Q1

一般塑封最小的die尺寸是多少呢？0.4mm*0.4mm這么小的可以封裝嗎？

A

可以做的。

Q2

PTC測試有誰了解嗎？實驗是否需要加壓？

A

需要加電壓，詳細測試條件可以參考：JESD22-A105。

Q3

3.3V的IO如果不小心上了5V的電壓去通信，對芯片可靠性上會不會有影響？主要是想評估下可靠性方面有沒有風(fēng)險？

A

先看看IO管腳耐壓規(guī)范。如果ATE電流限流很小，可以認為不受影響。尤其復(fù)測3.3v的電流和漏電沒什么變化，但是如果真的有變化，可以用HTOL來衡量。

Q4

DAF過期使用會有什么風(fēng)險？大家是否有l(wèi)esson learn？

A

下圖是簽核的藍膜過期風(fēng)險函，可以參考下。

Q5

做hast用的電容一般選擇哪類溫度系數(shù)的呢，X7R可以嗎？升壓或儲能要用到電容，貴又不好找，想看看大家的經(jīng)驗？

A

選X7R、X5R就可以，像C0G/NP0不同溫度下電容值穩(wěn)定性最好，缺點太貴，Z5U/Y5V系列就不要選了，不同溫度下，電容值差異太大；X7R、X5R性價比比較高，可以滿足對大部分商業(yè)用途。

若是溫度有限制，可以選擇X8R。X表示最低溫度-55， 8表示150℃，詳情可參考下圖，可以在紅框中選擇，容值大小要考慮極限值是否滿足你的需求，比如，130℃容值降低10%，誤差15%，都要考慮在內(nèi)。

Q6

車規(guī)主要五大指標(biāo)是什么？

A

（1） Long Lifetime 》=15 years ， Reliability test follow AEC_Q100；

（2） Low Defect rate： Zero defect；

（3） Strict Operation Environment Grade0~3 （-40℃~85/105/125/150℃）

（4） Function Safety ISO26262；

（5） Quality Control IATF16949/PPAP/APQP。

Q7

55℃/ 92%RH 16hr是什么測試？

A

從55℃的溫度看，不是標(biāo)準(zhǔn)IC的rel測試條件，應(yīng)該是模組或者其他成品的高溫高濕測試，比如有不耐更高溫度的塑料件。只含標(biāo)準(zhǔn)IC和基于PCB的模組可靠性實驗可以參考下圖。

從圖片上來看，像是類似模組產(chǎn)品出貨前的HASS測試（High Accelareted Stress Screen高加速應(yīng)力篩選）；產(chǎn)品上有對某種環(huán)境應(yīng)力敏感的缺陷，出貨前全部篩選測試一遍。HASS測試條件要根據(jù)之前對產(chǎn)品上該缺陷的HALT測試的結(jié)果來具體定義 （High Accelarated Limit Test高加速極限測試）。

Q8

打ESD 的時候一般怎么選擇機型，是根據(jù)測試項目區(qū)分是嗎？比如MK2 for HBM/LU等，CDMfor Orion2 HR等。還有一款是Thermo Keytek Zapmaster7/4，這個和MK2/MK4有什么區(qū)別嗎？

A

Zap master 是90年代的機臺了，對于現(xiàn)在的高階的制程測試ESD是有Bug，也就是尾波trailing pulse，會打死芯片。目前主流還是MK2/MK4，而MK2 和MK4測試項目能力上都是一樣的，HBM 都是可以到8000V，只不過MK4通道的數(shù)量上更多，可以提供的Power supply 更多，不超過768 Pin的IC 都是可以直接選MK2即可。

Q9

IC因為測試過壓導(dǎo)致有輕微損傷，具體表現(xiàn)是OS測試值比正常批次相比存在偏差，正常批次測OS電流為100uA，測到電壓0.5V左右，異常IC會在0.54V左右，但FT功能測試正常。對于這類暗傷對IC壽命的影響，有沒有一些數(shù)據(jù)或者經(jīng)驗。另外，是否可通過可靠性實驗驗證，具體做什么可靠性的驗證？

A

最好取邊緣值芯片做一下HTOL1000，或者拿直接失效芯片做一下物理分析，查明失效位置。那么出貨芯片同樣位置預(yù)期會出現(xiàn)類似問題。批次比較大的話直接做ELFR評估，把ppm先估算出來。

估算好ppm，客戶端出問題的話能不能接受這個ppm的失效。如果給客戶許諾的不良率能包的住，問題不大。

如果這個芯片正常3.0v～3.6v都能工作。受損的芯片有可能工作范圍縮小，比如要3.2v才能工作。這個已經(jīng)不是可靠性問題，可能性能已經(jīng)不滿足datasheet承諾的spec。從測試現(xiàn)象上看，OS測試電壓都偏高，二極管如果正向?qū)妷翰蛔?，但測得的整體電壓高了，可能主要是path上電阻增加了。比如說原來是0歐姆的，燒過后變成400歐姆，那抽100uA是就會壓降偏高0.04v。FT只是GoNoGo的測試，test coverage有限，特別是對這種異常情況，不能用來判斷芯片是好還是壞，要完整的判斷，需要去做char。

Q10

有個攝像頭模組的玻璃鏡片，需要檢測連接玻璃的膠水，膠水是環(huán)氧樹脂的，用X-RAY，照照不出來？

A

要看膠水的厚度，膠水薄了，需要高解析度的高頻探頭。10微米的厚度可能還可以抓出來，再薄就比較難了。

另外，也要看玻璃的厚度。如果玻璃太厚了，高頻探頭穿透能力會弱。

Q11

哪位幫忙解答下上面的加速因子怎么取值？

A

簡單的方法：你的芯片是在哪家foundry生產(chǎn)的，找對應(yīng)的CE去要；復(fù)雜一點的，可以自己設(shè)計一個實驗來測試。foundry通常也是通過device TDDB測試的結(jié)果做weibull分析得到電壓加速常數(shù)。

Q12

基板的芯片和框架的芯片做HAST環(huán)境會做區(qū)別嗎？

A

HAST就兩個標(biāo)準(zhǔn)。如果基板上的芯片如果是BGA封裝的話，hast選用的測試條件應(yīng)該只能是110攝氏度，85%RH，264h吧。這個在jesd47標(biāo)準(zhǔn)中有提到。

Q13

有用“半導(dǎo)體制冷”的小型設(shè)備給芯片做高低溫實驗的設(shè)備嗎？QFN 6×6 到 10 ×10的芯片，溫度可以到-40℃嗎？

A

主要是半導(dǎo)體是Top接觸式制冷，芯片底部是和板子連接，板子是常溫，所以封裝中的die是在top溫度和常溫之間一個溫度點上。

如果設(shè)定上面-70℃，可能能讓die達到-40℃。特別是QFN，底部有個很大的E-pad。接觸式溫控就是升溫和降溫快，但是違背了環(huán)境溫控的機理，只能是測試用，還有很多局限性。我們真實使用中，其實是環(huán)境的溫度影響，測試能用高低溫箱還是用高低溫箱，但就是慢，測幾顆的char還是可以的。

另外，不是說測-40℃，就是只要-40℃的能力，能力最好要到-70℃~-80℃。還有就是接觸面的改善，要水平，要有TIM材料（有一種軟金屬的材料），才能保證充分接觸。

Q14

客戶反饋有些電源的輸出真實電壓和設(shè)定的電壓不一樣，但是工程師一般注意不到這一點，以為設(shè)置多少電壓就是輸出多少電壓？

A

正常情況下電源的輸出就是設(shè)定的值。不正常的情況，不能把電源設(shè)備看作是100%可靠的設(shè)備。一方面不同家電源設(shè)備質(zhì)量不太一樣，另一方面，電源也是電子設(shè)備，也有穩(wěn)定期壽命。

季豐正在開發(fā)把MonitorMaster測試到的電壓電流連接到網(wǎng)絡(luò)上，這樣客戶可以通過網(wǎng)頁實時看到當(dāng)前的電壓電流，以及之前的電壓電流曲線和數(shù)據(jù)。

Q15

什么叫“乙二醇標(biāo)準(zhǔn)”？

A

按照國家最新發(fā)布的《工業(yè)用乙二醇》（GB/T4649-2018）的標(biāo)準(zhǔn)，乙二醇分為聚酯級和工業(yè)級兩種等級。這兩種級別的乙二醇最直接的區(qū)別就是聚酯級乙二醇含量≥99.9%，工業(yè)級乙二醇含量≥99%。

編輯：jq