三星將用8nm工藝生產(chǎn)RTX 30系列顯卡
對于RTX 30系列顯卡缺貨的事情，NV方面之前表示，正在想盡一切辦法來生產(chǎn)它，滿足更多用戶的需要。
據(jù)韓國媒體報道稱，NV與三星方面已經(jīng)簽訂了第二份合同，后者將繼續(xù)代工生產(chǎn)RTX 30系列顯卡，其使用的是8nm工藝。
按照產(chǎn)業(yè)鏈的說法，RTX 30系安培顯卡缺貨的主要原因是三星8nm良率不高所致，從而導(dǎo)致GPU芯片供不應(yīng)求。
此前關(guān)于RTX 30系顯卡缺貨有不少分析，除了GPU，還有顯存、被動元件等，此次將矛頭直指三星，不知道是否是冤枉了。
按照NVIDIA CEO黃仁勛和CFO的說法，RTX 30系顯卡可能需要等到明年一季度后才能充分滿足市場需求。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182117 -
NVIDIA
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
5238瀏覽量
105735 -
顯卡
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
2502瀏覽量
69175
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?20
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 20
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
技嘉科技發(fā)布GeForce RTX 5090 D 和RTX 5080系列顯卡
5080 系列顯卡,再次樹立性能新標(biāo)桿。技嘉GeForce RTX 50系列秉持「進化 10%」的理念,以前所未有的技術(shù)突破,相較前代產(chǎn)品,不僅將散熱性能大幅提升最高達 10%,更同
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
技嘉CES 2025發(fā)布RTX 50系列顯卡，升級散熱縮小體積
CES 2025展會現(xiàn)場，技嘉科技(GIGABYTE)隆重發(fā)布了全新NVIDIA GeForce RTX? 50系列顯卡，包括RTX? 5090 D、
銳成芯微推出基于8nm工藝的PVT Sensor IP
近日，銳成芯微基于8nm工藝的工藝、電壓、溫度傳感IP（PVT Sensor IP，下同）完成硅測試，驗證結(jié)果展現(xiàn)出了其優(yōu)異的性能，未來將為客戶在先進工藝平臺的IP需求提供更多的、具有
三星電子：18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI
發(fā)表于 10-23 11:53
?547次閱讀
三星3nm芯片良率低迷，量產(chǎn)前景不明
近期，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于20%，遠低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對
三星展望2027年：1.4nm工藝與先進供電技術(shù)登場
在半導(dǎo)體技術(shù)的競技場上，三星正全力沖刺，準(zhǔn)備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日，三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術(shù)路線圖，其中包括備受矚目的1.4
三星與新思科技攜手，備戰(zhàn)2nm工藝量產(chǎn)
在全球半導(dǎo)體行業(yè)邁向更高精度和更小尺寸的征途上，三星與新思科技近日宣布了一項重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實現(xiàn)量產(chǎn)，并在市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。
三星公布最新工藝路線圖
： 1. **新節(jié)點和技術(shù)進展**：三星宣布了兩個新的尖端節(jié)點——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，這種技術(shù)將電源軌置于晶圓背面，以提高功率、性能
三星電子正按計劃推進eMRAM內(nèi)存制程升級
三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布，其正按計劃穩(wěn)步進行eMRAM（嵌入式磁性隨機存取內(nèi)存）的制程升級工作。據(jù)悉，目前8nm eMRAM的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)基本完成，這一進展標(biāo)志著三星電子在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要突
工商網(wǎng)監(jiān)
評論