Q1:
為啥制造標(biāo)稱值和電路設(shè)計(jì)推薦值不一樣?
Answer:
制造標(biāo)稱值和電路設(shè)計(jì)推薦值不一致,可以參照下圖,“操作空間”在你的問題上可以理解為“制造空間”。
Q2:
這個(gè)圖中,引起EOS的原因大概率是什么?EOS會(huì)導(dǎo)致打線脫落嗎?圖中標(biāo)記的銀色部分是燒傷后導(dǎo)致的嗎?放大圖左邊PAD打線的左側(cè)是明顯的一個(gè)EOS痕跡嗎?去層的目的是定位是哪層metal的損傷位置嗎,來判定是哪個(gè)器件導(dǎo)致了電流過大或者電壓過大的損傷?
Answer:
導(dǎo)致EOS的可能原因:過電了,metal層燒傷了。EOS不會(huì)打線脫落。可以做下FIB和去層,找出失效點(diǎn)的位置。左邊PAD打線的左側(cè),那個(gè)黑點(diǎn)應(yīng)該是EOS點(diǎn)。
一般不會(huì),劇烈的爆炸是有可能的,當(dāng)然首先要排除封裝的問題。封裝問題需要借助SAT 和X-RAY來確認(rèn)。另外,從圖片來看PAD上脫線跟開蓋清洗也有一定關(guān)系。
Q3:
burn-in有無規(guī)范?一般是按什么條件做呢?
Answer:
可以參考MIL-STD-883 METHOD 1015.11 BURN-IN TEST和JESD22-A108。
Q4:
一般的UV膜的在真空包裝和氮?dú)夤竦膌ifetime分別是多少?會(huì)用什么材料?
Answer:
DAF的life time僅供參考,詳細(xì)參考下圖。這是epoxy film,下面粘的是UV膜。DAF是代替非導(dǎo)電膠,CDAF是代替導(dǎo)電膠的,沒有bleed,主要用于疊die或者單芯片尺寸相對(duì)基島比較緊湊,可以使用。
Q5:
WLCSP封裝一般推薦哪些可靠性?目前有關(guān)于WLCSP可靠性驗(yàn)證相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)嗎?有具體的條件嗎?
Answer:
WLCSP最容易出現(xiàn)的兩個(gè)情況:1、應(yīng)力把球給蹦掉了;2、球熔在一起短路了。
推薦做:precon, UHAST,HTSL,TC,詳細(xì)的標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試條件見下表。
Q6:
SWIO通訊口管腳損傷,能通過FA分析出來是過壓還是靜電導(dǎo)致嗎?
Answer:
過壓和靜電都會(huì)發(fā)生的。可能的原因是:芯片管腳靜電保護(hù)沒做好,而且該管腳容易和外界接觸,比如天線,那么就容易被靜電打壞。大概率可以通過FA手段判斷damage來源。
Q7:
有沒有可以看wafer map的軟件啊?wafer map txt打開亂碼怎么辦?
Answer:
UltraEdit好用,方便修改。文件可能不是txt的格式,UE有一個(gè)轉(zhuǎn)碼功能,把碼轉(zhuǎn)一下。要確認(rèn)下文件用什么編碼,如果解碼錯(cuò)了就會(huì)亂碼。
Q8:
多芯片版本芯片 mapping上都是bin1,怎么可以把mapping中某一種芯片改成bin1?
Answer:
上面大佬提及的UltraEdit 就可以改,操作和Excel類似,全部替換即可,但是map里面有map說明等信息,注意要還原回來。
Q9:
CUP的pad打線出現(xiàn)crack,但是os和function測(cè)試都o(jì)k,能量產(chǎn)出貨嗎 ?后續(xù)會(huì)有什么可靠性問題嗎?頂層Al厚度1.2um,用了兩層metal,按理說pad設(shè)計(jì)沒問題,是封裝廠品控不行?
Answer:
肯定不能出貨,Crack會(huì)隨著時(shí)間惡化,最終器件早期失效。Pad打線出現(xiàn)的crack是在pad上,需要在pad上看下設(shè)計(jì),有一種是底層為鋁做襯底,上層用Ti-Ni做導(dǎo)電傳導(dǎo)的,這種是可以的,我們做過可靠性,可以等效十年無異常。
Q10:
一般的device和CP測(cè)試的prober,對(duì)接地是否有特殊的要求。有沒有是直接接入辦公大樓接地極的,還是需要打獨(dú)立接地樁進(jìn)行接地?
Answer:
雙線,ESD一根,接地一根,都打樁。
Q11:
很多設(shè)備的電源地和機(jī)殼地一般都設(shè)備內(nèi)部短接了,這個(gè)接一根地線連接外部接地樁;ESD一根地線 是指設(shè)備提供作業(yè)員插靜電手環(huán)的孔嗎?
Answer:
雙線是大多數(shù)設(shè)備的基本方法,不管是prober還是別的設(shè)備,很多設(shè)備會(huì)有ESD口留著。
Q12:
SAT發(fā)現(xiàn)有嚴(yán)重分層,分層的原因可以根據(jù)SAT成像分析出來嗎?比如是水汽,EOS?
Answer:
一般SAT機(jī)臺(tái)是無法確認(rèn)delamination形成的緣由的。這個(gè)是要后續(xù)的FA來界定的。
Q13:
黃色的這部分怎么理解呢?
Answer:
樣品停止老化后,沒有能夠及時(shí)測(cè)試,那就要重新加應(yīng)力(溫度+電壓)一段時(shí)間后再測(cè)試確認(rèn),測(cè)試前重新老化的時(shí)長參照表1. 第一列中,未及時(shí)測(cè)試時(shí)間小于168小時(shí),則需重新老化24小時(shí)或者未完成測(cè)試的時(shí)間的一半,如耽擱了100小時(shí),那應(yīng)該再做50小時(shí)老化。
Q14:
這個(gè)圖片是Al剝離以后的吧?下面有個(gè)標(biāo)準(zhǔn)圖。
Answer:
結(jié)構(gòu)上沒啥問題,如果是Al層去除后發(fā)現(xiàn)的crack,風(fēng)險(xiǎn)很大,想出貨的話建議做3x reflow,測(cè)試后有管控的出貨。如果發(fā)生在打線后,也需要看下彈坑,看看下面結(jié)構(gòu)上是不是也有問題,如果彈坑fail,處理方式同上。
引起crack問題很多,從你的圖片來看,需要確認(rèn)測(cè)試od,次數(shù)及重疊狀況,針卡類型及清針方式,打線參數(shù)等。這個(gè)風(fēng)險(xiǎn)較大,reflow后降級(jí)報(bào)廢最好。另外,3xreflow后還有新的fail,基本上不能用了,還是讓封裝廠去調(diào)參數(shù)吧。
Q15:
鍵合絲線材的更換一般需要對(duì)芯片做哪些可靠性試驗(yàn)?zāi)兀磕莻€(gè)鍵合力的試驗(yàn)BPS需不需要做呢?
Answer:
可靠性試驗(yàn):TC,HAST, HTS, HTOL, PCT。另外,鍵合力的試驗(yàn)BPS也需要做。具體實(shí)驗(yàn)可參考下圖。
Q16:
芯片上SMT前如果開封時(shí)間長的話要進(jìn)行烘干,請(qǐng)問做烘干是為了去除芯片外表面的水汽還是為了去除芯片內(nèi)部的水汽,內(nèi)部的水汽可以通過烘干去除嗎?
Answer:
通常對(duì)新封裝類型是需要通過soaking/drying實(shí)驗(yàn)來得到準(zhǔn)確的baking condition: 取一定數(shù)量的fail 芯片先做soaking充分吸潮同時(shí)定期稱重量,至到吸潮飽和,芯片總重量不再增加;然后再對(duì)這些芯片在某一高溫下做烘烤,定期稱重量直到重量不會(huì)再減少。畫出芯片重量隨時(shí)間的變化曲線,就能定下來baking condition。
可以將烘烤的實(shí)驗(yàn),想象成一個(gè)水果,如果被烘成水果干,是不是內(nèi)部和外部的水汽都被烘干。也可以找OSAT要一次這類package的baking推薦溫度/時(shí)間條件。芯片內(nèi)部的水汽,應(yīng)該主要是導(dǎo)電膠吸濕吧,DB烘烤125度2H就夠了。
Q17:
我們有時(shí)發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)在某個(gè)電阻部位,但設(shè)計(jì)公司認(rèn)為是同一回路上其它地方器件損壞,而不是該電阻損壞。一般分析發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)的地方就一定是器件損壞的地方嗎?
Answer:
不一定。看你用的什么定位設(shè)備,OBIRCH和THERMOS的話,熱點(diǎn)和缺陷位置重合的概率高,尤其是Thermos。用EMMI的話,很多時(shí)候熱點(diǎn)和失效位置不重合,有時(shí)候還有假hotspots, 需要做layout tracing分析電路來進(jìn)一步定位。
Q18:
55nm LOW-K工藝一定要用激光劃片嗎?激光劃片成本比刀具劃片成本一般會(huì)高出多少?
Answer:
Low k建議用激光開槽,否則chipping會(huì)很嚴(yán)重。成本增加主要是激光保護(hù)液增加的成本,具體看chip size即劃片道長度。或者可以直接blade saw,但是為了減少crack,需要feeding特別慢,不適合量產(chǎn)。
Q19:
一般哪些產(chǎn)品需要做EMC,MCU是否需要做這項(xiàng)?做MCU消費(fèi)類應(yīng)用需要達(dá)到什么等級(jí),有什么標(biāo)準(zhǔn)可以參考?
Answer:
基本所有的電子產(chǎn)品都要做EMC,國內(nèi)的CCC,歐洲的CE,美國的FCC,澳洲的RCM都要做的。還有車規(guī)也要做EMC,季豐有條件自己做車規(guī)EMC。
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原文標(biāo)題:季豐電子IC運(yùn)營工程技術(shù)知乎 – 21W28
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