臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破：直奔1nm
在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況，指出3nm工藝超過預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前。
不過劉德音沒有公布3nm工藝到底如何超前的，按照他們公布的信息，3nm工藝是今年下半年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。
與三星在3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。
與5nm工藝相比，臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不論是5nm還是3nm工藝，甚至未來的2nm工藝，臺(tái)積電表示EUV光刻機(jī)的重要性越來越高，但是產(chǎn)能依然是EUV光刻的難題，而且能耗也很高。
劉德音提到，臺(tái)積電已經(jīng)EUV光源技術(shù)獲得突破，功率可達(dá)350W，不僅能支持5nm工藝，甚至未來可以用于1nm工藝。
按照臺(tái)積電提出的路線圖，他們認(rèn)為半導(dǎo)體工藝也會(huì)繼續(xù)遵守摩爾定律，2年升級(jí)一代新工藝，而10年則會(huì)有一次大的技術(shù)升級(jí)。
責(zé)任編輯：PSY
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