雙電源和單電源在使用上需要注意哪些方面？

取決于實(shí)際應(yīng)用需求。一般來(lái)說(shuō)，單電源運(yùn)算放大器是在0V（GND）基準(zhǔn)上施加VCC（VDD）使用，而雙電源運(yùn)算放大器則是在GND基準(zhǔn)上，在VCC處施加正電壓，在VEE處施加負(fù)電壓使用。如果輸入電壓沒有超過(guò)同相輸入電壓范圍，單電源/雙電源運(yùn)算放大器毫無(wú)區(qū)別，可以通過(guò)單電源/雙電源使用。請(qǐng)根據(jù)輸入輸出的動(dòng)態(tài)范圍（使用的電壓范圍）來(lái)選擇單電源/雙電源運(yùn)算放大器。

抗EMI性能出色靠的主要是哪些優(yōu)化措施？

ROHM的EMARMOUR系列產(chǎn)品抗EMI性能非常出色。主要是對(duì)以往的產(chǎn)品進(jìn)行了深入分析，除了添加噪聲控制電路并重新優(yōu)化布局之外，還選用了可產(chǎn)生理想寄生電容的工藝，從而大大提高了抗EMI性能。

應(yīng)力是否可以用特殊的封裝設(shè)計(jì)來(lái)削弱影響？

應(yīng)力越是到基板的角落越大，所以推薦在基板中央配置運(yùn)放。另外，封裝尺寸大的話比較難受到應(yīng)力的影響，需要精度的話選擇尺寸大的封裝也是有效的。

雙電源供電的放大器能不能用于單電源供電？

可以通過(guò)單電源使用雙電源運(yùn)算放大器，但是輸入電壓必須比VEE高1.5V以上，運(yùn)算放大器才能正常工作。

雙極型運(yùn)放的使用場(chǎng)合是哪些？與CMOS相比有哪些優(yōu)點(diǎn)？

CMOS運(yùn)算放大器具有極小輸入偏置電流（pA級(jí)）和低耗電量的特點(diǎn)。CMOS工藝的耐壓低，適于低電源電壓的應(yīng)用。雖然雙極型運(yùn)算放大器的輸入偏置電流、消耗電流比CMOS運(yùn)算放大器多，但其具有易于提高耐壓、低噪聲、低偏置、寬頻帶的特點(diǎn)。

在實(shí)際應(yīng)用中，運(yùn)放的輸入阻抗是不是不可能達(dá)到無(wú)窮大的？

是的。實(shí)際上，雙極運(yùn)算放大器的輸入阻抗為數(shù)百M(fèi)Ω～數(shù)GΩ，CMOS運(yùn)算放大器的輸入阻抗為數(shù)十GΩ～數(shù)TΩ。

運(yùn)放用作比較器和專門的比較器芯片，有哪些不同呢？該怎樣選擇？

運(yùn)放作為比較器使用時(shí)，由于內(nèi)置的相位補(bǔ)償電容器充放電，傳播延遲時(shí)間會(huì)大于比較器IC。請(qǐng)?jiān)趹?yīng)用中充分評(píng)估后再使用。尤其是低消耗電流類型，除了傳播延遲時(shí)間會(huì)進(jìn)一步延長(zhǎng)，還存在著因電源噪聲導(dǎo)致輸出容易發(fā)生誤動(dòng)作等問題，因此有時(shí)并不適合作為比較器使用。

比較器與運(yùn)放的區(qū)別是什么？

運(yùn)放和比較器的最大區(qū)別是有無(wú)相位補(bǔ)償電容。運(yùn)放在應(yīng)用時(shí)要構(gòu)成負(fù)反饋電路，為了確保系統(tǒng)穩(wěn)定需要加入相位補(bǔ)償電容。比較器沒有構(gòu)成負(fù)反饋電路，所以沒有相位補(bǔ)償電容，相位補(bǔ)償電容會(huì)限制輸入-輸出間的響應(yīng)時(shí)間，所以比較器與運(yùn)放相比響應(yīng)性更好。