Bit 19:成組寫使能位
0:寫操作始終處于異步模式
1:寫操作為同步模式
Bit 14:EXTMOD:擴展模式使能(即允許讀和寫使用不同的時序)
0:不使用FSMC_BWTR寄存器(默認)
1:FSMC使用FSMC_BWTR寄存器
Bit 13:等待使能位
0:禁用NWAIT信號,在設(shè)置的閃存保持周期之后不會檢測NWAIT信號插入等待狀態(tài)
1:使用NWAIT信號,在設(shè)置的閃存保持周期之后根據(jù)NWAIT信號插入等待狀態(tài)(默認)
Bit 12:寫使能位
0:禁止FSMC對存儲器的寫操作,否則產(chǎn)生一個AHB錯誤
1:允許FSMC對存儲器的寫操作(默認)
Bit 11:配置等待時序
0:NWAIT信號在等待狀態(tài)前的一個數(shù)據(jù)周期有效(默認)
1:NWAIT信號在等待狀態(tài)期間有效(不適用于Cellular RAM)
Bit 10:支持非對齊的成組模式
0:不允許直接的非對齊成組操作(默認)
1:允許直接的非對齊成組操作
Bit 9:等待信號極性
0:NWAIT等待信號為低時有效(默認)
1:NWAIT等待信號為高時有效
Bit 8:成組模式使能
0:禁用成組訪問模式(默認)
1:使用成組訪問模式
Bit 6:閃存訪問使能
0:禁止對NOR閃存存儲器的訪問操作
1:允許對NOR閃存存儲器的訪問操作
Bit 5~Bit 4:存儲器數(shù)據(jù)總線寬度
00:8位,
01:16位(默認)
10:保留
11:保留
Bit 3~Bit 2:存儲器類型
00:SRAM、ROM(存儲器塊2,3,4在復位后的默認值)
01:PSRAM(Cellular RAM: CRAM)
10:NOR閃存(存儲器塊1在復位后的默認值)
11:保留
Bit 1:地址/數(shù)據(jù)復用使能位
0:地址/數(shù)據(jù)不復用。
1:地址/數(shù)據(jù)復用數(shù)據(jù)總線(默認)
Bit 0:存儲器塊使能位
0:禁用對應(yīng)的存儲器塊
1:啟用對應(yīng)的存儲器塊
(2)SRAM/NOR 閃存片選時序寄存器:FSMC_BTRx(x=1~4)
31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
- | ACCMOD | DATLAT | CLKDIV | BUSTURN | |||||||||||
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
DATAST | ADDHLD | ADDSET |
Bit 29~Bit 28:訪問模式(這2位只在FSMC_BCRx寄存器的EXTMOD位為1時起作用)
00:訪問模式A
01:訪問模式B
10:訪問模式C
11:訪問模式D
Bit 27~Bit 24:數(shù)據(jù)保持時間
0000:第一個數(shù)據(jù)的保持時間為2個CLK時鐘周期
……
1111:第一個數(shù)據(jù)的保持時間為17個CLK時鐘周期(默認)
Bit 23~Bit 20:時鐘分頻比
0000:保留
0001:1個CLK周期=2個HCLK周期
0010:1個CLK周期=3個HCLK周期
……
1111:1個CLK周期=16個HCLK周期(默認)
Bit 19~Bit 16:總線恢復時間
0000:總線恢復時間=1個HCLK時鐘周期
……
1111:總線恢復時間=16個HCLK時鐘周期(默認)
Bit 15~Bit 8:數(shù)據(jù)保持時間
00000000:保留
00000001:DATAST保持時間=2個HCLK時鐘周期
00000010:DATAST保持時間=3個HCLK時鐘周期
……
11111111:DATAST保持時間=256個HCLK時鐘周期(默認)
Bit 7~Bit 4:地址保持時間
0000:ADDHLD保持時間=1個HCLK時鐘周期
……
1111:ADDHLD保持時間=16個HCLK時鐘周期(默認)
Bit 3~Bit 0:地址建立時間
0000:ADDSET建立時間=1個HCLK時鐘周期
……
1111:ADDSET建立時間=16個HCLK時鐘周期(默認)
-
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