Nexperia發(fā)布增強(qiáng)型電熱模型

基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)。Nexperia 的新高級(jí)模型可在 -55 °C 至 175 °C 的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)捕獲整套設(shè)備參數(shù)的熱相關(guān)性。

這些高級(jí)模型中包含反向二極管恢復(fù)時(shí)間和設(shè)備電磁兼容性 （EMC） 性能，進(jìn)一步提高了整體精度。這些使工程師能夠創(chuàng)建準(zhǔn)確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在承諾構(gòu)建原型之前評(píng)估電氣、熱和 EMC 性能。這些模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，因?yàn)橐郧靶枰_保他們的設(shè)計(jì)可以在（不太可能的）最壞情況下運(yùn)行的工程師現(xiàn)在可以在特定溫度范圍內(nèi)模擬他們的設(shè)計(jì)。

Nexperia 與一家 1 級(jí) OEM 密切合作開發(fā)了這些模型，該 OEM 的要求無法滿足目前可用的任何其他設(shè)備。Nexperia 的應(yīng)用工程師 Andy Berry 表示：“這些新的先進(jìn)電熱模型旨在讓設(shè)計(jì)人員對其電路仿真結(jié)果充滿信心”。“模型在雙脈沖測試期間預(yù)測真實(shí)設(shè)備行為的準(zhǔn)確性證明了他們前所未有的精度水平。我們合作伙伴的初步反饋表明，這些模型是他們見過的最精確的模型。

羅姆開發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Co.， Ltd.，以下簡稱“羅姆”）針對日本國立研究開發(fā)法人新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（以下簡稱“NEDO”）公開征集的“綠色創(chuàng)新基金事業(yè)/新一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”項(xiàng)目的研發(fā)項(xiàng)目之一“新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)開發(fā)”，提出“8英寸新一代SiC MOSFET的開發(fā)”（以下簡稱“本項(xiàng)目”）方案，并成功入選。

“綠色創(chuàng)新基金”是2020年12月25日由日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省會(huì)同相關(guān)省廳制定的“2050年碳中和綠色增長戰(zhàn)略”中，為打造“經(jīng)濟(jì)增長與環(huán)境保護(hù)的良性循環(huán)”而設(shè)立的基金。

“新一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”項(xiàng)目的目標(biāo)是促進(jìn)實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)所不可或缺的數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的節(jié)能化和高性能化的研發(fā)和社會(huì)實(shí)際應(yīng)用。而本項(xiàng)目則旨在通過提高新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)能力，促進(jìn)其在電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備等各種設(shè)備和設(shè)施中的普及。

NVIDIA為 Maxine 添加回聲消除和基于 AI 的上采樣技術(shù)

NVIDIA Maxine 提供了 GPU 加速且支持 AI 軟件開發(fā)套件，可幫助開發(fā)者構(gòu)建可擴(kuò)展的低延遲音頻和視頻效果管線，提高通話質(zhì)量和用戶體驗(yàn)。

音頻超分辨率可使用基于 AI 的技術(shù)恢復(fù)較高頻段中丟失的能量，提高低帶寬音頻信號(hào)的質(zhì)量。Maxine 音頻超分辨率支持將音頻從 8 kHz（窄帶）到 16 kHz（寬帶）、從 16 kHz 到 48 kHz（超寬帶）以及從 8 kHz 到 48 kHz 的上采樣。較低的采樣率（例如 8 kHz）通常會(huì)導(dǎo)致聲音含糊不清，并會(huì)突出齒音等瑕疵，導(dǎo)致語音難以理解。

為了保持原始信號(hào)的保真度和清晰度，現(xiàn)代影視工作室通常使用 48 kHz（或更高）的采樣率錄制音頻。音頻超分辨率可幫助恢復(fù)時(shí)間久遠(yuǎn)的音頻錄音（例如源自磁帶或其他低帶寬介質(zhì)的音頻錄音）的保真度。