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MOSFET將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。因為MOSFET器件是電壓控制型器件，在應用中容易控制，而且MOSFET工作頻率高，符合功率器件高頻化發(fā)展的需求。

時至今日，MOSFET已經(jīng)廣泛應用于中小功率場合如電腦功率電源、家用電器等，具有驅動功率小、電流關斷能力強、開關速度快損耗小且不存在二次擊穿的優(yōu)點。在廣大的中低壓應用當中無論是消費類電子還是家電，又或是嵌入式系統(tǒng)，MOSFET占據(jù)著巨大的市場份額。

上一期中提到，MOSFET的市場格局以歐美系和日系為主流，歐美系英飛凌與安森美穩(wěn)坐頭兩把交椅，日系瑞薩，東芝，羅姆緊隨其后。日系廠商和歐美廠商類似，都擁有先進的技術和生產(chǎn)制造工藝，在品質(zhì)管理上更是精益求精，同樣是全球功率半導體中高端MOSFET的主要提供方。

ROHM MOSFET系列

羅姆最重要的武器就是SiC，旗下的MOSFET的特點是低導通電阻和高速開關。ROHM MOSFET系列在全球都極具競爭力。目前，羅姆的MOSFET產(chǎn)品矩陣從小信號產(chǎn)品到800V高耐壓產(chǎn)品，提供各種電壓的產(chǎn)品陣容，適用于電源、電機等各種用途的產(chǎn)品系列一應俱全。

BSS138BKWT106是ROHM最新的采用了UMT3封裝的單N道60V MOSFET，主要應用于開關電路和低壓側負載開關、繼電器驅動器。

（BSS138BKWT106，ROHM）

BSS138BKWT106在轉換上是優(yōu)于同系列產(chǎn)品的，官方在描述上用了“very fast”來形容該器件在轉換上的性能，同時為該器件配置了超低壓的驅動，僅2.5V。BSS138BKWT106的RDS(on)的最大值為0.68Ω，而熱阻RthJA最小值僅為416℃/W。這個數(shù)值代表著該器件的熱性能極好。在超低壓驅動下，BSS138BKWT106能提供高達2kV的ESD保護。

ROHM額定電壓為600～800V的功率MOSFET產(chǎn)品采用了超級結技術。正是通過這項技術，ROHM旗下產(chǎn)品實現(xiàn)了高速開關和低導通電阻的性能，大大降低了應用的損失。這里選取ROHM PrestoMOS R6004JND3，R6004JND3是一種低導通電阻和快速開關的功率MOSFET系列產(chǎn)品，PrestoMOS系列內(nèi)置羅姆專利技術做成的快速二極管以此解決節(jié)能問題。

（R6004JND3，ROHM）

R6004JND3的載流能力在4A左右，最受關注的RDS(on)最大值也僅僅只有1.43Ω。可以說的確是做到了低導通。而因為內(nèi)置了專利快速二極管，該器件的能耗也非常低，額定工況下僅有60W。從數(shù)據(jù)看實實在在地做到了產(chǎn)品節(jié)能化。另外，該器件擁有快速反向恢復時間的特點。封裝上采用的TO252/也是常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。

RENESAS MOSFET系列

瑞薩電子其前身卻是赫赫有名的科技型企業(yè)日立制作所半導體部門和三菱電機半導體部門合并而成，業(yè)務覆蓋無線網(wǎng)絡、汽車、消費與工業(yè)市場等領域。作為日系半導體后繼者的瑞薩在MOSFET商業(yè)化上可靠性極高。

2SK1317，瑞薩高壓Nch MOSFET器件。除去低導通電阻和高速開關這兩個常見的特點，2SK1317還擁有高于同類產(chǎn)品的魯棒性。

（2SK1317，瑞薩）

2SK1317是應用于1500V高擊穿電壓的器件，在低電流下即可驅動。峰值電流可到7A。RDS(on)典型值為9Ω，最大值12Ω。在高壓下依然保持了較低的導通阻值。該器件在封裝工藝上采用的TO-3P，是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，在耐壓性、抗擊穿能力上都有很高的適應性。

瑞薩在封裝工藝上還有很多“絕活”。WPAK是瑞薩開發(fā)的一種高熱輻射封裝，通過封裝把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流同時減小布線電感。LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發(fā)的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。瑞薩的LFPAK-I封裝在散熱技術上可以說是散熱技術的代表技術之一了。不難看出在細節(jié)上日系企業(yè)還是很能下苦工的。

東芝MOSFET系列

東芝在分立半導體上一直野心滿滿。此前曾提出要在2021年在分立型半導體元件上的銷售額達到2000億日元。東芝的12V-300V MOSFET延續(xù)了每一代的溝道結構和制造工藝，穩(wěn)定降低低壓功率MOSFET的漏極-源極導通電阻RDS(ON)。400V-900V MOSFET則提供了超結MOSFET主攻高輸出應用，而對于低輸出應用，提供了D-MOS（雙擴散）MOSFET。

在12V-300V 范圍里，東芝的MOSFET提供高速、低漏源導通電阻特性和低尖峰型，具有優(yōu)化的緩沖電路吸收器常數(shù)。開關損耗和噪聲性能在東芝的系列產(chǎn)品上也做的很好。

TPH2R408QM是東芝采用最新一代工藝制造而成的80V U-MOSX-H系列產(chǎn)品。開關應用中的關鍵指數(shù)如RDS(ON)，以及RDS(ON)×Qg都在新一代工藝下有了長足的進步。

（U-MOSX-H，東芝）

TPH2R408QM的RDS(ON)導通電阻（典型值）為1.9mΩ，在這樣低的導通電阻下，該器件的總柵極電荷Qg也非常低，只有87nC。這得歸功于 U-MOSX-H系列采用的細間距技術，該技術優(yōu)化了單元結構。通過降低RDS(ON)、Qg，降低了主要損耗，提高設備的效率并且降低器件溫度。除此之外，新的結構工藝和封裝工藝下的TPH2R408QM擁有175℃超高的額定結溫。