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物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)板硬件電路設(shè)計的相關(guān)探討

電子工程師 ? 來源:張飛實戰(zhàn)電子 ? 作者:張角老師 ? 2021-08-27 10:47 ? 次閱讀

大家好,我們今天繼續(xù)物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)板硬件電路設(shè)計相關(guān)的探討。

我們先來看晶振這塊。首先,單片機是可以看成是一個高速數(shù)字電路的集合體,其中速度最快的部件就要算是中央處理器了,其余的外圍部件,比如PWM模塊、I2C模塊、SPI模塊等等速度相對慢一些。我們先看CPU,它自己需要進行計算,但是多長時間CPU及其相關(guān)寄存器的狀態(tài)改變一次,必須有一個時鐘信號進行配合。換句話說,晶振的頻率影響或者決定了CPU的動作周期。從另外一個層面來看,各個部件之間要協(xié)同工作,這肯定是需要同步的。這個同步的動作,肯定就需要時鐘的參與。

僅僅從上面兩個部分來看,單片機要想高效地完成編程者設(shè)定的任務(wù),時鐘信號是不可或缺的。目前單片機的時鐘信號的來源主要有兩類,一類是內(nèi)部的RC振蕩器,另一類是外部的晶振電路。內(nèi)部的RC振蕩器,頻率相對來說比較低,一個主要的原因是它受溫度的影響比較大。主要的原因就是RC振蕩器的外圍電路,其實還都是半導(dǎo)體器件組成,而偏偏半導(dǎo)體器件溫飄特性相對來說就是比較大。那么也就是RC振蕩電路的周期就不準(zhǔn)了,溫度高的時候和溫度低的時候,周期不一樣。所以有些朋友家里安裝的電子時鐘,相對來說,時間一長,就容易不準(zhǔn),其實很大一部分原因就是這個產(chǎn)品使用的芯片內(nèi)部的RC振蕩器。

但是有一個器件,能夠提供非常精準(zhǔn)的震蕩頻率,那就是石英晶體。石英晶體是一種具有壓電效應(yīng)的器件,在石英晶體兩個管腳添加上交變的電場時,它將會產(chǎn)生一定的機械變形,這種機械變形反過來又會產(chǎn)生交變電場。一般情況下,無論是機械震動的振幅,還是交變電場的振幅都非常小。但是,當(dāng)交變電場達到某一個特定值的時候,振幅陡然增大,產(chǎn)生共振。這個頻率,我們稱之為石英晶體的諧振頻率。

那么我們單片機配套的石英晶體振蕩器,具體是如何起振的呢?我們只有知曉了具體的起振過程,才有可能搞清楚設(shè)計上需要注意的地方。

我們單片機上的晶振電路,本質(zhì)上就是電容三點式震蕩電路的改進版。那么我們要講清楚單片機上的晶振電路,就要講清楚以下幾個問題。第一,什么是震蕩電路,震蕩電路起振需要滿足什么條件。第二,電容三點式震蕩電路怎么起振的,它怎么就滿足了震蕩條件了。第三,電容三點式振蕩電路的改進方向是什么,石英晶體震蕩器符合電容三點式振蕩器的改進方向么?第四,我們單片機內(nèi)部電容三點式震蕩電路一般是怎么實現(xiàn)的,我們設(shè)計晶振電路的時候有哪些需要注意的地方。在講解這些地方的時候,我們盡量減少公式的表達,更多的追求直觀的理解,畢竟我們的目的不是去設(shè)計單片機的晶振電路。

我們說正弦波震蕩電路起振的條件,主要是兩個條件,一個是必須要引入正反饋,也就是說反饋信號必須要能夠替代輸入信號;第二個要有外加的選頻網(wǎng)絡(luò),進而用來確定震蕩的頻率。我們下面來看一下,常見的電容三點式震蕩電路是什么樣子的。

如下圖所示,圖中的三極管T1是放大部分,對A點輸入的信號進行了放大。同時三極管的基極和射極信號是反向的,這個是三極管本身的特性導(dǎo)致的。如果對這個不熟悉的話,大家可以下去看看三極管的知識。那么三極管在這里也就是提供了兩個功能,一個是信號的幅值放大(當(dāng)然放大的倍數(shù)可以通過調(diào)整Rc和Re等進行調(diào)節(jié)),另一個功能提供了信號的相位的反相(圖中A點和B點信號)。

圖中黑色虛線中的部分,就是電容三點式振蕩器的選頻網(wǎng)絡(luò)。發(fā)生共振的時候,電感L1和電容C2、C3組成的LC網(wǎng)絡(luò),可以近似為阻抗無窮大,也就是說電感L1和電容C2、C3電流是環(huán)路電流。大家知道電容的特性,是不是電流相位超前電壓90度呀。我們把C2和C3的中間點接地,C點電壓超前B點90度,D點電壓又超前C點90度,那么D點電壓是不是超前B點180度呀。D點電壓超前B點180度,那是不是說D點的波形和B點是反向的呀。D點的波形和B點是反向的,B點的波形和A點是反向的,那么D點的波形和A點是不是就是同相的。那么這里是不是既有了正反饋,又有了選頻網(wǎng)絡(luò)。那么是不是就有可能滿足正弦波的震蕩條件呀,只要這個電路參數(shù)得當(dāng),那么就會產(chǎn)生正弦波。

這個電路的反饋系數(shù)F等于C2/C3, 電壓放大倍數(shù)A = β*RL’/rbe,其中RL’= Rc//(Ri/F^2)。

我們是正弦波要能夠起振,是不是 AF的值要大于1呀。如果我們通過調(diào)整C2/C3的值,就會出現(xiàn)一個相悖的結(jié)論,調(diào)大了F,結(jié)果A卻小了。那么A和F的乘積變化的趨勢反而不明朗了。實際實驗中,C2/C3的值既不能太大,也不能太小,具體指只能靠測試來設(shè)定。電容三點式震蕩電路,相對來說它的缺點也在于此,通過調(diào)節(jié)電容去調(diào)節(jié)頻率的話,會影響起振條件,但是通過調(diào)節(jié)電感辦法來調(diào)節(jié)震蕩頻率,實現(xiàn)上又會比較困難。

通過LC諧振點的公式來看,如果我們要想提高震蕩的頻率,只能是不斷減小C2、C3以及電感L。但是C2和C3減小到一定程度的時候,比如和電路的雜散電容一個級別的時候,我們就很難確定震蕩的頻率了,因為雜散電容的電容值幾乎很難確定。那么我們有沒有其他辦法來解決這個問題呢?如果我們把C2、C3電容的容值設(shè)定在遠(yuǎn)大于雜散電容,那么雜散電容對電路的影響是不是就可以忽略掉了,電路的震蕩頻率是不是就會相對來說非常穩(wěn)定。那么問題來了,震蕩的頻率如何提高呢?具體的措施,就是在電感上串聯(lián)一個小電容C,同時C<

分析完了電容三點式震蕩電路,那么我們看一下晶振怎么參與進來。因為我們前面已經(jīng)提到了,我們單片機電路的晶振模塊本質(zhì)上也是電容三點式震蕩電路。要看清楚這個問題,我們必須要了解晶振的高頻模型,看看晶振的物理特性到底是什么。

實際上,晶振的高頻等效模型如上圖所示。這里的L,可以等效為晶振的慣性,這個值大概是幾mH到幾十mH。電容C等效為晶振的彈性,這個電容比較小,容值大概在0.01pF到0.1pF。R等效為晶振的摩擦損耗,這個值大概在100R,當(dāng)然理想情況下這個值是零。電容C0等效為晶振的靜態(tài)電容,它的大小和晶振的幾何尺寸和極間面積有關(guān),一般是幾到幾十個pF。那么實際上,晶振是慣性和彈性的結(jié)合體。結(jié)合我們前面提到的電容三點式振蕩電路,我們更希望利用的其實是晶振的慣性部分,也就是電感部分對吧。在晶振組成的震蕩電路中,震蕩的穩(wěn)定性主要是靠晶振本身的高Q值來穩(wěn)定的,不是靠我們上面提到的那個思路,而且我們也不需要在外部震蕩處那么高的頻率,比如100Mhz的震蕩。一般情況下,我們使用的是12Mhz的無源晶振,單片機內(nèi)部的更高頻次的震蕩信號,是通過分頻器和鎖相環(huán)來實現(xiàn)的。

既然,我們使用的是晶振的慣性部分,那么我們就來分析一下,在什么頻率下晶振會更多的呈現(xiàn)慣性,也就是感性。

當(dāng)晶振的LCR電路發(fā)生諧振的時候,這個回路呈現(xiàn)純阻性,等效電阻為R。諧振頻率fs=1/(2πsqrt(LC))。當(dāng)f低于fs的時候,C0這里起到主導(dǎo)作用,晶振呈現(xiàn)容性。當(dāng)f大于fs的時候,LCR這條支路呈現(xiàn)感性。LCR這條支路將和C0發(fā)生并聯(lián)諧振,諧振的頻率fp = fs*sqrt(1+C/C0),這個具體的公式大家可以下去推導(dǎo)一下,我們這里就不再做更深入的介紹了。大家可以看一下,因為C遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于C0,所以fs和fp是不是無限接近呀。那么也就是說晶振只有在很窄的頻率范圍內(nèi),才會呈現(xiàn)感性。

回到我們前面提到的電容三點式震蕩電路,晶振只在一個很窄的范圍內(nèi)呈現(xiàn)感性,而且受溫度的影響比較小。那么是不是說用晶振組成的三點式震蕩電路,它的頻率會非常穩(wěn)定呀。具體電路設(shè)計如下圖所示。那這樣,我們使用晶振搭建的電容三點式震蕩電路就算完成了。

那么下一個任務(wù)就要回答,單片機中的晶振電路一般是如何實現(xiàn)的呢?

我們大體可以把這個反相器等效成一個三極管,外部晶振和電容組成的單元完成了選頻和信號的相移。反相器輸入端的信號是流經(jīng)R1的電壓信號和流經(jīng)R2的信號的疊加,R1和R2這里可以看成一個是正反饋電阻和一個正反饋電阻,這兩個電阻在這里應(yīng)該是起到限幅的作用的。有了正反饋,有了選頻網(wǎng)絡(luò),有了限幅模塊,那么我們的晶振電路是不是就可以輸出正弦波信號了呀。

上面我們花了較大篇幅講解了晶振的起振原理,那么了解這些東西對我們設(shè)計晶振模塊有什么指導(dǎo)意義呢?

比如有時候,我們這兩個電容不焊接,晶振也能起振。那這是為什么呢?通過我們前面的分析,晶振起振必須要有這兩個電容的參與是吧,要不然無法實現(xiàn)選頻和信號反向。但是這里究竟是為什么呢?主要的原因就是因為其實對于C1和C2來說,本身這兩個電容就很小,比如我們常用的一般是12pF,15pF等等。有時候,雜散電容就會接近這個級別。那么這個時候,晶振也會起振。但是大家注意呀,這種情況下,晶振起振只是特殊情況呀。我們不能通過這種方式去節(jié)省成本。

電容C1兩端的電壓對反相器的輸入起到比較重要的作用。如果C1過大,同樣的電流加在C1上的電壓信號是不成就變小了,這是不是相當(dāng)于反饋信號變?nèi)趿??其實這個對晶振起振是相當(dāng)不利的。反過來說,如果C1過小,它本身存儲的能量也就小,也就更容易受到外界的干擾。C2的作用和C1正好相反。那么在布板的時候,如果是雙面板,而且比較厚的話,分布電容影響還不大。如果是高密度多層板,那么就需要考慮分布電容的影響了。因此對于環(huán)境相對比較復(fù)雜的工控類的項目,建議最好不用使用無源晶體振蕩器,選擇有源的晶振就可以了。

責(zé)任編輯:haq

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原文標(biāo)題:ESP8266物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)板設(shè)計3 ——晶振起振原理

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