電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/章鷹)4月14日下午2點(diǎn)，臺(tái)積電2022年第一季度法說(shuō)會(huì)正式召開(kāi)。受益于芯片漲價(jià)效益，加上7nm、5nm等先進(jìn)制程持續(xù)放量，臺(tái)積電2022年第一季度營(yíng)收和增長(zhǎng)表現(xiàn)讓市場(chǎng)驚艷。臺(tái)積電2022年第一季度營(yíng)收達(dá)到175.7億美元，較去年同期增長(zhǎng)36%，比2021年第四季度增加11.6%。第一季度毛利率為55.6%，稅后純利潤(rùn)年增45.1%，達(dá)到2027.3億臺(tái)幣。營(yíng)收、毛利率皆超過(guò)年初的財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)目標(biāo)。

從芯片制程的營(yíng)收來(lái)分析，臺(tái)積電指出，第一季度7nm制程出貨營(yíng)收占比達(dá)30%，5nm制程出貨營(yíng)收占比達(dá)到20%，即先進(jìn)制程營(yíng)收占比達(dá)5成，28nm和16nm制程營(yíng)收占比分別達(dá)到11%和14%。 圖片來(lái)自臺(tái)積電PPT 從業(yè)務(wù)平臺(tái)來(lái)看，臺(tái)積電第一季度智能手機(jī)營(yíng)收占比40%，HPC(高效運(yùn)算)達(dá)到41%，物聯(lián)網(wǎng)8%，車(chē)用電子占比5%，消費(fèi)電子3%。值得注意的是車(chē)用電子和HPC營(yíng)收成長(zhǎng)強(qiáng)勁，分別季增都達(dá)到26%。 對(duì)于2022年第二季度的業(yè)績(jī)展望，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭表示，Q2營(yíng)收將落在176億美元到182億美元之間，較2022年首季增長(zhǎng)3.2%到6.7%之間。

臺(tái)積電3nm VS 三星3nm ，誰(shuí)能勝出?

臺(tái)積電和三星是目前僅有的兩家計(jì)劃使用 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)芯片的代工廠(chǎng)。臺(tái)積電計(jì)劃繼續(xù)將其 FinFET 晶體管用于 3nm，而三星計(jì)劃將其 GAA(Gate-all-around)架構(gòu)用于 3nm。據(jù)海外媒體報(bào)道，華爾街投行摩根斯坦利表示，臺(tái)積電正在將其增強(qiáng)型 3nm 工藝節(jié)點(diǎn) (N3e) 的生產(chǎn)計(jì)劃提前四分之一。

根據(jù)摩根斯坦利的報(bào)告，臺(tái)積電 N3e 工藝節(jié)點(diǎn)的邏輯密度比原來(lái)的 N3 減少了大約 8%，EUV 層數(shù)減少了四個(gè)。EUV 機(jī)器使用紫外線(xiàn)光束幫助在晶圓上創(chuàng)建電路圖案。將N3e模式的生產(chǎn)提前四分之一，對(duì)原有N3 3nm芯片的生產(chǎn)沒(méi)有影響。臺(tái)積電仍有望在今年第三季度開(kāi)始生產(chǎn) N3 芯片，并在 2023 年第一季度交付給客戶(hù)。

近日，臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》最新報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電的3nm工藝最近取得了重大突破，將于今年8月份在新竹12廠(chǎng)研發(fā)中心第八期工廠(chǎng)及南科18廠(chǎng)P5廠(chǎng)同步投片量產(chǎn)。正是以鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)架構(gòu)對(duì)決三星的環(huán)繞閘級(jí)(GAA)制程。現(xiàn)在8月份要量產(chǎn)的是N3B版，2023年還會(huì)有增強(qiáng)版的N3E工藝量產(chǎn)。

據(jù)悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產(chǎn)難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會(huì)比N3版本低大約8%，相比N5仍然會(huì)高60%。

在先進(jìn)制程競(jìng)賽上，臺(tái)積電的最大對(duì)手是韓國(guó)三星電子，三星在3nm工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)程不如預(yù)期，業(yè)內(nèi)人士曾表示其客戶(hù)少，IP不全是主要障礙，此前三星電子4nm制程工藝量產(chǎn)后，三星晶圓廠(chǎng)的 4nm 節(jié)點(diǎn)的芯片良率僅為 35%，而臺(tái)積電 4nm 節(jié)點(diǎn)的良率達(dá)到70%。令人失望的良率數(shù)字導(dǎo)致高通轉(zhuǎn)向，高通已經(jīng)把下一代芯片直接轉(zhuǎn)給臺(tái)積電。

臺(tái)積電3nm工藝8月份量產(chǎn)，我們估計(jì)今年第三季度發(fā)布蘋(píng)果新機(jī)A16芯片無(wú)法使用這個(gè)最新制程。臺(tái)積電3納米明年加速放量，業(yè)內(nèi)認(rèn)為主要有8家客戶(hù)。第一梯隊(duì)是主要應(yīng)對(duì)蘋(píng)果和英特爾，蘋(píng)果用于新款的手機(jī)處理器外，還包括應(yīng)用在平板和筆電等處理器;第二梯隊(duì)客戶(hù)是AMD和聯(lián)發(fā)科，第三梯隊(duì)是英偉達(dá)和高通。

盡管最近消費(fèi)電子景氣指數(shù)下降，海通國(guó)際證券指出，臺(tái)積電市場(chǎng)地位無(wú)法撼動(dòng)，尤其是在先進(jìn)制程，7nm、5nm和3nm上，未來(lái)，臺(tái)積電受產(chǎn)業(yè)下行的影響相對(duì)輕微。第一季度臺(tái)積電先進(jìn)制程營(yíng)收占比達(dá)到五成，投行摩根斯坦利也樂(lè)觀(guān)看待臺(tái)積電在3nm上的進(jìn)展，預(yù)測(cè)其在先進(jìn)制程市場(chǎng)占比還會(huì)進(jìn)一步提升。

原文標(biāo)題：碾壓三星!3納米工藝重大突破!臺(tái)積電8月投產(chǎn) Q1先進(jìn)制程營(yíng)收占五成

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審核編輯：湯梓紅