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晶能光電將發布全彩Micro LED模組,像素密度1000PPI

PKB2_Wit_Displa ? 來源:晶能光電、LEDinside ? 2023-02-21 10:53 ? 次閱讀

近日,央視《焦點訪談》欄目播出《強強聯合 補短“鍛”長》,聚焦國家石墨烯創新中心、國家虛擬現實創新中心和國家超高清視頻創新中心三大國家級創新中心。晶能光電作為國家虛擬現實創新中心的組建單位之一,接受了央視采訪。

晶能光電介紹,公司利用自主創新的硅襯底GaN基LED技術,承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發,為虛擬現實硬件——AR眼鏡提供高性能的Micro LED光源產品,助力超小輕薄AR眼鏡面市。

據悉,出于對硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產業應用前景的看好,晶能光電早在2018年便開始硅襯底Micro LED的研發工作,并取得不少突破。

2020年,晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術,目前仍在持續研發以提升InGaN紅光光效;2021年9月,晶能光電成功制備像素點間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍三基色Micro LED陣列。目前,像素點間距這一重要技術指標已縮至8微米。

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晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列(圖片來源:晶能光電)

據透露,晶能光電帶驅動的三基色Micro LED顯示模組將于今年晚些時候發布。隨著Micro LED技術及成本優勢的放大,有望加速其在大屏、近眼顯示、車載等領域的大規模商用。

審核編輯 :李倩

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原文標題:晶能光電將發布全彩Micro LED模組,像素密度1000PPI

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