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高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器 可使手機(jī)解鎖速度快50%

電子工程師 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金 ? 作者:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金 ? 2021-01-18 10:12 ? 次閱讀

【華為申請(qǐng)語音支付相關(guān)專利 適用于人工智能終端設(shè)備】1月12日,華為技術(shù)有限公司公開一項(xiàng)名為“一種語音支付方法和電子設(shè)備”的專利,其申請(qǐng)日期為2019年12月。專利摘要顯示,這項(xiàng)專利提供了語音支付方法和電子設(shè)備,該語音支付方法有助于提升語音支付的安全性,適用于人工智能終端等電子設(shè)備。

產(chǎn)業(yè)要聞

高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器 可使手機(jī)解鎖速度快50%

1月12日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,芯片巨頭高通發(fā)布了第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器3D Sonic Sensor Gen 2。

2018年,該公司發(fā)布了第一代超聲波指紋識(shí)別器,這一代傳感器用于三星Galaxy S10系列手機(jī),提供了一種與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手基于光學(xué)的指紋傳感器解決方案截然不同的替代技術(shù)。

與初代型號(hào)相比,高通的第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器提供了更大的表面積和更快的處理速度,從而能更快地解鎖手機(jī)。

高通表示,第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器的表面積為64平方毫米,相比初代(36平方毫米),增加了77%。

高通承諾,通過將更大的傳感器與更快的處理速度相結(jié)合,掃描指紋來解鎖手機(jī)的速度將比初代快50%,這有望縮小它與光學(xué)傳感器的性能差距,后者在速度方面通常優(yōu)于前者。

此外,新版?zhèn)鞲衅鞣浅1。挥?.2毫米,這可能是它與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的光學(xué)指紋傳感器相比最大的優(yōu)勢(shì)之一,后者至少需要某種鏡頭系統(tǒng),通常更厚。

電容式傳感器相比,高通的第二代超聲波屏下指紋識(shí)別器仍然有一個(gè)優(yōu)勢(shì),那就是即使手指濕了,它也能識(shí)別。

高通預(yù)計(jì),首批使用其新版超聲波指紋識(shí)別器的手機(jī)將于2021年初上市。不過,該公司并未透露制造商或設(shè)備的名稱。(Techweb)

消息人士:英特爾擬將DG2交由臺(tái)積電代工 采用7nm加強(qiáng)版本工藝

1月12日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,在上周的報(bào)道中,外媒曾提到,在芯片制程工藝方面落后、面臨壓力的英特爾,正在考慮是否將部分高端芯片外包給臺(tái)積電或者三星代工,最終的計(jì)劃預(yù)計(jì)在1月21日的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上公布。

高端芯片是否外包給其他廠商代工尚無定論,又出現(xiàn)了英特爾擬將第二代獨(dú)立GPU交由臺(tái)積電代工的消息。

外媒是援引兩名消息人士透露的消息,報(bào)道英特爾考慮將第二代獨(dú)立GPU交由臺(tái)積電代工的。英特爾的第二代獨(dú)立GPU,也就是DG2,消息人士透露將采用臺(tái)積電一種新的芯片制程工藝,雖然新的工藝尚未正式命名,但消息人士透露將是7nm工藝的加強(qiáng)版本。

從外媒的報(bào)道來看,考慮將DG2外包給臺(tái)積電代工,并不是英特爾與臺(tái)積電首次在芯片代工方面進(jìn)行合作。外媒在報(bào)道中就提到,英特爾長期將旗艦級(jí)CPU之外的產(chǎn)品,外包給其他廠商,臺(tái)積電就是主要的客戶,臺(tái)積電也是目前最大的芯片代工商。

作為芯片巨頭,英特爾在芯片制程工藝方面長期領(lǐng)先,但在最近幾年漸漸失去了優(yōu)勢(shì),正在考慮是否將部分旗艦級(jí)CPU外包給其他廠商。

除了工藝方面漸漸失去領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),股東的壓力也是英特爾考慮是否外包的一個(gè)因素。激進(jìn)投資者Third Point LLC在上個(gè)月就曾致信英特爾董事會(huì),要求考慮是否還同時(shí)從事芯片設(shè)計(jì)和制造。(Techweb)

產(chǎn)業(yè)鏈人士:停電事故或?qū)е侣?lián)華電子8英寸晶圓廠產(chǎn)能更緊張

1月12日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,上周六,芯片代工商聯(lián)華電子的兩座晶圓廠曾突遇短暫停電,生產(chǎn)也受到了影響,他們也采取緊急措施恢復(fù)了生產(chǎn)。

雖然聯(lián)華電子的兩座晶圓廠只是短暫停電,他們也很快就恢復(fù)了生產(chǎn),他們?cè)谥芤灰苍硎荆娏?yīng)中斷,不會(huì)對(duì)他們的業(yè)績(jī)?cè)斐芍卮笥绊憽?/p>

但英文媒體在最新的報(bào)道中表示,停電事故,可能加劇聯(lián)華電子8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張的狀況。

聯(lián)華電子8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張的消息,在去年三季度就已傳出,當(dāng)時(shí)英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息報(bào)道稱,由于訂單強(qiáng)勁,聯(lián)華電子的8英寸晶圓廠,當(dāng)時(shí)就已經(jīng)滿負(fù)荷運(yùn)行。

雖然隨后也出現(xiàn)了聯(lián)華電子等芯片代工商,尋求收購閑置的8英寸晶圓廠,以快速提高8英寸晶圓的代工產(chǎn)能,消息人士也曾透露東芝洽談向聯(lián)華電子出售兩座閑置的8英寸晶圓廠,但目前還沒有出售工廠方面的確切消息。

此外,英文媒體在報(bào)道中表示,由于產(chǎn)能緊張,聯(lián)華電子已經(jīng)提高了8英寸晶圓的代工報(bào)價(jià)。

聯(lián)華電子兩座工廠的電力供應(yīng)突然中斷,發(fā)生在1月9日,由于設(shè)備方面的異常,他們位于新竹的8A和8CD這兩座晶圓廠,電力供應(yīng)短暫中斷。(Techweb)

IDC:2024年中國物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)支出預(yù)計(jì)將達(dá)到約3000億美元

1月12日消息,IDC近日發(fā)布了《2020年V2全球物聯(lián)網(wǎng)支出指南》,從技術(shù)、行業(yè)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度對(duì)2020年下半年全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)進(jìn)行全面梳理,并對(duì)未來5年的市場(chǎng)進(jìn)行了預(yù)測(cè)。

IDC預(yù)計(jì),到2024年中國物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)支出預(yù)計(jì)將達(dá)到約3,000億美元,未來5年的復(fù)合增長率將達(dá)到13.0%。2024年,中國占全球物聯(lián)網(wǎng)支出的26.7%,超越美國成為全球第一大物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。

通過對(duì)20個(gè)行業(yè)的持續(xù)跟蹤研究,IDC預(yù)計(jì),到2024年制造業(yè)、政府、消費(fèi)者三大行業(yè)的支出將占市場(chǎng)總支出的一半以上。尤其是消費(fèi)者行業(yè),隨著越來越多廠商入局、產(chǎn)品日益成熟、價(jià)格降低、車聯(lián)網(wǎng)服務(wù)、智慧家居、醫(yī)療健康監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)支出將持續(xù)高速增長。

IDC將20個(gè)行業(yè)進(jìn)一步劃分為39個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景,進(jìn)行更為深入分析。IDC預(yù)計(jì),車聯(lián)網(wǎng)將是主流應(yīng)用場(chǎng)景中增長最快的,年均復(fù)合增長率將達(dá)到35.9%。(Techweb)

資本市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

一級(jí)市場(chǎng)

瀚薪科技完成Pre-A輪融資

根據(jù)企查查1月12日消息, SiC與GaN功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商瀚薪科技完成Pre-A輪融資,投資方為國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(領(lǐng)投)、尚頎資本、恒旭資本、匯創(chuàng)投。

公司成立于2019年,是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的高科技企業(yè),是國內(nèi)唯一一家能大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅MOS管、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶的本土公司,公司產(chǎn)品涉及的行業(yè)包括新能源車的OBC/DC-DC/ 充電樁、光伏逆變器通信電源、高端服務(wù)器電源、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、高鐵、航天工業(yè)等。

公司注冊(cè)資本金為1.2億元。公司通過十多年的積累,已擁有具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的器件設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)的能力,取得了40多項(xiàng)國內(nèi)外發(fā)明專利,突破了國外大廠在碳化硅技術(shù)上的壟斷。2019年,650V/1200V SiC JMOS開你正式量產(chǎn);第三代650V/1200V SiC JMOS和碳化硅二極管開始正式量產(chǎn);開發(fā)3300V碳化硅二極管及MOS產(chǎn)品技術(shù)平臺(tái);2020年,3300V系列產(chǎn)品將正式量產(chǎn);

天富能源擬1.25億元收購北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份

天富能源【6005091.SH】1月11日晚間發(fā)布公告稱,公司擬以現(xiàn)金支付方式收購控股股東新疆天富集團(tuán)有限責(zé)任公司持有的北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司約2.32%的股權(quán),收購價(jià)格為人民幣1.25億元。

公司成立于2006年,是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅晶片生產(chǎn)商。公司主要從事碳化硅領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主要產(chǎn)品包括碳化硅晶片、其他碳化硅產(chǎn)品和碳化硅單晶生長爐,其中碳化硅晶片是公司核心產(chǎn)品,公告披露的公司近一年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)簡(jiǎn)況如下:

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值得注意的是,公司曾獲華為旗下哈勃科技投資,并于2020年申請(qǐng)科創(chuàng)板IPO,但于10月15日主動(dòng)撤回申請(qǐng)。截止協(xié)議簽署日,公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)如下:

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(一)除瀚薪科技、天科合達(dá)外,科技行業(yè)一級(jí)市場(chǎng)共有2筆融資,分別為圖達(dá)通、量旋科技SpinQ。

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資料來源:企查查

(二)發(fā)行市場(chǎng),1家公司接受首輪問詢,1家公司接受第3輪問詢。

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資料來源:上交所科創(chuàng)板/深交所創(chuàng)業(yè)板官網(wǎng)項(xiàng)目動(dòng)態(tài)

(三)新股日歷

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資料來源:Wind

二級(jí)市場(chǎng)

電子行業(yè)重要公告內(nèi)容如下:

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資料來源:Wind

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:硬創(chuàng)早報(bào):2024年中國物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)支出將達(dá)到約3000億美元;英特爾擬將DG2交由臺(tái)積電代工 采用7nm加強(qiáng)版本工藝

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