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恩智浦AirFast LDMOS技術助力蜂窩網絡向前發展

NXP客棧 ? 來源:NXP客棧 ? 作者:NXP客棧 ? 2022-02-28 14:22 ? 次閱讀

企業需要激流勇進才能在不斷變化的射頻市場保持領先地位,而這正是恩智浦之所長。我們利用生產技術打造競爭優勢,助力每一代蜂窩網絡的發展,并定期制定新的性能標準。

LDMOS技術就是一個典型的例子,它在近30年中一直保持著競爭優勢。目前,該技術賦能全球大多數移動通信語音和數據通信,即使在惡劣環境中也游刃有余。恩智浦預測未來的變化趨勢,不斷優化產品和服務,滿足新的移動通信要求。我們最新推出的AirFast LDMOS技術支持全球標準(包括LTE5G NR),助力蜂窩網絡向前發展。

安裝在城市基柱上的5G中繼器

LDMOS技術將繼續發展,繼續服務。LDMOS在移動通信、廣播和窄帶應用中仍然具有較高的功率效率和能效,但它已經發展成熟,功能即將達到上限。

氮化鎵(GaN)是一種比較新的技術,在未來的設計中具有巨大的發展潛力。GaN的表現已經輕松超過了LDMOS,并且隨著時間的推移將不斷擴展。5G基站要求較高,顯然,GaN是功率放大器(PA)的最佳選擇,而功率放大器是基站的基本組件。

PA挑戰

在蜂窩基站的信號鏈中,功率放大器(PA)位于發射器和天線之間。PA將來自發射器的低電平射頻信號功率提升至天線所需的水平。在理想情況下,PA能夠在不改變信號的情況下增強信號;但PA可能會增加信號失真,降低性能。

面向5G的PA需要滿足三個要求:將信號放大到比前幾代蜂窩網絡更高的頻率上,尺寸保持不變,還要降低能耗。

LDMOS長期以來一直是PA的首選技術,但它難以滿足5G的這三個要求。相反,GaN能夠應對這些挑戰,它支持更高的頻率,功耗更低,尺寸更小。

01更高的頻率

LDMOS在低頻率上性能最佳,特別是在3GHz以下的頻率上。在5G使用的更高頻率,GaN的效率更高。與同類LDMOS器件相比,GaN能夠以更小的尺寸處理更高的電壓,并且可以比普通芯片提供更大的毫米波頻率范圍。GaN已經用于微波傳輸,在接近新5G用例的毫米波頻譜區間運行。GaN還支持在3.7至4.2GHz的C波段頻譜上運行,該頻譜正在向5G蜂窩網開放。

02功耗更低

能效是功率放大器的關鍵問題。基站是蜂窩網絡中耗能最多的設備,而其中20%是由功率放大器消耗的。因此,即使小幅提高PA的能效也可以降低年度電費,并減少蜂窩通信的二氧化碳足跡。

更高的數據速率和帶寬會進一步增加功耗,因此每一代蜂窩網絡都需要更多的電力才能正常運行。5G尤為如此。ABI Research在2019年的報告中表明,標準4G LTE小區站點的耗電量在6kW到9kW之間,具體取決于流量水平(高流量時段耗電較多)。ABI預計,支持2G、3G和4G通信以及在700MHz至3.5GHz頻段上傳輸的5G通信數據的標準5G基站將平均耗電高達14kW,負載峰值期間耗電量甚至高達19kW。

除此之外,實現5G全覆蓋還需要部署更多的小蜂窩基站,因此支持5G所需的電量會進一步增加。

03尺寸更小

為了降低遷移到5G的成本效益,我們的目標是開發與現有4G解決方案尺寸相同的5G解決方案。由于我們的解決方案根據機柜的空間而設計,基站的許多原有設備均可以保留,因此可以簡化5G功能部署,降低影響。

采用緊湊的DFN 7mm x 6.5 mm包覆成型塑料封裝,可實現最佳熱性能

GaN可在高頻運行,功率密度和能效比LDMOS更高。然而,GaN采用的熱封裝可與LDMOS技術相媲美。此外,由于一臺GaN設備支持多個頻段,因此單個器件可以覆蓋更廣泛的用例,并降低部署的總成本。

加大面向5G的GaN技術投資

自2003年以來,我們一直參與GaN產品的研發,現在已有一套適合蜂窩基礎設施運營的全面產品組合。我們的48V GaN以較小的尺寸提供高功率密度,支持多頻段運行,具有高頻能力,能效也更高。我們的多功能器件A3G26D055N就是一個很好的例子。

A3G26D055N是一款GaN解決方案,具有優異的輸出,支持多個頻段,適用于多種不同的市場。

我們近期決定將GaN生產引入恩智浦,我們相信,這有助于我們在功率放大器領域繼續保持領先地位。我們在美國新建了先進的六英寸(150毫米)RF GaN晶圓廠,專為滿足5G需求而造。我們在亞利桑那州錢德勒的生產專家對GaN技術進行了優化,以滿足客戶需求,并簡化設計中射頻和數字控制模塊之間的交互。此外,錢德勒GaN工廠是目前美國唯一一家符合嚴格的汽車級質量標準的工廠,為5G部署提供了額外的保障。

恩智浦的GaN Fab無塵室展示了配備設備和排氣管的隔間

錢德勒GaN工廠繼續促進工廠和研發團隊之間的密切合作。這種合作有助于將我們的產品組合擴展到所有頻率和功率級別。精心規劃的升級和大規模部署將提高能效,擴大規模和降低成本,重點是提供線性化射頻性能。

我們在錢德勒工廠的種種舉措證明我們在努力踐行5G承諾,也表明我們繼續在射頻工藝技術領域保持領先地位。

如需了解更多有關恩智浦錢德勒GaN工廠和5G活動的信息,請訪問官網。

你可在恩智浦官網上查看恩智浦最新的RF射頻設計資源,同時恩智浦「RF產品選型助手」互動產品查閱指南也已經上線,客戶可查閱恩智浦Macro RRH、有源天線系統以及工業和消費電子產品組合。

本文作者

Megan Faust是恩智浦半導體射頻功率解決方案營銷團隊的戰術營銷人員。Megan Faust曾與恩智浦射頻移動通信基礎設施和多市場領域團隊合作。恩智浦RP應用包括SiGe、LDMOS和GaN射頻解決方案設計,適用于移動和通信基礎設施以及消費電子、工業和航空航天/國防領域。恩智浦射頻功率營銷團隊致力于使射頻更易于使用,為客戶提供支持,并應對新的細分市場中的問題。Megan負責射頻器件和評估板的物流、運營和分銷支持,同時支持恩智浦射頻功率的創新和市場開發。Megan獲得了亞利桑那州立大學(Arizona State University)的商業文學學士學位和應用商業數據分析認證

原文標題:新廠投產,新品迭出:恩智浦為5G中氮化鎵(GaN)的應用加油提速!

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