今日,據(jù)媒體報(bào)道,三星的3nm制程芯片將在明天開始量產(chǎn)。
作為晶圓代工界常年第二的三星,一度被臺(tái)積電壓一頭,超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上,不僅要搶在臺(tái)積電前面完成3nm工藝的量產(chǎn),還要在3nm工藝的質(zhì)量上勝過臺(tái)積電。
據(jù)了解,三星3nm工藝將采用GAAFET全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于之前的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管更為先進(jìn),與7nm工藝相比,三星的3nm工藝將會(huì)降低50%功耗,提高35%性能,并且大小僅為7nm的55%,近期還有爆料稱,三星3nm工藝的良率遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。
而臺(tái)積電的3nm工藝雖然也是今年下半年量產(chǎn),但至今還未公布具體時(shí)間,而且臺(tái)積電3nm工藝依舊會(huì)采用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于三星的GAAFET全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管來說自然是落了下風(fēng),這次預(yù)計(jì)三星將成功實(shí)現(xiàn)彎道超車,在3nm工藝上領(lǐng)先于臺(tái)積電。
不過從之前的報(bào)道來看,臺(tái)積電貌似并不擔(dān)心三星在3nm工藝上將其超過,或許臺(tái)積電還有更深的底牌沒有拿出來。
綜合整理自 中關(guān)村在線 雷科技 快科技
審核編輯 黃昊宇
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5738瀏覽量
168858 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
232瀏覽量
14250 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1683瀏覽量
32323
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
評(píng)論