NP1207DR 12V p通道增強模式MOSFET
描述
NP1207DR采用先進的戰壕技術提供優良的RDS(ON)，低柵在極低電壓的情況下進行充電和操作1.8 v。該裝置適用于負載開關或在PWM應用中。
一般特征
?VDS = -12v, id = -7a
RDS(上)(Typ) = 25米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 34米Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關包
?DFN2 * 2-6L
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:
a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒
B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%
C.設計保證，不經生產檢驗
審核編輯：符乾江
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