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.XT”是個(gè)啥以及.XT技術(shù)對(duì)器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)的提升及其影響

QjeK_yflgybdt ? 來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 作者: 張浩 苑志輝 王丹 ? 2021-07-06 11:47 ? 次閱讀

英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200V SiC MOSFET SMD系列產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm,覆蓋功率范圍最高可到20kW。

也許您已選用測(cè)試,

或許還在選型觀望,

又或者正懵懂于“.XT”是個(gè)啥?

不妨讀完此文,撥云見(jiàn)日,

三站地鐵,十分鐘足矣。

一、“.XT”是個(gè)啥?

提到.XT,熟悉英飛凌的老司機(jī)們,早已會(huì)心一笑,腦海中不由浮現(xiàn)出叱咤風(fēng)電、一身土豪金的IGBT5模塊。

英飛凌應(yīng)用在大功率IGBT模塊中的“.XT”技術(shù),覆蓋1200V、1700V和3300V電壓,主要用于高可靠性的風(fēng)電和牽引等場(chǎng)合,在芯片與DCB之間用了銀燒結(jié)技術(shù)(約20um),來(lái)提升可靠性,細(xì)節(jié)可參見(jiàn)往期文章這里就不再贅述了。

但是.XT并不是指某一種特定的封裝技術(shù),而是英飛凌高可靠封裝與互連技術(shù)的統(tǒng)稱。所以并不是“.XT”技術(shù)就是特指Ag Sintering(銀燒結(jié))。

今天的重點(diǎn)——在SiC表貼D2PAK-7L中的“.XT”技術(shù)。SiC單管中的“.XT”,采用了Diffusion Soldering(擴(kuò)散焊)技術(shù)。

簡(jiǎn)而言之,就是在特定溫度和壓力條件下,使得SiC芯片的背面金屬,與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴(kuò)散,形成可靠的冶金連接,以釜底抽薪之勢(shì),一舉省去中間焊料。所謂大道至簡(jiǎn)、惟精惟一,惟英飛凌Know-how的特殊背金芯片與工藝才能實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)“.XT”技術(shù)遇上SiC單管,

又會(huì)迸發(fā)出怎樣的火花?

二、“.XT”有啥用?

一言以蔽之:降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻,同時(shí)提高可靠性。

眾所周知,在單管封裝中,影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。

SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m*K),遠(yuǎn)高于IGBT的Si(124W/(m*K)),甚至超過(guò)金屬鋁(220W/(m*K)),與Lead Frame的銅(390 W/(m*K))非常接近。而一般焊料的導(dǎo)熱率才60 W/(m*K)左右,典型厚度在50~100um,所占整個(gè)器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重,自不言而喻。

所以,單管封裝中引入擴(kuò)散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片與lead frame之間的焊料,優(yōu)化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例。

基于“.XT”技術(shù)的D2PAK-7L(TO-263-7),相比當(dāng)前焊接版的TO247-3/4L(不排除以后也更新到Diffusion版),可降低約25%的穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c),和約45%的瞬態(tài)熱阻Zth(j-c)。

“.XT”技術(shù)對(duì)器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)的提升及其影響

同樣以1200V/30mOhm D2PAK-7L為例,假定TCase溫度100?C,芯片結(jié)溫Tvj不超過(guò)140?C。

當(dāng)采用“.XT”技術(shù)后,芯片允許的最大損耗從59W增加到79W,相應(yīng)地可以增加約14%的電流輸出,或者提高開(kāi)關(guān)頻率fsw,或者降低芯片溫度以提升壽命可靠性。(PS:估算相對(duì)理想,在實(shí)際應(yīng)用中,在芯片最大損耗增加的同時(shí),也要綜合考慮散熱器和器件Case溫度的升高。)

“.XT”技術(shù)對(duì)器件瞬態(tài)熱阻Zth(j-c)的提升及其影響

降低瞬態(tài)熱阻,除了在結(jié)溫波動(dòng)ΔTvj大的場(chǎng)合提升器件工作壽命和可靠性之外,還可以增強(qiáng)SiC MOSFET正向和反向的浪涌電流沖擊能力。以英飛凌1200V/30mOhm的SiC MOSFET體二極管的浪涌電流的實(shí)測(cè)為例,。

基于“.XT”技術(shù),峰值電流可以從176A增加到278A,對(duì)應(yīng)的瞬態(tài)I2T值可以從157A2S到390A2S。此外,Zth(j-c)的提升,還能增加SiC MOSFET約15%的短路時(shí)間或者短路耐量,讓短路保護(hù)設(shè)計(jì)更加從容。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管

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