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GTX314L,GTX312L觸摸芯片智能鎖設(shè)計(jì)建議

御風(fēng)傳感 ? 來源:御風(fēng)傳感 ? 作者:御風(fēng)傳感 ? 2023-02-21 09:29 ? 次閱讀

這份文檔是針對使用GTX314L,GTX312L芯片做智能鎖產(chǎn)品的時(shí)候的設(shè)計(jì)建議和注意事項(xiàng),根據(jù)項(xiàng)目形態(tài)不同會略有差異,可以根據(jù)客戶實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整。

硬件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):

1)VDD供電要穩(wěn)定,電池通過LDO后單獨(dú)拉線供電,建議不要和主控和其他芯片串在一起供電。

2)RIN 腳的電容掛10PF左右,智能鎖上現(xiàn)有客戶主要都是掛6.8PF和10PF為主。

3)芯片VDD電壓和外圍上拉的VDD要一致,不一致的時(shí)候和請單獨(dú)咨詢。

4)從芯片的SIN腳到按鍵焊盤的走線盡量短,SIN線和SIN線之間的間距越大越好,平行走線數(shù)量越少越好。

5)SIN線上的電阻靠近芯片,也可以根據(jù)版型情況去掉這個(gè)電阻。

6)SIN和RIN線的旁邊和底層不要有地,旁邊的地和底層的地要和SIN線的距離保持 0.5mm以上,越大越好,若是無法保證0.5mm以上間距的時(shí)候也可以縮短,請具體咨詢技術(shù)支持人員。

7)SIN線和天線的間距越大越好,SIN線和天線不管是在同一層或者不同層,平行走的距離越短越好,SIN線和天線在不同層之間可以交叉走線,SIN線和天線走線盡量不要重疊,稍微重疊一點(diǎn)沒關(guān)系,但不要完全重疊。

8)音頻線不要走芯片下面,晶振盡量不要放在芯片和按鍵焊盤背面。

軟件寄存器設(shè)置(電容式觸摸芯片-GTX314L為例)

本文檔中的寄存器設(shè)置針對普通的智能鎖設(shè)計(jì),針對干擾大,走線密的產(chǎn)品除了本文中涉及到的設(shè)置方法以外還有一些隱藏的寄存器設(shè)置,當(dāng)遇到這種特殊的情況的時(shí)候可以單獨(dú)技術(shù)咨詢。

邏輯順序:上電初始化->進(jìn)入待機(jī)設(shè)置->喚醒時(shí)重新進(jìn)行上電初始化

軟件寄存器設(shè)置(電容式觸摸芯片-GTX312L為例)

GTX312L芯片的軟件部分由于GTX314L芯片比GTX312芯片多了兩個(gè)按鍵,所以只需要上電初始化的時(shí)候通過加0x05寄存器寫0F來關(guān)閉兩個(gè)通道即可,其他都一樣。

用GTX312L芯片PIN TO PIN替換TSM12方法:

如果客戶原來使用的是TSM12芯片,當(dāng)替換成GTX312L的時(shí)候需要做如下改動:

1)原來TSM12原理圖中第15腳上的電阻換成5PF~10PF左右大小的電容。

2)原來TSM12原理圖中第16腳懸空處理。

3)如果客戶想改動小就按上面1和2項(xiàng)處理,如果客戶想進(jìn)一步節(jié)省成本的話,可以把其他腳上的器件全部拿到,但是I2C上的10K上拉要保留。

除了上述寄存器以外GTX314L和GTX312L芯片還提供了更多豐富內(nèi)容的寄存器,根據(jù)項(xiàng)目不同,可以通過上述內(nèi)容和一些隱藏寄存器解決各種干擾引起的問題,遇到這些技術(shù)問題請來電咨詢。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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