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西安紫光國芯SeDRAM?斬獲第十六屆“中國芯” 年度重大創新突破產品獎

? 來源:電子發燒友網 ? 作者:程文智 ? 2021-12-21 13:41 ? 次閱讀
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12月20日下午,2021年第十六屆“中國芯”集成電路產業促進大會暨“中國芯”優秀產品征集結果發布儀式在珠海開幕。本次大會由中國電子信息產業發展研究院、珠海市人民政府、橫琴粵澳深度合作區執行委員會主辦。本屆大會的主題是“鏈上中國芯 成就中國造”。

第十六屆“中國芯”優秀產品征集結果介紹及發布儀式是本屆大會的一大亮點。“中國芯”評選活動是國內集成電路領域最具影響力和權威性的行業會議之一,16年來持續鼓勵中國集成電路行業產品創新、技術創新和應用創新,推動國內集成電路企業實現關鍵技術的突破,并積極影響和帶動了中國半導體行業的整體發展。

本次“中國芯”評選活動共設置五大獎項,其中壓軸的“年度重大創新突破產品獎”主要授予本年度有重大技術創新,對我國集成電路產業發展具有重大意義的芯片產品,共有38家企業申報。最終,包括西安紫光國芯半導體有限公司(簡稱“西安紫光國芯”)在內的三家企業芯片從40款產品中突圍,成功斬獲含金量極高的“中國芯”年度重大創新突破產品獎,技術驅動國內集成電路行業的創新發展。
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“年度重大創新突破產品獎”頒獎儀式

SeDRAM?突破性能瓶頸

根據進一步了解,西安紫光國芯此次獲獎的異質集成嵌入式DRAM(SeDRAM?)可以突破馮?諾依曼架構的性能瓶頸,能夠滿足高性能計算、人工智能、近存計算、智能物聯網等應用場景對高帶寬、高容量內存的需求。
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西安紫光國芯SeDRAM?斬獲年度重大創新突破產品獎
西安紫光國芯的SeDRAM?技術采用納米級互連將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯,實現嵌入式存儲器的直接訪問;通過定制的DRAM設計支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時為不同的邏輯工藝提供標準化接口和測試IP,使SoC客戶能夠方便簡單地集成。

西安紫光國芯常務副總裁江喜平表示,“西安紫光國芯歷時七年研發的SeDRAM?技術和平臺,成功地實現了DRAM晶圓和SoC晶圓的異質集成,提供了業界領先的超大帶寬、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解決方案。獲此殊榮,是公司長期堅持技術創新取得的研究成果,也是業界同仁對公司創新能力、產業影響力的高度認可。未來,西安紫光國芯將繼續以創新為驅動力,持續深耕DRAM和SoC設計技術,為集成電路行業帶來更多有價值的創新應用,推動產業快速發展”。

基于SeDRAM?技術和平臺實現量產的芯片亮相大會展區

亮相本次大會展區的,還有基于SeDRAM?技術和平臺開發的超大帶寬、超大容量、超低功耗的大數據分析芯片和三維DRAM LPDDR4芯片。據了解,這些產品處于世界領先水平,并且實現了大規模量產和銷售。

西安紫光國芯展位現場
作為DRAM領域的先行者,西安紫光國芯勇于創新、專注硬科技,是以DRAM(動態隨機存取存儲器)存儲技術為核心的產品和服務提供商,擁有掌握存儲器和集成電路核心設計與測試技術的國際化團隊,以及世界領先水平的存儲器和SoC測試實驗室、模組應用實驗中心。公司產品持續量產銷售國內外,積累了良好的存儲器和SoC的設計、測試、規模生產及全球銷售等研發和產業化經驗。

基于SeDRAM?技術和平臺的多款產品和研究成果受到廣泛認可

依托開放式、定制化、平臺式的合作模式,西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發量產能力和SoC設計服務的能力,成功幫助有大帶寬、低功耗需求的客戶開發多款產品,其中幾款產品已經實現了大規模量產和銷售。

SeDRAM?技術和平臺
同時,SeDRAM?技術和平臺成功開發以來,基于該技術的多款產品和研究成果,已先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多個業界頂級期刊、會議上公開發表和作專題報告。其中一款產品的相關論文也被ISSCC 2022收錄,將于明年2月公開發表。

依托多年來在集成電路領域的前瞻性技術研發積淀,西安紫光國芯關鍵核心技術水平和綜合實力得到了權威機構和業界人士的一致認可。同時,公司專注創新、持續突破,以DRAM和SoC技術為核心,開發領先的集成電路產品,服務國內外客戶,在產業鏈協同和賦能產業生態建設方面均發揮了良好的示范作用。

著眼未來、前瞻布局,西安紫光國芯將以先進技術為支撐,積極引領中國集成電路產業發展實現新突破,助推科技發展。

公司簡介

西安紫光國芯半導體有限公司簡介

西安紫光國芯前身為成立于2004年德國英飛凌西安研發中心的存儲事業部,2006年分拆成為獨立的奇夢達科技西安有限公司,2009年被浪潮集團收購轉制成為國內公司并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年被紫光集團收購并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

公司是國家高新技術企業,并入選國家鼓勵重點集成電路設計企業清單,擁有掌握存儲器和集成電路核心設計與測試技術的國際化團隊,已經發展成為包括產品研發、規模量產和全球銷售的綜合性集成電路設計企業。

西安紫光國芯是以DRAM(動態隨機存取存儲器)存儲技術為核心的產品和服務提供商,核心業務包括存儲器設計開發,存儲器產品量產銷售,以及專用集成電路設計開發服務。產品包括DRAM KGD、DRAM顆粒、DRAM模組、系統產品和設計服務。公司自成立以來,一直專注于存儲器特別是DRAM存儲器的研發和技術積累,產品持續量產銷售到國內外,積累了良好的存儲器和SoC的設計、測試、規模生產及全球銷售等研發和產業化經驗。
一流的存儲和數字電路測試分析中心

西安紫光國芯擁有存儲器和SoC測試實驗室、應用實驗室、模組測試線和ASIC測試實驗室四個大型的存儲和數字電路分析中心。配備有存儲器產品量產測試(AdvantestT5503HS2/T5620/T5581H/T5571/T5585/T5593/T5833)設計驗證和分析測試(HSM3600/V93000)以及ASIC測試(Advantest 93k/TeradyneJ750/UF3000)等多種機臺以及配套測試測量設備。支持各類存儲器和邏輯產品,覆蓋晶圓、顆粒和模組等多種形態的功能和性能測試驗證分析、量產測試工程開發、應用工程測試、可靠性試驗,以及小批量試產和工程樣品。
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