在測(cè)試和封裝之前需要晶圓減薄。減薄工藝去除器件下方的多余晶片襯底材料，其充當(dāng)熱絕緣體，捕獲熱量，導(dǎo)致低性能，損壞或破壞的器件。在薄化過(guò)程中，晶圓可以減薄到僅50-100微米，這可能導(dǎo)致翹曲，有時(shí)晶圓會(huì)破裂或破裂成部分晶圓。

稀釋設(shè)備的測(cè)試問(wèn)題

在將器件切割并組裝到封裝/散熱器中之前，通常在探針臺(tái)晶片夾盤(pán)上利用變薄的晶片執(zhí)行電測(cè)試。當(dāng)薄的晶圓位于卡盤(pán)上時(shí)，由于以下原因，在整個(gè)薄的晶圓接觸區(qū)域上均勻地保持真空是至關(guān)重要的：

減少墊損壞/慢速測(cè)試。晶片上的不均勻真空壓緊導(dǎo)致翹曲晶片具有不同的測(cè)試墊高度（PP~50-100μm）。焊盤(pán)上的探針觸地有時(shí)會(huì)因過(guò)度過(guò)載而導(dǎo)致焊盤(pán)損壞。為了補(bǔ)償Z高度變化，必須進(jìn)行耗時(shí)的晶片分析，這會(huì)增加測(cè)試時(shí)間。

盡量減少設(shè)備損壞。晶片上的不均勻真空使得一些區(qū)域?qū)τ诳ūP(pán)具有低導(dǎo)熱性，因此當(dāng)對(duì)該裝置進(jìn)行電測(cè)試時(shí)，該裝置可能過(guò)熱，并且被損壞或破壞。

獲得最高精度/設(shè)備產(chǎn)量。與上面的第二個(gè)類(lèi)似，晶片上的非均勻真空壓緊導(dǎo)致不均勻的散熱，這可能限制器件的最大性能。這不僅會(huì)產(chǎn)生不準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，而且還可以通過(guò)不正確的裝箱設(shè)備來(lái)降低晶圓產(chǎn)量，因?yàn)槠湫阅艿陀诜庋b時(shí)的實(shí)際性能。

MicroVac技術(shù)提高產(chǎn)量

獲得專(zhuān)利的MicroVac卡盤(pán)技術(shù)可在整個(gè)晶圓表面提供均勻的真空。改進(jìn)的真空設(shè)計(jì)可最大限度地減少泄漏并提供恒定的真空 – 從而實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)上可獲得的最佳薄晶片下拉性能。對(duì)于減薄的晶片表面，可以在任何晶片位置實(shí)現(xiàn)均勻的探針超程，從而產(chǎn)生可重復(fù)的接觸和測(cè)量結(jié)果。

此外，專(zhuān)用的真空設(shè)計(jì)可以輕松快速地拉下厚度翹曲的晶圓，從而縮短獲得高精度數(shù)據(jù)的時(shí)間。晶圓可以變薄，變形或破裂。甚至部分晶片（不覆蓋所有卡盤(pán)真空孔）也均勻地保持真空，以實(shí)現(xiàn)對(duì)卡盤(pán)的最大設(shè)備導(dǎo)熱性和均勻的Z高度。

專(zhuān)利MicroVac卡盤(pán)的主要特點(diǎn)包括：

整個(gè)卡盤(pán)上有495個(gè)直徑為200μm的微孔

高流量?jī)?nèi)部真空通道設(shè)計(jì)

鍍金表面處理

五個(gè)用戶(hù)可選擇的真空區(qū)域

由此產(chǎn)生的客戶(hù)利益是什么？

準(zhǔn)確的測(cè)量用于橫向高功率RF器件

導(dǎo)熱系數(shù)均勻（更好的DUT統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)）

改進(jìn)了薄晶圓處理（統(tǒng)一超行）

最佳翹曲晶圓下拉（減少手動(dòng)調(diào)整）

在測(cè)試高性能薄型GaAs和GaN晶圓時(shí)，MicroVac技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最高精度的橫向RF功率器件性能和良率。

審核編輯 ：李倩