星憶存儲為電子工業提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存儲器產品。專注于XRAM產品開發設計，提供低延時，低功耗和免刷新動態隨機存儲器產品致力于通過創新型存儲技術商業化、產業化的過程，帶動國產存儲芯片的底層技術攻關和相關科研工作，從而推動國家存儲芯片設計前端產業變革和更進一步的發展。星憶代理商英尚微電子介紹在STM32F4開發板STM32F4驅動外部SRAM芯片XM8A51216。

STM32F407ZGT6自帶了192K字節的SRAM，對一般應用來說，已經足夠了，不過在一些對內存要求高的場合，STM32F4自帶的這些內存就不夠用了。

比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用，所以STM32F4開發板板載了一顆1M字節容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿足大內存使用的需求。我們將使用STM32F4來驅動XM8A51216，實現對XM8A51216的訪問控制。

XM8A51216簡介

XM8A51216是星憶存儲科技公司生產的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節）容量的CMOS靜態內存芯片。該芯片具有如下幾個特點：

?高速。具有最高訪問速度10/12ns。

?低功耗。

?TTL電平兼容。

?全靜態操作。不需要刷新和時鐘電路。

?三態輸出。

?字節控制功能。支持高/低字節控制。

XM8A51216的功能框圖如圖1所示：

圖1 XM8A51216功能框圖

圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數據線，總共16根數據線。

CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節控制和低字節控制信號；STM32F4開發板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片，該芯片直接接在STM32F4的FSMC上，XM8A51216原理圖如圖2所示：

圖2 XM8A51216原理圖

從原理圖可以看出，XM8A51216同STM32F4的連接關系：

A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不過順序錯亂了）

D[0:15]接FSMC_D[0:15]

UB接FSMC_NBL1

LB接FSMC_NBL0

OE接FSMC_OE

WE接FSMC_WE

CS接FSMC_NE3

上面的連接關系，XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不過這并不影響我們正常使用外部SRAM，因為地址具有唯一性。

所以只要地址線不和數據線混淆，就可以正常使用外部SRAM。這樣設計的好處，就是可以方便我們的PCB布線。

審核編輯：劉清