女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

離子注入工藝原理介紹

旺材芯片 ? 來源:旺材芯片 ? 作者:旺材芯片 ? 2021-02-01 11:16 ? 次閱讀

四十五所作為國內最大的濕化學設備供應商之一,其設備涵蓋了半導體制造幾乎所有的濕化學制程,包括:金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側腐、電鍍等。設備操作模式包括全自動、半自動和手動,能根據客戶的產能要求、自動化程度、工藝需求等定制最佳的配置方案。

b2c24836-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b6146b0e-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b6867a78-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b756d16e-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b79bd84a-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b7e73fce-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b8886188-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b8e3a7f0-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b9151f60-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b965cb68-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

b9ee35c0-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

ba1a32d8-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.png

ba3df862-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

ba9cab50-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bb14cbee-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bb7c4724-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bbcaeb68-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bc3bd5a8-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bc9b6a86-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bd0cef4e-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bd7c0cb2-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bde2afa8-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

be308930-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

be51ce6a-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bedb2994-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bf2f2184-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bf6f3058-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bf924dcc-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

bfd815aa-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

c0419408-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

c086ecc4-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

c0db6e0c-62cb-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

責任編輯:lq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 自動化
    +關注

    關注

    29

    文章

    5735

    瀏覽量

    81450
  • 半導體制造
    +關注

    關注

    8

    文章

    440

    瀏覽量

    24517
  • 離子注入
    +關注

    關注

    5

    文章

    34

    瀏覽量

    10460

原文標題:PPT | 離子注入工藝原理介紹

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

    本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
    的頭像 發表于 04-23 10:54 ?280次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>離子注入</b>后退火會引入的<b class='flag-5'>工藝</b>問題

    最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

    刻蝕 第17章 離子注入 第18章 化學機械平坦化 第19章 硅片測試 第20章 裝配與封裝 本書詳細追述了半導體發展的歷史并吸收了當今最新技術資料,學術界和工業界對《半導體制造技術》的評價都很高。
    發表于 04-15 13:52

    離子注入工藝中的重要參數和監控手段

    本文簡單介紹離子注入工藝中的重要參數和離子注入工藝的監控手段。 在硅晶圓制造過程中,離子的分布
    的頭像 發表于 01-21 10:52 ?906次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>工藝</b>中的重要參數和監控手段

    光耦的制造工藝及其技術要求

    。這通常涉及到外延生長、光刻、離子注入、擴散等工藝步驟。 外延生長 :在襯底上生長出所需的半導體材料層。 光刻 :利用光刻技術在半導體材料上形成所需的圖案。 離子注入 :通過離子注入
    的頭像 發表于 01-14 16:55 ?757次閱讀

    芯片制造的7個前道工藝

    。這一精密而復雜的流程主要包括以下幾個工藝過程:晶圓制造工藝、熱工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入
    的頭像 發表于 01-08 11:48 ?1429次閱讀
    芯片制造的7個前道<b class='flag-5'>工藝</b>

    TRCX:摻雜過程分析

    在 LTPS 制造過程中,使用自對準掩模通過離子注入來金屬化有源層。當通過 TRCX 計算電容時,應用與實際工藝相同的原理。工程師可以根據真實的 3D 結構提取準確的電容,并分析有源層離子注入前后的電位分布,如下圖所示。 (a
    發表于 01-08 08:46

    一文了解半導體離子注入技術

    離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導體或其他材料中的一種技術手段,本文詳細介紹離子注入技術的原理、設備和優缺點。 ? 常見半導體晶圓材料是單晶硅,在元素周期表中,硅排列在第14位
    的頭像 發表于 01-06 10:47 ?991次閱讀
    一文了解半導體<b class='flag-5'>離子注入</b>技術

    離子注入的目的及退火過程

    產生的晶格損傷,并激活摻雜劑離子,從而實現預期的電學特性。 1. 離子注入的目的 離子注入是現代半導體制造中不可或缺的工藝之一。通過這一步驟,可以精確控制摻雜劑的種類、濃度和分布,以創
    的頭像 發表于 01-02 10:22 ?1029次閱讀

    一種離子注入技術:暈環技術介紹

    本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應顯著時采用的一種離子注入技術:暈環技術。 ? 離子注入 在半導體制造工藝中指的是
    的頭像 發表于 12-31 11:49 ?1208次閱讀
    一種<b class='flag-5'>離子注入</b>技術:暈環技術<b class='flag-5'>介紹</b>

    【「大話芯片制造」閱讀體驗】+芯片制造過程工藝面面觀

    ,光刻工藝,蝕刻工藝,離子注入工藝,化學機械拋光,清洗工藝,晶圓檢驗工藝。 后道工序包括組裝
    發表于 12-16 23:35

    SiC的離子注入工藝及其注意事項

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入
    的頭像 發表于 11-09 11:09 ?899次閱讀

    源漏離子注入工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區重摻雜的工藝,降低器件有源區的串聯電阻,提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n
    的頭像 發表于 11-09 10:04 ?896次閱讀
    源漏<b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>工藝</b>的制造流程

    多晶硅柵工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過后續的源漏離子注入進行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜,NMOS 的柵是n型摻雜。
    的頭像 發表于 11-07 08:58 ?1312次閱讀
    多晶硅柵<b class='flag-5'>工藝</b>的制造流程

    離子注入工藝的工作原理

    單晶硅是一種絕緣體,因此它本身并不具備導電性。那么,我們該如何使它能夠導電呢?讓我們來看一下硅的微觀結構。
    的頭像 發表于 11-04 16:19 ?1984次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>工藝</b>的工作原理

    華瑞微電子科技榮獲離子注入機專利

    該專利揭示了一款專用于集成電路生產線的離子注入機,屬于半導體加工設備技術領域。該設備主要由支撐框架、離子注入機構、照射箱組件和擾流機構組成,同時配備吸塵除塵組件。
    的頭像 發表于 05-28 10:06 ?700次閱讀
    華瑞微電子科技榮獲<b class='flag-5'>離子注入</b>機專利