6月17日午間，彭博社突然傳出消息，中國將加強對美國的芯片競爭，中國將支持芯片研發和制造項目包括擬定一系列相關金融和政策扶持措施，幫助國內芯片制造商克服美國制裁的影響。

據彭博社報道，該計劃已預留約1萬億美元的政府資金，其中一部分將由中央和地方政府共同投資一系列第三代芯片項目，項目內容還包括發展中國大陸本土芯片設計軟件和極紫外光（EUV）光刻機。

雖然消息的可靠性存疑，且“一萬億美元”的投資金額過于駭人，但是也側面反映了中國發展包括第三代半導體在內的半導體尖端領域的決心！

第三代半導體產業鏈可以簡單分為從襯底到薄膜外延和器件制造，再到模組及終端應用。襯底目前主要為SiC襯底和Si襯底兩種。通過在襯底上進行外延及加工，可得到SiC器件、GaN-on-Si器件、GaN-on-SiC器件以及目前非主流的全氮化鎵器件，主要應用于電子電力、微波射頻等領域。

隨著中國新基建的快速興起，中國第三代半導體市場規模在未來幾年內呈現噴薄式的發展。

第三代半導體技術、材料、設備與市場論壇2021將于6月23-24日在長沙召開。會議將探討全球與中國第三代半導體市場及產業發展機遇，中國第三代半導體產業政策與項目規劃，芯片產能供需與第三代半導體市場，第三代半導體技術發展趨勢，SiC PVT長晶技術&液相法的現狀及發展，新基建相關產業對第三代半導體的需求，SiC市場以及技術發展難題&解決方案，GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應用等。

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