對相同的二片ITO玻璃基片，同時進行嚴格的化學(xué)溶液清洗，再把其中一片置于光清洗工作室內(nèi)進行光清洗，然后把二片基片同時送入掃描俄歇微探針儀中進行分析。圖1為ITO玻璃基片光清前后的俄歇能譜分析曲線的對比圖。縱坐標(biāo)為元素能譜能量，橫坐標(biāo)為元素能譜位置，C元素能譜位置為271.5，從能譜圖上可知：圖1a未經(jīng)光清洗的ITO玻璃片的俄歇能譜曲線，我們可以看出對應(yīng)271.5能譜位置上能譜曲線有明顯的碳峰，而碳峰是表征碳氫化合物（有機污染物）存在與否的標(biāo)示；圖1b是經(jīng)光清洗后ITO玻璃的俄歇能譜曲線，此曲線上的碳峰消失了，這表明經(jīng)過光清洗后，ITO玻璃基片表面上的有機污染物已經(jīng)清除，達到了原子清潔度。

3.1.2與上述同一試驗，采用接觸角測試儀對ITO玻璃樣片進行光清洗試驗的檢測結(jié)果

本次接觸角測試是在普通工作間進行的，光清洗后的ITO玻璃在空氣中會受到二次污染。接觸角測試法是一種半定量檢測方法。從圖2可以看出光清洗后接觸角下降了24.23度,表明ITO玻璃表面的潔凈度大大提高了。

3.2對OLED用ITO玻璃光清洗前后進行檢測結(jié)果我們用GQX-WF02UV光清洗機在北京某公司OLED生產(chǎn)線，采用經(jīng)過化學(xué)清洗后的ITO玻璃進行了光清洗前后對比試驗，并送清華大學(xué)分析中心檢測，其俄歇能譜曲線如下：

3.3對半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)光清洗效果檢測結(jié)果我們采用由北京某公司提供的GaAs晶片,對經(jīng)過化學(xué)清洗后的GaAs晶片進行光清洗,其對比如下:

3.4對電子膜塊進行光清洗結(jié)果：2007年6月上海某航天研究所在使用GQX-WF03光清洗機對電子膜塊加工工藝后出具的使用反饋報告指出：關(guān)于光清洗效果的檢測方法較多，例如：水滴檢查法、水膜檢查法、水蒸氣檢查法、接觸角檢測法、掃描俄歇微探針儀和X射線光電子能譜儀檢測方法去檢查其清潔度。其中掃描俄歇微探針儀和X射線光電子能譜儀檢測方法是定量檢測，精度最高。

四、光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍

光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍十分廣泛，目前在現(xiàn)代信息技術(shù)行業(yè)中使用光清洗技術(shù)比較普遍，隨著我國工業(yè)現(xiàn)代化的發(fā)展，光清洗和光改質(zhì)技術(shù)還將逐步應(yīng)用于金屬、塑料、橡膠等工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域。

4.1在LCD、OLED生產(chǎn)中，在涂光刻膠、PI膠、定向膜、鉻膜、色膜前經(jīng)過光清洗，可以極大的提高基體表面潤濕性，增強基體表面的粘合力；

4.2印制電路板生產(chǎn)中，對銅底板，印刷底板進行光清洗和改質(zhì)，在導(dǎo)線焊接前進行光清洗，可以提高熔焊的接觸面積，大大增加連接強度。特別是高精度印制電路板，當(dāng)線距達到亞微米級時，光清洗可輕易地去除在線距之間很小的微粒，可以大大提高印制電路板的質(zhì)量。

4.3大規(guī)模集成電路的密度越來越高，晶格的微細化越來越密，要求表面的潔凈度越來越高，光清洗可以有效地實現(xiàn)表面的原子清潔度，而且對芯片表面不會造成損傷。

4.4在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，硅晶片涂保護膜、鋁蒸發(fā)膜前進行光清洗，可以提高粘合力，防止針孔、裂縫的發(fā)生。

4.5在光盤的生產(chǎn)中，沉積各種膜前作光清洗準(zhǔn)備，可以提高光盤的質(zhì)量。

4.6磁頭固定面的粘合，磁頭涂敷，以及提高金屬絲的連接強度，光清洗后效果更好。

4.7石英晶體振蕩器生產(chǎn)中，除去晶體檢測后涂層上的墨跡，晶體在銀蒸發(fā)沉積前，進行光清洗可以提高鍍膜質(zhì)量和產(chǎn)品性能。

4.8在IC卡表面插裝ROM前，經(jīng)過光清洗可提高產(chǎn)品質(zhì)量。

4.9彩色濾光片生產(chǎn)中，光清洗后能徹底洗凈表面的有機污染物。

4.10敷銅箔層壓板生產(chǎn)中，經(jīng)過光照改質(zhì)，不僅表面潔凈而且表面形成十分均勻的保護氧化層，產(chǎn)品質(zhì)量顯著提高。

4.11光學(xué)玻璃經(jīng)過紫外光清洗后，鍍膜質(zhì)量更好。

4.12樹脂透鏡光照后，能加強與防反射板的粘貼性。

4.13對清除石蠟、松香、油脂、人體體油、殘余的光刻膠、環(huán)氧樹脂、焊劑，以及帶有氧化膜的金屬表面處理，去除導(dǎo)電聚酰亞胺粘合劑上的有機污染物，光清洗是十分有效的方法。

審核編輯：湯梓紅