本文幫助準備與Maxim非易失性SRAM(NVSRAM)配合使用的系統存儲器時序。
Maxim的NVSRAM模塊采用Maxim非易失性控制器、低功耗CMOS靜態RAM存儲器元件和紐扣鋰電池。在正常工作條件下,讀或寫操作在功能上與獨立SRAM相同。使用并行I/O結構,用戶可以輕松地將數據存儲到地址總線寬度定義的任何內存位置或從中獲取數據。后續內存周期可以在此位置或任何其他位置以所需的任何順序發生,沒有占空比或寫入周期計數限制。
圖1.典型的NVSRAM電路。
如果系統電源高于指定的寫保護電壓(V衛生紙),三個控制輸入引腳(/CE、/WE和/OE)定義了要執行的存儲器操作,如表1所示。寫入命令優先于讀取命令。最大電流消耗(I抄送) 在產品數據表的直流電氣特性表中指定每種狀態。
V抄送 | /CE有效 | /WE | /OE有效 | 地址總線 | DQ總線 | 功能 | 我抄送 |
< V衛生紙 | x | x | x | x | 高阻抗 | 寫保護 | 不適用 |
> V衛生紙 | 1 | x | x | x | 高阻抗 | 待機 | 我CCS1或我CCS2 |
0 | 1 | 1 | 穩定 | 高阻抗 | 讀 | 我CCO1 | |
0 | 1 | 0 | 穩定 | 輸出數據 | 讀 | 我CCO1 | |
0 | 0 | x | 穩定 | 輸入數據 | 寫 | 我CCO1 | |
x = 不在乎 我CCS1或我CCS2取決于輸入電壓電平(VIH/V伊利諾伊州) 使用。 |
穩健功能操作的建議規則
必須始終將三個主要規則應用于任何有效的內存操作:
V抄送必須大于指定的寫保護電壓(V衛生紙) 在整個活動內存周期中。
地址總線在整個活動內存周期中必須穩定。
活動內存周期的周期時間 (t鋼筋混凝土或 t廁所) 應達到或超過數據手冊中列出的最小指定時間。
了解時序圖
重要的是要記住,數據手冊的時序圖通常只顯示描述中的一條數據線或地址線。實際上,您至少提供了八條數據線和十幾條地址線,這些數據線可能在系統板上具有不同的信號路徑長度,并且每個信號可能具有不同的負載特性。使用純靜態存儲器時,到達器件輸入引腳的最后一個地址和/或數據信號是唯一真正重要的地址和/或數據信號。在此存儲器操作結束時更改的第一個地址和/或數據信號也是唯一真正重要的地址和/或數據信號。因此,為了避免經典的計時比賽,請在計時定義中采取一些簡單的預防措施。
在定義系統存儲器時序時,同樣重要的是要記住,SRAM的作用類似于“深度鎖存器”。在啟用控制時鐘信號之前,您必須提供輸入(地址和數據)。這被定義為“設置時間”。您還必須保持該輸入條件(地址和數據),直到“鎖存”操作完成。這被定義為“保持時間”。保持時間可能因選擇哪個時鐘輸入作為控制信號而異。
寫入周期
如表1所示,當((/CE = 0)和(/WE = 0))時存在有效寫入。
要成功執行寫入操作,必須滿足以下條件:
必須在所選地址啟用設備最短時間(寫入周期)。
寫入功能必須啟用最短時間(寫入脈沖寬度)。
I/O 引腳(DQ0 到 DQ7)1) 必須在(數據設置)之前驅動到有效條件,并在(數據保持)終點之后保持穩定一段時間。
當有效寫入變為 TRUE 時,寫入周期開始。它是在地址引腳上顯示的地址處執行的。起點定義為/CE的較晚下降沿2或/WE3.
當有效寫入變為 FALSE 時,寫入周期結束。終點定義為/CE的較早上升沿2或/WE3.
請記住條件 #2,在有效寫入期間不允許更改地址。地址時序必須滿足相對于起點的地址設置時間要求,即/CE或/WE的后下降沿。所有地址行必須至少保持穩定,直到終點。
使用NVSRAM時,內部傳播延遲僅通過/CE路徑。如果使用/WE定義起點和/或終點,請遵循寫入周期1圖示數據手冊中的最小時序要求。如果使用/CE定義起點和/或終點,請遵循數據手冊中寫入周期2圖示中的最小時序要求。
還要記住,數字信號不會像時序圖中有時描述的那樣,從邏輯 0 瞬間跳到邏輯 1。在系統設計階段,輸入信號轉換時間可能難以預測,因為負載特性在很大程度上取決于PC板元件的放置、布線和材料。為了提高最終應用中的工作抗擾度,建議系統設置和保持時間延遲超過數據手冊的最小值。
讀取周期
如表1所示,當((/CE = 0)和(/WE = 1))時存在有效讀數,但除非/OE = 0,否則不會出現數據輸出。
要成功執行讀取操作,必須滿足以下條件:
必須在所選地址啟用設備最短時間(讀取周期)。
必須禁用寫入功能。
I/O 引腳(DQ0 到 DQ7)1) 必須在預期讀取訪問時間(/CE 至輸出有效)或之后的最短時間內(/OE 至輸出有效)門控。
當有效讀取變為 TRUE 時,讀取周期開始。它是在地址引腳上顯示的地址處執行的。如果/OE也為低電平,則I/O引腳變為低阻抗4.
當有效讀取變為 FALSE 時,讀取周期結束。如果/OE也為低電平,則I/O引腳變為高阻抗4.
在有效讀取期間,在預期讀取訪問時間(/CE至輸出有效)之后發生的任何地址更改都將終止此內存周期(條件#2)。當地址行再次穩定時,顯示的新地址將觸發“新”讀取周期的開始。來自第一個地址的數據在地址更改后的一段時間內在I/O引腳上保持有效(輸出保持)。來自“新”地址的數據將通過地址激活的訪問時間(訪問時間)顯示在I/O引腳上,從最后一個地址輸入變得穩定的點開始。
在有效讀取期間,在預期讀取訪問時間(/CE至輸出有效)之前發生的任何地址更改都會過早終止此內存周期。當地址行再次穩定時,顯示的新地址將觸發“新”讀取周期。來自第一個地址的數據不保證顯示在I/O引腳上。來自“新”地址的數據將通過地址激活的訪問時間(訪問時間)顯示在I/O引腳上,從最后一個地址輸入變得穩定的點開始。
I/O引腳僅在((有效讀取)和(/OE = 0))時驅動數據。這對于功耗可能很重要,因為降低器件占空比和延遲輸出門控可以降低元件的電流消耗。
審核編輯:郭婷
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