新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠、高能效的工作

2023年1月4日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工業(yè)應(yīng)用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管（NDSH25170A、NDSH10170A）讓設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)在高溫高壓下穩(wěn)定運(yùn)行、同時(shí)由SiC賦能高能效的設(shè)計(jì)。

安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說(shuō)：“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗，加強(qiáng)了我們EliteSiC系列產(chǎn)品在性能和品質(zhì)方面的高標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)也進(jìn)一步擴(kuò)大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力，安森美提供的技術(shù)和供貨保證可以滿足工業(yè)能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)提供商的需求?！?/p>

可再生能源應(yīng)用正不斷向更高的電壓發(fā)展，其中太陽(yáng)能系統(tǒng)正從1100 V向1500 V直流母線發(fā)展。為了支持這變革，客戶需要具有更高擊穿電壓（BV）值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V，適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，提供更高的系統(tǒng)可靠性。

在1200 V、40 A的測(cè)試條件下，1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達(dá)到領(lǐng)先市場(chǎng)的200 nC，而同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)器件的Qg近300 nC。低Qg對(duì)于在快速開(kāi)關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高能效至關(guān)重要。

在1700 V的額定擊穿電壓（BV）下，EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓（VRRM）和二極管的峰值重復(fù)反向電壓之間提供了更好的余量。新器件還具有出色的反向漏電流性能，其最大反向電流（IR）在25°C時(shí)僅為40μA，在175°C時(shí)為100 μA --明顯優(yōu)于在25°C時(shí)額定值通常為100 μA的競(jìng)爭(zhēng)器件。

欲了解關(guān)于安森美的EliteSiC方案的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)onsemi.cn或于美國(guó)時(shí)間1月5日至8日在美國(guó)內(nèi)華達(dá)州拉斯維加斯舉行的消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)蒞臨安森美展臺(tái)。

審核編輯黃昊宇