日本政府傳將提供資金協(xié)助日本企業(yè)研發(fā)2納米（nm）以后的次世代半導(dǎo)體的制造技術(shù)，且將和中國臺(tái)灣臺(tái)積電（2330）等半導(dǎo)體廠商從事廣范圍意見交換來進(jìn)行研發(fā)。

日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，Canon等3家日本企業(yè)將和產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所（以下簡稱產(chǎn)總研）合作、攜手研發(fā)次世代半導(dǎo)體，而日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將提供約420億日?qǐng)A的資金援助，且將和臺(tái)積電等海外廠商建構(gòu)合作體制，期望借此重振日本處于落后的最先進(jìn)半導(dǎo)體的研發(fā)。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，除Canon外，將和產(chǎn)總研合作的企業(yè)還有東京威力科創(chuàng)（ Tokyo Electron ）和SCREEN Semiconductor Solutions，該獲得經(jīng)產(chǎn)省資金援助的研發(fā)團(tuán)隊(duì)目標(biāo)在2020年代中期確立2nm以后的次世代半導(dǎo)體的制造技術(shù)，將設(shè)立測試產(chǎn)線，研發(fā)細(xì)微電路的加工、洗凈等制造技術(shù)，且將和臺(tái)積電、英特爾（Intel）等海外半導(dǎo)體廠商從事廣范圍的意見交換來進(jìn)行研發(fā)。

臺(tái)積電于2月9日宣布，將投資約186億日?qǐng)A在日本茨城縣筑波市設(shè)立材料研發(fā)中心、擴(kuò)展3 DIC材料的研究。

臺(tái)積電赴日研發(fā)3D封裝芯片

臺(tái)積電將赴日設(shè)立材料研發(fā)中心，專家分析，三維芯片重要性與日俱增，尤其與散熱密切相關(guān)的材料至為關(guān)鍵，而材料是日本產(chǎn)學(xué)界強(qiáng)項(xiàng)，臺(tái)積電先進(jìn)制程結(jié)合日本材料實(shí)力，將有助臺(tái)積電拉大與對(duì)手三星的技術(shù)差距。

臺(tái)積電赴日本投資正式拍板定案，董事會(huì)早前通過以約1.86億美元金額在日本茨城縣筑波市設(shè)立材料研發(fā)中心，加強(qiáng)和日本生態(tài)系伙伴在三維芯片（3DIC）材料方面開發(fā)。

美中摩擦與疫情蔓延，更加確立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地緣政治上的戰(zhàn)略性地位，市場已多次傳出日本頻頻揮手，希望臺(tái)積電赴日投資合作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

事實(shí)上，臺(tái)積電赴日投資材料研發(fā)中心，也有不得不然的必要。工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨分析，隨著半導(dǎo)體制程微縮技術(shù)難度越來越高，即將遭遇瓶頸，加上效能與成本的考量，三維芯片（3DIC）重要性與日俱增，其中與散熱密切相關(guān)的材料非常關(guān)鍵。

3DIC是指將多顆芯片進(jìn)行三維空間垂直整合，以因應(yīng)半導(dǎo)體制程受到電子及材料的物理極限。

臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域已布局多年，自2016年推出InFO封裝技術(shù)后，至2019年已發(fā)展至第5代整合型扇出層疊封裝技術(shù)（InFO-PoP）及第2代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)（InFO_oS），并開發(fā)第5代CoWoS。

臺(tái)積電去年還進(jìn)一步整合InFO與CoWoS等3DIC平臺(tái)為3D Fabric，并看好相關(guān)的先進(jìn)封裝未來業(yè)績成長性將高于公司的平均水準(zhǔn)，與高效能運(yùn)算平臺(tái)同為臺(tái)積電營運(yùn)成長主要?jiǎng)幽堋?/p>

材料向來是日本產(chǎn)學(xué)界強(qiáng)項(xiàng)，楊瑞臨分析，臺(tái)積電前往日本設(shè)立材料研發(fā)中心，以自身領(lǐng)先的先進(jìn)制程技術(shù)結(jié)合日本材料的堅(jiān)強(qiáng)實(shí)力，將有助進(jìn)一步強(qiáng)化先進(jìn)封裝實(shí)力，拉大與競爭對(duì)手三星（Samsung ）的差距，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域扮演領(lǐng)頭羊角色。

編輯：jq